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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      集成器件制造的精细图案化工艺要求具有湿式化学加工中的表面清洁度、表面平滑度、完全均匀性和完全蚀刻线性等优点。在我们的工作中,基于对BHF和SO的化学反应机理的基础研究,确定了缓冲氟化氢(BHF:NH4F+HF+H2O)的改进化学组成。描述了基于化学反应机理和液体化学品性质研究的先进湿式化学加工,结合SiO2  BHF的图案化工艺。硅技术的湿化学工艺原理基于以下四个要素:主要反应的测定(蚀刻种类、BHF蚀刻产物的溶解度对蚀刻均匀性和线性、无固相分离的化学成分的稳定性,以及通过添加表面活性剂提高晶圆表面液体化学品的润湿性。 介绍      化学反应是渐进式ULSI加工的必要要求。特别是,由于器件集成的改进通常需要高纵横比接触和通过孔的精细图案,表面化学技术必须实现晶圆表面的完美光滑。酸性氟化铵溶液,被称为缓冲氟化氢(BHF),是一种重要的化合物,因为它对硅化合物的反应性。它被广泛用作表面处理剂,如刻蚀,图案和清洁硅片表面。为了提高湿法蚀刻技术,必须提高BHF的化学活性和功能性能。本研究基于NH4FHFH20体系解离的光谱研究,从理论上考虑了BHF的化学成分。 硅技术中湿式化学加工的基本原理优势反应(蚀刻)    &#...
发布时间: 2021 - 09 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      基于臭氧的氟化氢化学被提议在晶圆回收中取代传统的氟化氢/硝酸混合物用于多晶硅剥离。研究了臭氧化氢氟酸溶液的腐蚀特性。与HF/HNO3类似,HF/O3被发现通过同时氧化和蚀刻工艺剥离多晶硅膜。剥离速率由氧化和蚀刻反应竞争中的速率限制步骤决定;无论哪个速度慢,都会控制整个动力学。由于硅和氧化硅上的化学物质具有不间断蚀刻的特性,因此根据多晶硅和下面的热氧化物之间的蚀刻选择性来评估工艺应用的可行性。 介绍      众所周知,臭氧是一种强氧化剂,它可能是替代硝酸进行内部聚汽提的理想选择。臭氧可以在使用点不断产生,并与浓度稳定的氟化氢溶液混合,而不会引起温度变化。此外,单一酸(HF)系统可使无电极电导率传感器适用于快速、准确、经济高效地监测和控制汽提过程中HF酸的浓度,从而延长槽寿命。另外,与硝酸相比,臭氧几十年来在大气中迅速变成氧气,大大减少了对环境的担忧。在本研究中,评估了臭氧化氟化氢溶液的蚀刻特性和工艺效果,以探索所提出的化学方法的可行性。 实验      在这项研究中,使用了在400氧化硅层上涂有大约1000(或2000)多晶硅薄膜的150毫米硅片。认识到以高速率在大表面积上产生均匀蚀刻的困难,较小的样品被用于蚀刻速率表征测...
发布时间: 2021 - 09 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      在锯切阶段后的自动检测(AOI)过程中,观察到成品率大幅下降。进行一步一步的AOI检验检查和缺陷审查,以查看哪一步导致了大的产量下降,哪种缺陷对产量下降的贡献最大。扫描电镜和能谱分析显示了颗粒的形状和化学元素。从EDS的结果来看,粒子可以分为两类。一种是无机相关材料,主要包括硅元素,来自saw阶段。通过实验设计,找到合理的声表面波相关参数,并对其进行优化,以去除声表面波级中的粒子。但是这种粒子的数量很少。产量只提高了不到5%。我们的主要努力是去除另一种颗粒,即有机相关材料,主要包括碳和氧元素。这种颗粒来自胶带残留物。为了去除残留的胶带,在锯台之前增加了一个步骤。几乎所有残留的胶带都被移除了,最终产率提高了15%以上。 介绍      在本文中,AOI步骤的产量下降大部分是由粒子造成的。电子封装组件中的颗粒一直是一项非常具有挑战性的去除工作。一些颗粒会直接导致质量问题,而另一些颗粒可能会引发可靠性问题。找到粒子的根本原因,识别它,描述它是如何发生的,然后消除它,这是非常重要的。同时,粒子可能来自各种来源,如直接物质、间接物质、环境、设备,甚至人类。在过去,大量的研究已经调查了缺陷形成。本文提出了一种新的方法来除去几乎所有的这些颗粒,最终产率提高了15%以上。...
