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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料残留物清除 残留物去除通常发生在蚀刻或注入步骤之后。由于光致抗蚀剂是一种含有长链聚合物的有机材料,当没有其他物质存在时,氧化很容易,聚合物从表面的去除也就完成了。然而,当存在来自先前处理的残留物时,必须在晶片被送至下一步骤之前将其去除。残渣去除的难度取决于之前的处理;抗蚀剂的烘焙通过耗尽溶剂使其硬化,紫外(UV)曝光使抗蚀剂交联(参考),蚀刻耗尽抗蚀剂的溶剂并蚀刻抗蚀剂,同时在表面上沉积聚合物(参考),离子注入使抗蚀剂交联并脱氢,在抗蚀剂的外表面附近产生“外壳”。残余物必须被去除,并且通常与光致抗蚀剂掩模的等离子体剥离相结合。残余物既含有有机(通常含氟)材料,也含有无机(通常含硅)材料。例如,在蚀刻栅极叠层之后,除了保留在蚀刻区域中的不想要的栅极氧化物之外,通常使用一系列SPM和HF来去除蚀刻和剥离残留物。 预氧化清洗由于在器件制造区域发现的大气污染,有机薄膜薄层存在于晶片表面。有机蒸汽会从聚合物部件中释放出来,例如晶片载体和建筑材料。虽然这些污染水平很低,但是晶片接受的处理对这些低水平很敏感,例如,在热处理之前必须清洁表面。在许多制造领域,SPM清洗步骤是RCA预热清洗过程的一部分。 SPM后冲洗和干燥 粘性SPM很难从晶圆表面去除,需要大量冲洗。表面的吸湿硫残留物会吸收水分并产生颗粒缺陷。有效的冲洗对于防...
发布时间: 2021 - 08 - 12
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料介绍硫酸(H2SO4)和过氧化氢(H2O2)混合物(SPM)用于各种湿法清洗工艺步骤。下表中显示了SPM的一些常见清洁和表面处理顺序: 清洁步骤化学药品典型序列光刻胶剥离抗蚀剂剥离后清洗H2SO4:H2O2H2SO4:H2O2SPMSPM抗蚀剂剥离后清洗残留物清除H2SO4 : H2O2NH4OH:H2O2:H2OSPMSC-1残留物清除高频:H2OH2SO4:H2O2NH4OH:H2O2:H2ODHFSPMSC-1残留物清除H2SO4:H2O2NH4OH:H2O2:H2OHF:NH4F:H2OSPMSC-1NOE预氧化清洗H2SO4:H2O2高频:H2ONH4OH:H2O2:H2O盐酸:H2O2:H2OSPMDHFSC-1SC-2 抗蚀剂剥离和抗蚀剂剥离后清洁抗蚀剂剥离包括去除应用于晶片的所有光致抗蚀剂,用于光刻描绘步骤。剥离步骤可以在接受反应离子蚀刻(RIE)工艺、湿法蚀刻工艺、离子注入工艺或金属沉积剥离工艺之后进行。正性光致抗蚀剂通常由酚醛清漆或磷(苯基氧基苯乙烯)树脂与光活性化合物组成,溶剂用于制造粘性液体,该液体在晶片表面上旋转,而负性光致抗蚀剂通常由聚甲基丙烯酸甲酯(聚甲基丙烯酸甲酯)(参考)组成,具有类似于正光致抗蚀剂的添加剂。这些化合物由碳氢化合物组成,还有其他元素,或者作为树脂或添加剂分子的一部分,或者作为杂质...
