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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料介绍晶圆表面污染,尤其是颗粒污染物,自半导体行业诞生以来一直是主要问题之一。完全加工的硅晶片的良率与晶片的缺陷密度成反比。降低缺陷密度的一种方法是使用有效的清洁技术来有效去除颗粒污染物。由于颗粒和基板之间的强静电力,小颗粒特别难以从晶片上去除。因此,迫切需要找到一种有效的方法来有效地去除晶片上的颗粒,并且不会损坏晶片。现代晶圆制造设施使用严格的污染控制协议,包括使用洁净室防护服、乳胶手套和高度净化的通风系统。结合这些协议,现代制造设施使用各种清洁晶片的方法,通常涉及加压水喷射擦洗、旋转晶片洗涤器、湿化学浴和冲洗以及类似系统。然而,这些工艺容易损坏晶片。此外,化学过程具有与使用化学品相关的固有危险,例如硫酸、氢氧化铵和异丙醇。......结论      已经提出了一种使用超声波频率范围内的声能清洁硅晶片的新颖而有效的技术。这种新方法已经证明,可以使用超声波能量从裸硅晶片表面有效去除各种尺寸的颗粒。   略 本文简述了半导体晶圆,污染物颗粒,造型等问题 文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时,需要对化学蚀刻剂有基本的了解,以实现工艺优化和工艺控制。为了蚀刻纯铝电路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确定蚀刻速率和图案定义对正磷酸浓度从50%到 95%(v/v)s多磷酸浓度从50%到5%的变化的敏感性(v/v),氯化铁(III)浓度为10-40g/L,溶解铝浓度为0.0-5.0g/L。 得出的结论是,正磷酸、多磷酸、氯化铁蚀刻剂系统允许蚀刻 剂制备和电路处理的合理变化,而不会显著影响蚀刻的纯铝电 路的线宽减小和边缘质量。      在所研究的范围内,在正磷酸浓度为75%至95%和氯化铁浓度 为10g/LB寸,可获得最佳的图案清晰度和线宽减小。为了保持这种最佳状态,需要温度控制和对蚀刻产物积累的密切监控,建立了原子吸收分光光度法测定溶解铝浓度的方法。      未来的工作将包括评估溴化铁、硫酸化铁和过渡金属氧化物盐,如镍、钴、锰、钌和锇,作为氧化铁的可能代替品。其他研究将集中在蚀刻反应的分析特征上。 介绍      在印刷电路工业中,化学蚀刻长期以来一直是在金属膜中产生精确图案的公认方法。蚀刻结合目前的光刻技术,提供了亚微米线分辨率。尽管随...
发布时间: 2021 - 10 - 22
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扫码添加微信,获取更多相关湿法资料1.刻蚀速率刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度通常用Å/min表示, 刻蚀窗口的深度称为台阶高度。 为了高的产量, 希望有高的刻蚀速率。 在采用单片工艺的设备中, 这是一个很重要的参数。 刻蚀速率由工艺和设备变量决定, 如被刻蚀材料类型、 蚀机的结构配置、 使用的刻蚀气体和工艺参数设置。 2.刻蚀剖面刻蚀剖面指的是被刻蚀图形的侧壁形状。 有两种基本的刻蚀剖面: 各向同性和各向异性刻蚀剖面。各向同性的刻蚀剖面是在所有方向上(横向和垂直方向) 以相同的刻蚀速率进行刻蚀, 导致被刻蚀材料在掩膜下面产生钻蚀面形成的,这带来不希望的线宽损失。 湿法化学腐蚀本质上是各向同性的,因而湿法腐蚀不用于亚微米器件制作中的选择性图形刻蚀。一些干法等离子体系统也能进行各向同性刻蚀。 由于后续上艺步骤或者被刻蚀材料的特殊需要, 也自一些要用到各向同性腐蚀的地方。3.刻蚀偏差刻蚀偏差是指刻蚀以后线宽或关键尺寸间距的变化。它通常是由于横向钻蚀引起的, 但也能由刻蚀剖面引起。 当刻蚀中要去除掩膜下过量的材料时, 会引起被刻蚀材料的上表面向光刻胶边缘凹进去, 这样就会产生横向钻蚀。4.选择比选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少。 它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。一个...
发布时间: 2021 - 08 - 10
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料平版印刷术被定义为“一种从已经准备好的平坦表面(如光滑的石头或金属板)印刷的方法,以便油墨仅粘附在将要印刷的设计上”。在半导体器件制造中,石头是硅片,而墨水是沉积、光刻和蚀刻工艺的综合效果,从而产生所需的特征。因为用于器件制造的光刻涉及使用光学曝光来创建图案,所以半导体光刻通常被称为“光刻”。与已经讨论的检查和计量技术一样,光刻是图案化的选择技术,因为它是光学的,因此能够实现小特征和高晶片产量。这与直接书写和压印等其他技术形成对比。光刻的基本原理图1示出了用于定义浅沟槽隔离特征的典型光刻工艺。这一过程包括以下步骤:1. 基板清洁和准备2. 形成热氧化层,并在干净的衬底上沉积一层氮化硅3. 沉积碳硬掩模,然后沉积一层抗反射材料4. 沉积一层光刻胶5. 预烘焙光刻胶6. 对准衬底/光刻胶和掩模版,使用紫外辐射和4x-5x成像曝光光刻胶。重复步骤和扫描7. 曝光后烘焙8. 在光致抗蚀剂中显影图案,并硬烘焙以去除剩余的溶剂9. 执行蚀刻以打开电介质抗反射涂层(DARC)和硬掩模图案,并去除光致抗蚀剂和DARC10. 执行蚀刻以在衬底中打开沟槽并去除硬掩模11. 清洁表面          ...