发布时间: 2021 - 09 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      锗的溶解在过氧化氢水从3到90%H2O2和pH从1到9已经研究在温度从25~90~已经发现溶解率保持不变的溶液重量3-30%的H2O2低pH,然后减少随着H2O2增加。所提供的内容。pH4以上的反应高度依赖于pH,这种pH依赖性随H2O2浓度的变化而变化。这说明在pH值为5及以上时,低、高H2O2浓度溶液的速率控制步骤可能不同。提出了解释这种情况的反应机制。 介绍      使用过氧化氢溶液作为锗的最终清洁蚀刻是半导体行业的一个既定实践。采用稀过氧化氢水溶液作为过氧化氢水溶液。Miller用pH5的体积过氧化氢溶液测定了不同温度下锗在3.4%下的溶解速率。本研究是为了更好地了解溶解反应的机理,并确定其对过氧化氢浓度、温度和溶液pH的依赖性。研究了锗的电阻率、电阻率类型和晶体完美度对溶解速率的影响。 实验      所用样品为1x1.5x0.010in。单晶n型和p型锗的电阻率为2-6欧姆cm。1样品与~111~平面的主要表面在1度内,并用氧化铝包面制备。切片上的随机面积测量显示,表观表面积的变化小于2%。对单个样品的电阻率测量显示变化小于5%。蚀刻前,每个样品用三氯乙烯、氯仿和甲醇脱脂,干燥,用氢氟酸清洗,并用电阻率高于1...
发布时间: 2021 - 09 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文研究了在不同条件下单晶锗的蚀刻速率。为简单起见,所使用的主要蚀刻剂只由h2O2、HF和水组成。给出了速率作为温度和蚀刻剂成分的函数,以及作为晶体的取向和杂质含量的函数的数据。一个假设在表面依次发生两个反应的方程拟合实验误差范围内的速率与温度数据。在所研究的范围内,速率控制过程对样品取向很敏感。从蚀刻数据中,得到了由于研磨造成的扰动表面层厚度的值。这在2-10u范围内,取决于样品取向和磨料粒径。给出了两种比较复杂成分的常见蚀刻剂的比较数据。 介绍      为了进一步了解这些过程,人们对锗晶体在不同条件下的蚀刻速率进行了研究。为简单起见,大多数作品都局限于只含有HF、H202和水的蚀刻剂。为了确保样品的均匀性,所有样品都从一个掺杂n型锗的大单晶中切下来。由于晶体的电阻率随其长度变化缓慢,通过从晶体的适当区域选择样品,可以得到1~9欧姆厘米之间的电阻率。样品较薄,通常厚度在30英里左右,因此面面积与边缘面积之比较大。将边缘区域纳入与面相同的方向所引入的误差小于2%。样品用聚乙烯涂层的镊子保存,接触面积足够小,可以忽略。蚀刻率是通过测量已知蚀刻时间后样品的重量损失来获得的。体重被测量到0.2毫克,体重差异通常为大约是20毫克。人们相当注意蚀刻剂的新鲜度和组成以及样...
发布时间: 2021 - 09 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本研究对不同硅氧化物(热氧化物、TEOS沉积、TEOS退火和PSG退火)、辛尼必物(LPCVD和PECVD)和金属层(Al-Cu、Ti和氮化钛)在HF:h2o24.5:75.5、BHF:甘油2:1和蒸汽高频中的蚀刻进行了比较。蒸汽高频蚀刻是在一个市上可用的晶圆清洗系统中完成的,该系统根据定制规范进行调整,使无粘表面微加工。确定了蚀刻速率作为蚀刻方法、时间和温度(对于高频蒸汽)的函数。此外,在选择用于比较不同薄膜蚀刻行为的标准高频蒸汽蚀刻技术之前,还分析了内部(温度、氮气流、晶片尺寸)和外部(样品预处理)参数对高频蒸汽蚀刻工艺的影响。利用螺旋钻深度剖面和红外光谱法解释了金属膜的时变蚀刻速率和高频蒸汽蚀刻后硅-氮化物膜的变化。介绍      表面微加工微机电系统(MEMS)通常采用聚硅或聚sige1、2作为结构层,氧化物层作为牺牲层。然后,可以通过使用氟化氢(HF)对结构层具有高选择性地蚀刻牺牲层。最广泛的高频蚀刻方法是在心衰和水的混合物或缓冲液高频与甘油3-10的混合物中进行湿式化学蚀刻。后者首选铝结构在晶片上时,因为在BHF中添加甘油降低金属的蚀刻率。然而,干燥释放的湿式蚀刻结构会导致粘结的问题。虽然存在解决方案来克服这些问题,但也可以通过使用高压蒸汽释放蚀刻剂来规避附着...
发布时间: 2021 - 09 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      硅在氢氟酸溶液中的电化学蚀刻被用作微加工技术。已经证明,对电化学蚀刻的硅结构的形状的普遍接受的几何约束可以显著放松。报道了在同一n掺杂硅片上刻蚀出的几种新结构。制造的结构包括壁阵列、孔阵列、曲折形结构、螺旋形壁、微管、微柱、微尖等。详细描述了电化学蚀刻过程的简单模型,该模型描述了初始晶种的尺寸、电流密度以及初始图案的氢氧化钾蚀刻时间对最终几何形状的影响。 介绍         在氢氟酸(HF)电解液中电化学蚀刻硅是形成多孔硅的众所周知的技术。根据阳极氧化硅衬底的掺杂,可以获得不同的孔形态,从由p型衬底制成的纳米孔到由照射的n型衬底获得的微米孔。在最后一种情况下,通过用足够能量的光子照射晶片的后表面,可以在体中光生空穴。在阳极偏压下,这些空穴向前硅-电解质界面移动,硅发生溶解。最初,电场集中在平坦晶片表面上的尖锐缺陷处。因此,表面缺陷是大孔形成的种子点。通过用缺陷位置预构图晶片表面,可以确定大孔将在哪里形成。标准光刻步骤后的氢氧化钾蚀刻可用于在所需位置产生金字塔形凹口,这些凹口可作为缺陷阵列。具有高纵横比(高达250)的随机和预图案化大孔阵列都在整个晶片厚度和整个晶片上生长。提出的应用范围从红外滤波器到光子晶体和微机械系统。 制作工艺...