发布时间: 2021 - 08 - 12
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料今天,硅晶片有多种用途,尤其是随着我们作为一个技术世界不断发展,但有不同类型的晶片和晶片工艺可以满足特定产品的 特殊需求。例如,双面抛光晶片在尺寸至关重要的情况下非常有用。为什么要抛光晶圆?  晶圆抛光已成为晶圆制造过程中非常重要的一部分,因为近年来对晶圆比以往任何时候都更薄的需求急剧增加。您最初可能会假设使物体更平坦会自动使其更脆,但硅晶片不一定是这种情况。事实上,抛光可以使它们更坚固,更灵活。这是由于去除了可以削弱硅的污染物。 在抛光完成之前 , 由于 复杂的制造工艺,特别是晶片研磨方法,晶片的表面下通常会有一些 损坏 。 幸运的是,这可以通过抛光轻松解决。无论是只关注一侧还是两侧,质量都会大大提高。 与其他晶圆相比有什么 不同?  您会问,这些晶圆与其他晶圆究竟 有何不同?典型地,晶片只用一个抛光侧上形成,但顾名思义,双面抛光的晶片 有 完成在两侧上的过程中, 制作 更薄的晶片,真正需要使用的空间最小量的情况。    抛光晶圆的优势   双面抛光晶片更 明显的优势之一是增加了平...
发布时间: 2021 - 08 - 12
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料与普通硅相比,碳化硅可以承受更高的电压,因此,碳化硅半导体中的电源系统需要更少的串联开关,从而提供了简化和可靠的系统布局。            随着新行业和产品采用电子和半导体,设计师和制造商正在寻找改进和更智能的方法来构建这此关键元素。碳化硅(SiC)半导体不同于普通的硅半导体。当使用动力电子设备和电力系统时,它表现出有限的导热性、在某些应用中难以改变频率、低带隙能量以及更多的功率损耗然而,它也有好处。以下是碳化硅供电半导体的两大优势:  1.碳化硅可以在更高的温度下运行全球对电子产品日益增长的需求推动了对不同类型设备在不断变化或恶劣的条件(如更高的温度)下运行的需求。碳化硅半导体可以在200“℃或更高的温度下工作,因为其导热性比标准硅好三倍。但应该理解的是,大多数商业级半导体的推荐温度额定值为 175C。更高的额定温度可最大限度地降低系统设计的复杂性,增强可靠性,并降低制造商的成本。系统设计人员可以在Sic半导体的帮助下使用越来越少的电容器和存储电感器,从而降低电气系统的总体成本。 2.碳化硅可以承受更高的电压与普通硅相比,碳化硅可以承受更高的电压,因此碳化硅半导体中的电源系统需要更少的串联开关...
发布时间: 2021 - 08 - 12
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料当今半导体制造中最热门的趋势之一是晶圆级封装 (WLP)。根据Allied Market Research 的数据,到 2022 年,全球 WLP 市场规模预计将达到 78 亿美元,2016 年至 2022 年的复合年增长率 (CAGR) 为 21.5%。广义上讲,WLP 包含不同的集成方法,例如扇入和扇出,以及从 2D 和 2.5D 到 3D IC 甚至纳米 WLP 的一系列封装类型。它还包括互连工艺,如凸块、硅通孔 (TSV) 和混合键合。WLP 是异构集成 (HI) 的基石,这是半导体制造的另一个主要趋势。许多人认为 HI 是在功率、性能、面积和成本 (PPAC) 方面扩展摩尔定律的途径。HI 包括晶圆级系统级封装 (SiP) 架构、2.5 内插器、3D 集成电路 (IC) 堆栈,以及最近的小芯片架构。是什么推动了半导体制造领域的 WLP 趋势?       正如大流行向我们展示的那样,世界比以往任何时候都更加依赖数字技术。不仅如此,我们还希望能够通过手掌来管理我们的生活。我们使用移动设备进行通信、开展业务、购物、监控我们的健康和我们的家庭等等。异构集成 WLP 使将 5G、人工智能 (AI)、内存、电源、传感器等打包到这些工具中成为可能。        这推动了...