发布时间: 2021 - 08 - 10
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料光刻是将掩模上的几何形状转移到硅片表面的过程。光刻工艺中涉及的步骤是晶圆清洗;阻挡层的形成;光刻胶应用;软烤;掩模对准;曝光和显影;和硬烤。晶片清洗、阻挡层形成和光刻胶应用在第一步中,晶片被化学清洗以去除表面上的颗粒物质以及任何有机、离子和金属杂质的痕迹。清洗后,用作阻挡层的二氧化硅沉积在晶片表面。在二氧化硅层形成之后,光致抗蚀剂被施加到晶片的表面。硅片的高速离心旋转是集成电路制造中应用光刻胶涂层的标准方法。这种技术被称为“旋涂”,在晶片表面产生一层薄而均匀的光刻胶。正性和负性光刻胶光刻胶有两种:正片和负片。对于正性抗蚀剂,抗蚀剂在要去除底层材料的地方用紫外光曝光。在这些抗蚀剂中,暴露于紫外光会改变抗蚀剂的化学结构,从而使其在显影剂中更易溶解。然后曝光的抗蚀剂被显影液洗掉,留下裸露的底层材料窗口。换句话说,“无论什么节目,都会去。因此,掩模包含要保留在晶片上的图案的精确拷贝。消极抵抗的行为正好相反。暴露在紫外光下会导致负性抗蚀剂聚合,并且更难溶解。因此,负性抗蚀剂在其被曝光的任何地方都保留在表面上,并且显影剂溶液仅去除未曝光的部分。因此,用于负性光致抗蚀剂的掩模包含待转印图案的反转(或照相“负片”)。下图显示了使用正性和负性抗蚀剂产生的图案差异。 负抗蚀剂在集成电路加工的早期历史中很流行,但是正抗蚀剂逐渐变得更广泛使用,因为它们为小几何特...
发布时间: 2021 - 08 - 10
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料标准的半导体制造工艺可以大致分为两种工艺。一种是在衬底(晶圆)表面形成电路的工艺,称为“前端工艺”。另一种是将形成电路的基板切割成小管芯并将它们放入封装的过程,称为“后端工艺”或封装工艺。在半导体制造的传统封装工艺中,衬底(晶圆)被研磨到指定的厚度,然后进行芯片分离(划片、切割工艺)。 工艺流程1:各设备加工(单机)(每一步均由独立设备执行)保护胶带(背面研磨用BG胶带)层压在晶圆表面的电路上,晶圆背面研磨至指定厚度,然后从晶圆表面去除保护胶带。接下来,将切割胶带(用于切割)安装到晶圆背面,并将晶圆从表面切割成芯片。切割胶带可防止芯片在切割后飞散。工艺流程 2:部分使用在线设备进行加工                                                                                &#...
发布时间: 2021 - 08 - 10
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料在不断推动制造更小、更薄和更密集的芯片封装的过程中,半导体行业更加关注将具有不同功能的单独制造的组件集成到系统级封装 (SIP) 中。这种被称为异构集成 (HI) 的方法现在推动了行业的发展路线图。SIP可在紧凑的外形尺寸内实现组件之间的高能效、高带宽连接,并提供增强的功能和改进的操作特性。这使它们成为消费和通信设备等应用的理想选择。优化SIP以用于这些需要更小、更快和消耗更少功率的高需求终端产品意味着使用背面研磨使它们尽可能薄。减薄晶圆需要解决和减轻完整性问题。芯片贴膜 (DAF) 已成为必不可少的用于晶圆制备和引线键合单芯片和多芯片堆叠解决方案的分割。应用于晶圆背面的高粘性 DAF 可用作芯片的粘合材料和支撑膜。晶圆分割完成后,受DAF保护的芯片会从支撑带上取下并放置在基板上。然后以倾斜/偏移模式垂直堆叠多个管芯,并且管芯在边缘进行引线键合。图 1 显示了使用金刚石填充 DAF 创建的具有七个芯片层的堆叠芯片器件的示例横截面。在层压到 DAF 上之前,将硅晶片减薄至 200 微米,并使用双轴切割锯对经过 DAF 处理的器件晶片上的芯片进行分割,如图 2 所示。图 1:具有高导热性 DAF 的 7 芯片堆叠。图 2:用于晶圆切割的双主轴锯尽管焊膏会释气、空洞并渗入其他区域,但 DAF 很容易控制。它不仅可以保持模具的锋利边缘和形状,还可以保持模具...