发布时间: 2021 - 09 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文所描述的工作是对氮化镓的表面清洁和欧姆接触策略的系统研究的一部分。本研究的目的是确定最有效的湿化学和热解吸清洗去除氧(O)和C)碳的方法。比较了氢氯(HC1)和氢氟(HF)酸基清洗处理,并在超高真空(UHV)条件下将热解吸作为温度的函数进行了表征。在整个研究过程中,俄杰电子能谱(AES)分析用于监测表面O和C的存在。对于去除表面氧化物,hcl基溶液被发现是最有效的;在清洁的空气暴露条件下,HCI:DIH20(1:1)溶液导致残留的O和C水平最低。然而,hf基溶液导致更有效的从表面热解吸C。与通常观察到的热解吸清洁砷化镓的结果,完全去除暴露氮化镓氧和碳表面没有单独使用真空加热,甚至温度氮化镓分解发生(800-900℃)。本研究的结果表明,氮化镓表面的氧和碳的存在即使是高温,必须添加进一步的原位清洁方法,以获得光谱清洁的氮化镓表面。 介绍       半导体器件结构之间的表面和界面是固态结构的基本组成部分。随着设备尺寸的缩小和集成规模的增加,这些接口的质量已经成为一个越来越重要的问题。此外,寄生电阻和电容的存在,如在接触界面上存在的电容,在更高的工作功率和更高的振荡频率下变得更加有害。对于许多设备,发生在接触接口上的损失占总损失的很大一部分,因此会对设...
发布时间: 2021 - 09 - 29
浏览次数:53
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      在高频水溶液中,SiO的蚀刻可以通过电场的应用而被阻碍或停止。在CMOS制造中,非常低水平的光可以导致这种影响。对溶解过程提出了平行反应路径,并加上电场在中间步骤中停止或重定向反应的能力。 介绍      SiO2在高频溶液中的溶解是集成电路制造的一个基本步骤。基于这些技术背后的知识,蚀刻结构如图所示1。与n+区域以上的磷掺杂材料相比,在p+区域上发现的硼掺杂玻璃的蚀刻率仅略有下降。由于氧化物厚度的差异,孔的p+侧可能会出现轻微的过度膨胀,但这将是一个很小的困难。       在某些n+和p+掺杂浓度高、浅连接和极低硅表面缺陷密度的条件下。被蚀刻在大多数集成电路处理光屏蔽区域的黄色光中,已经观察到无论过度拉伸时间如何,n+侧都不清楚。在某些情况下,在n+氧化物上可见颜色明亮的层。这一层不溶于非氧化的高频溶液。另一方面,如果蚀刻在绝对黑暗中进行,氧化物在n+和p+硅上均匀溶解。这种光灵敏度表明连接结构可能发生光充电。通过实验研究了应用电场对二氧化硅层蚀刻的影响。并研究了改变结结构的影响。最后,对集成电路上实际接触孔蚀刻中剩余的材料进行了俄歇和扫描电镜分析。 实验      如图所示2,由一系列p...
发布时间: 2021 - 09 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      氢氟酸中氧化硅的氢终止是由于一个蚀刻过程,现在已经被广泛理解和接受。这个表面已经成为表面科学研究的标准,也是微电子、能源和传感器应用的硅器件处理的重要组成部分。目前的工作表明,氧化碳化硅的高频蚀刻(碳化硅)导致了一个非常不同的表面终止,无论表面是碳终止还是硅终止。具体来说,碳化硅表面具有亲水性和羟基终止,这是由于HF无法去除氧化物、二氧化硅界面上的最后一层氧层。最终的表面化学和稳定性关键取决于晶体面和表面的化学计量学。这些表面特性影响表面化学功能化的能力,从而影响碳化硅如何用于生物医学应用。 介绍      碳化硅开始取代高功率、高温应用的硅,并被考虑用于高中压MOSFET器件。在电子应用中,碳化硅的吸引力源于生长热二氧化硅钝化层的能力,这表明已经为硅开发的湿式化学清洗方法(例如,高频蚀刻)可以用于碳化硅。碳化硅的另一个重要吸引力来自于它的稳定性和生物相容性,这对生物医学应用很重要,如用于植入的材料(骨组织)、血管支架和用于生物传感器的基质。对于这些应用,理解和控制其表面的表面终止是至关重要的。特别是,执行高频蚀刻是这些应用程序中常见的一个重要步骤。      碳化硅的表面润湿性也与硅表面不同。通过浸在各种酸、碱溶液中检测了润湿特性...
发布时间: 2021 - 09 - 29
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