发布时间: 2021 - 08 - 12
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料有许多晶片清洁技术或步骤用于确保半导体晶片在经历晶片制造过程时始终没有污染物和异物。不同的污染物具有不同的特性,因此对从晶片上去除的要求也不同。以下是晶圆清洗常用方法的一些示例。    光刻胶剥离,或简称“光刻胶剥离”,是从晶片上去除不需要的光刻胶层。其目的是尽快从晶片上去除光刻胶材料,而不会让光刻胶下的任何表面材料受到所用化学品的侵蚀。抗蚀剂剥离可分为:1)有机剥离;2)无机剥离;3) 干法剥离。    有机剥离 使用有机剥离剂,有机剥离剂是破坏抗蚀剂层结构的化学品。最广泛使用的市售有机汽提剂曾经是苯酚基有机汽提剂,但它们的适用期短和苯酚处理困难,使得低酚或无酚有机汽提剂成为当今更受欢迎的选择。  湿式无机剥离剂,也称为氧化型剥离剂,用于 无机剥离,通常用于去除非金属化晶圆上的光刻胶,以及后烘烤和其他难以去除的抗蚀剂。无机汽提剂是硫酸和氧化剂(如过硫酸铵)的溶液,加热至约 125 摄氏度。干法剥离 涉及使用等离子蚀刻设备通过干法蚀刻去除光刻胶。与使用有机或无机剥离剂进行湿法蚀刻相比,它的优势包括更好的安全性、无金属离子污染、减少污染问题以及更不易附着在下面的基板层。  化学去除薄膜污染物,污染材料的...
发布时间: 2021 - 08 - 11
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料EUV光刻技术为半导体制造商提供一个前所未有的速度开发最强大芯片的机会。现在半导体行业已经经历了大规模的改造,这可以归因于技术的演进和热情,以满足不断增加的市场预期。传统上,芯片制造商依赖于在每个芯片的表面添加更多的晶体管。在当今时代,实现这种发展变得越来越具有挑战性。制造商正在关注称为极紫外(EUV) 光刻的先进制造技术。EUV光刻可用于制造比以前更小规模的芯片。该技术可以导致微处理器的发展,其速度比目前最强大的芯片快十倍。EUV光刻的本质也可以归因于当前芯片印刷技术的物理限制。EUV光刻技术可以使制造商打印宽度为01微米的电路,相当于人类头发宽度的1/1000。EUV光刻利用波长非常短的光来更快、更准确地生成精细图案。该技术可以生产更小尺寸的晶体管,使处理器和其他电子设备更强大、更便宜、更节能。EUV光刻的两个关键市场包括用于智能手机和服务器的处理器,其中尺寸、功率和效率是必不可少的因素。尽管 EUV光刻技术前景广阔,但这项技术的普及仍有一些障碍。其中之一是需要大功率光源,这是照亮光刻胶所必需的。然而,世界领先的公司正在投资这项技术。许多公司正在投资研发,以实现 EUV技术的更大进步。此类投资肯定会在未来提高半导体和电子产品的运营效率。 注意:此处包含的信息、建议和意见仅供参考,仅供您考虑,查询和验证,不以任何方式 保证任何材料在特定...
发布时间: 2021 - 08 - 11
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料摘要半导体晶片在从裸硅晶片转变为装有数百万个晶体管电路的晶片之前,要经过多种工艺。此类工艺包括物理或化学气相沉积(PVD、CVD)、化学机械平面化 (CMP)、等离子蚀刻、快速热处理 (RTP) 和光刻。随着特征尺寸不断缩小,过程控制在这些过程中的每一个中都扮演着越来越重要的角色。基于模型的控制方法是为先进半导体设备设计商业控制器的有效手段。我们将概述先进控制在半导体行业中的应用。根据我们的经验,控制设计的最佳模型大量借鉴了过程的物理学。这些模型用于特定控制应用的方式取决于性能目标。在某些情况下,例如 RTP 和光刻,闭环控制完全取决于系统具有非常好的物理模型。对于 CMP 等其他过程,物理模型必须与经验模型结合或完全是经验模型。所得的多变量控制器可以是原位前馈反馈或逐次运行控制器,或其组合。本文中介绍的三个案例研究(RTP、CMP 和光刻)代表了先进控制在半导体行业的前沿应用。对于 CMP 等其他过程,物理模型必须与经验模型结合或完全是经验模型。所得的多变量控制器可以是原位前馈反馈或逐次运行控制器,或其组合。本文中介绍的三个案例研究(RTP、CMP 和光刻)代表了先进控制在半导体行业的前沿应用。对于 CMP 等其他过程,物理模型必须与经验模型结合或完全是经验模型。所得的多变量控制器可以是原位前馈反馈或逐次运行控制器,或其组合。本文中介绍的三个案例...