发布时间: 2021 - 08 - 10
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扫码添加微信,获取更多湿法相关资料摘要硅晶片是制造集成电路 (IC) 使用最广泛的基板。IC的质量直接取决于硅片的质量。制造高质量的硅片需要一系列的工艺。同时双面研磨 (SDSG) 是平整线锯晶片的工艺之一。本文回顾了有关硅片 SDSG 的文献,包括历史、机器开发(包括机器配置、驱动和支持系统以及控制系统)和工艺建模(包括磨痕和晶圆形状)。它还讨论了未来研究的一些可能的主题。 关键词:研磨;加工; 造型; 半导体材料;硅片;同时双面磨削 介绍集成电路 (IC) 广泛用于计算机系统、电信、汽车、消费电子、工业自动化和控制系统以及国防系统等应用中。超过 90% 的 IC 构建在硅片上. 全球每年生产约 1.5 亿片不同尺寸的硅片. 2004年,全球硅片和半导体器件产生的收入为73亿美元[3] 和 2130 亿美元, 分别。作为平整硅片的工艺之一,同步双面研磨 (SDSG) 具有巨大的潜力以低成本满足对高质量硅片的需求。本文回顾了有关 SDSG 的文献。在介绍部分之后,第 2 部分简要回顾了当前可用的压平硅晶片的工艺、每种工艺的优缺点以及 SDSG 的建议应用。第 3 节总结了 SDSG 的简要历史。第 4 节介绍了 SDSG 的机器开发,包括机器配置、驱动和支持系统以及控制系统。过程建模SDSG 将在第 5 节中介绍。最后一节讨论了 SDSG 未来研究的一...
发布时间: 2021 - 08 - 10
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料摘要按照典型的双大马士革工艺一步一步地识别晶圆斜面、背面和隔离区的铜(Cu)污染。 物理气相沉积系统的屏蔽环不能有效地保护隔离区和斜面。 此外,铜可能溶解和积聚在用于介质后蚀刻清洁的溶剂中。 溶解的铜原子则可能  再沉积在晶圆表面。 此外,粗糙的后侧面比光滑的前侧面更容易捕获铜原子。 如果背面表面没有SiO2膜,用稀HF进行化学机械抛光清洗后,不能去除背面表面的Cu。 提出了一种优化的单片自旋腐蚀工艺。 以HF、HNO3、H2SO4、H3PO4的配比为0.5:3:1:0.5时,蚀刻剂性能最佳。 实验表明,在很短的时间内,10 s的后侧清洗可以完全去除后侧表面、斜面和2mm隔离区的铜。 提出了一种“晶圆漂移”方法,解决了由于蚀刻残余而导致的边缘引脚附近的针痕问题。 优化后的清洗工艺比以往报道的清洗工艺时间更短,清洗效率更高。  随着集成电路处理技术的进步,特征尺寸不断缩小。 由于器件性能和电路密度的提高而缩短。  通道长度和更小的器件几何形状,由于金属线更细更长和它们之间的空间更窄,多电平互连的电阻和电容都增加了。 铜(Cop- per, Cu)因其低电性而被认为是铝互连材料中最合适的替代材料...
发布时间: 2021 - 08 - 10
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料 各向同性和各向异性:当材料受到液体或蒸汽蚀刻剂的侵蚀时,它会被各向同性(在所有方向上均匀)或各向异性蚀刻(在垂直方向上均匀)去除。各向同性蚀刻和各向异性蚀刻之间的区别如图 1 所示。湿蚀刻的材料去除速率通常比许多干蚀刻工艺的速率快,并且很容易通过改变温度或活性物质的浓度来改变。 湿蚀刻同义词: 化学蚀刻、液体蚀刻 定义:湿蚀刻是一种材料去除工艺,它使用液体化学品或蚀刻剂从晶片上去除材料。特定的图案由晶圆上的掩模定义。不受掩模保护的材料会被液体化学品蚀刻掉。在先前的制造步骤中使用光刻在晶片上沉积和图案化这些掩模。[2] 湿法蚀刻工艺涉及消耗原始反应物并产生新反应物的多个化学反应。湿蚀刻工艺可以通过三个基本步骤来描述。(1) 液体蚀刻剂扩散到要去除的结构。(2)液体蚀刻剂与被蚀刻掉的材料之间的反应。通常会发生还原氧化(氧化还原)反应。该反应需要材料的氧化,然后溶解氧化的材料。(3)反应中副产物从反应表面扩散。 各向异性湿蚀刻 略 各向同性湿法蚀刻:  略 干蚀刻:     略同义词:等离子蚀刻、气体蚀刻、物理干蚀刻、化学干蚀刻、物理化学蚀刻反应离子蚀刻:  略  ...
发布时间: 2021 - 08 - 10
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