发布时间: 2021 - 08 - 11
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料        硅基电子元件的开发与生产要求材料在所有阶段的化学表征,从原材料,最后是成品。分析工作包括测定两者的体积浓度和空间分布杂质和搀杂剂的厚度和成分的测定沉积在硅等上的薄膜。现代要求的高可靠性半导体产品需要广泛的控制程序。经常必须测定极低浓度的杂质。因此低检测限和污染自由度是该标准的关键要求分析工作。需要和使用许多不同的分析技术。在这几种核分析技术是很重要的。中子(NAA),带电粒子活化分析(CPA)、核反应分析(NRA)、瞬变伽马活化分析(PGAA)和卢瑟福后向散射光谱学(RBS)是最常用的方法。所涉及的分析问题是困难的和质量要求高。常是非核的定量校准技术是很困难的。很少,如果有的话,参考资料是公正的分析方法的准确性存在控制。该局与国家标准局合作召开了会议这次顾问会议的目的如下。1. 概述分析化学的要求电子工业和所使用的分析技术。2. 探讨核分析技术在这一领域的作用。3.讨论国际组织质量控制的必要性所用的分析方法。该报告包含三个报告讨论分析的必要性硅电子化学,分析技术的应用和分析标准,并对质量需求的讨论进行总结报告控制。对分析化学的需求硅电子科技。摘要        对原材料质量控制的分析和缺陷特性的广泛需求讨论了硅器件制造的材料、工艺和环...
发布时间: 2021 - 08 - 11
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料摘要在这项研究中,干膜光刻胶使用 UV 光刻进行图案化,并优化侧壁轮廓以实现垂直侧壁。干膜的侧壁垂直度对于更好的图案转移非常重要。部分因子设计 (FFD) 方法用于确定侧壁优化的重要变量。重要的因素是曝光能量。其他因素在改善侧壁垂直度方面不显着。侧壁角度范围从 64 ± 5° 到 86 ± 5°。发现侧壁斜率随着曝光能量的降低而增加。光刻图案化干膜的反应离子蚀刻(RIE)在干膜掩模的制造中是必要的。使用 Ar 等离子体和 CF4-O2 等离子体进行具有优化侧壁的干膜 RIE。全因子实验设计用于确定影响过程的关键因素。氧气流速和射频功率是使用 CF4-O2 等离子体的干膜 RIE 的重要变量。蚀刻速率范围从 ~150 nm/min 到 ~5000 nm/min。蚀刻速率随着射频功率和氧气流速的增加而增加。发现 RF 功率和时间对 Ar 等离子体很重要。制造的具有几乎垂直侧壁的干膜模具用于电镀铜和 Ti 剥离应用。使用部分因子设计优化电镀工艺。正如预期的那样,发现电流密度和电镀时间很重要。与较高的电流密度相比,较低的电流密度导致更光滑、细粒度的沉积物。然而,镀液pH值对干膜的影响还有待研究。具有增加侧壁斜率的干膜模具在电镀铜和 Ti 剥离方面表现出更好的图案转移。 介绍光刻胶光刻胶是一种用于微电子行业的...
发布时间: 2021 - 08 - 11
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