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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料摘要纳米压印光刻 (NIL) 已被证明是一种复制纳米级特征的有效技术。NIL 工艺包括逐场沉积和曝光通过喷射技术沉积到基板上的低粘度抗蚀剂。带图案的掩模下降到流体中,然后通过毛细作用迅速流入掩模中的浮雕图案。在此填充步骤之后,抗蚀剂在紫外线辐射下交联,然后去除掩模,在基板上留下图案化抗蚀剂。有许多标准可以确定特定技术是否已准备好进行大批量半导体制造。列表中包括重叠、吞吐量和缺陷率。与任何光刻方法一样,压印光刻需要识别和消除缺陷机制,以便始终如一地生产出设备。NIL 具有该技术独有的缺陷机制,它们包括液相缺陷、固相缺陷和颗粒相关缺陷。尤其更麻烦的是掩模或晶片表面上的硬颗粒。硬颗粒有可能在掩膜中产生永久性缺陷,无法通过掩膜清洁过程进行纠正。如果要满足拥有成本 (CoO) 的要求,则必须最大限度地减少颗粒形成并延长掩模寿命。在这项工作中,详细讨论了包括原位颗粒去除、口罩中和和抗蚀剂过滤的方法。由于这些方法以及已经开发的技术,晶片上的粒子数减少到每条晶片路径仅 0.0005 个或超过 2000 个晶片的单个粒子,下一个目标是每条晶片路径 0.0001 个。粒子加成器的减少与掩模寿命直接相关,并且演示了 81 个批次(约 2000 个晶片)的掩模寿命。现在正在开发新方法以进一步扩展掩模并降低拥有成本。在这项工作中,还介绍了工具上晶圆检查和掩模清洁方法。...
发布时间: 2021 - 08 - 07
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料摘要FeCl3·6H2O用于单晶ZnO薄膜的湿法刻蚀。该方法对抑制酸蚀氧化锌薄膜时通常观察到的“W”形蚀刻轮廓有很大的影响。正如触针轮廓仪和扫描电子显微镜所证实的那样,在广泛的蚀刻速率范围内获得了“U”形轮廓和光滑的表面形态。据推测,由 X 射线光电子光谱检测到的铁沉积是形成合适的溶液流体力学参数的原因。通过超声波处理可以轻松去除沉积层,这使得该过程易于控制。这些结果表明,该方法有望用于加工基于 ZnO 的光电器件。 关键词:蚀刻,X射线光电子能谱,深度剖析,氧化锌 介绍近年来,ZnO 单晶薄膜引起了极大的关注,主要是因为它的直接宽带隙(~ 3.4 eV)、大的自由激子结合能(~ 60 meV),因此其在短波长光电解耦中的应用前景广阔。在这些器件的制造中,例如发光二极管 (LED) 和激光二极管,台面蚀刻方法起着重要作用。湿化学蚀刻的可能性是 ZnO 相对于另一种宽带隙半导体 GaN 的根本优势。各种各样的 蚀刻剂如 HCl、HNO3、H3PO4 或 H3PO4/HAc/H2O 已用于 ZnO 的湿化学蚀刻 。在他们的研究中,一种特殊的酸被用作蚀刻剂。其机理是氧化锌在酸溶液中反应生成溶于水的锌盐,从而制成蚀刻图案。然而,在酸蚀刻过程中观察到的“W”形蚀刻轮廓。使器件具有开路,这阻碍了酸蚀刻剂在 ZnO 器件制...
发布时间: 2021 - 08 - 07
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料摘要本文简要概述了面临的挑战晶圆清洗技术正面临着先进的silicon技术向非平面器件方向发展结构和半导体改性清洗的需要, 除了硅。 在前一种情况下,关键问题是相关的 用于下一代CMOS栅极结构以及深3D几何图形的垂直表面的清洁和调理MEMS设备这些问题加速的步伐除硅以外的半导体正在被引进主流制造业需要发展特定材料的晶圆清洗技术。 考虑与每个挑战相关的问题。   关键词:  III-V化合物FinFET集成电路制造 ,MEMS, MOS栅极堆栈,半导体清洗 介绍晶片清洗是最常用的加工方法 ,这也是进军高端硅集成电路制造领域。 因此,化学的测试和执行Si的清洗操作是非常重要的。建立良好的和支持多年的广泛研究,以及重要的工业工具基地。因此,硅清洁技术是迄今为止在所有具有实际重要性的半导体中最真实的技术。 第一个完整的,基于科学考虑的清洁配方专门设计来清除Si表面 提出了颗粒、金属和有机污染物在1970年。 从那时起,硅清洁技术就被经历着持续的进化变化。 然而令人惊讶的是,最先进的硅清洁仍大致依靠同样的化学溶液,只是它们的方式不同准备和交付到晶圆,是非常不同的这是最初提议的。 另外,选择曲面传统上由湿式清洁化学物质形成的调节功能。然而,和现在一样先进的是硅清...
发布时间: 2021 - 08 - 07
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扫码添加微信,获取更多湿法资料RCA 清洁工艺可去除硅晶片表面的污染物,从而可以进行额外的湿法半导体制造步骤。该过程由两个步骤组成,SC1 步骤去除有机化合物,SC2 步骤去除任何残留的金属残留物或颗粒。专门的 湿式工作台可 确保尽可能彻底地去除污染物和颗粒,并使硅晶片保持清洁。为了实现这一点,该设备小心地冲洗掉污染物并最大限度地减少对晶片的处理。自动化可用于可靠且一致地复制过程参数。华林科纳可以提供标准和定制的专业设备来执行 RCA 清洁过程。1.RCA Clean SC1 去除大部分晶圆表面污染SC1 清洁步骤使用化学品溶解杂质,同时不影响下面的硅表面。将晶片放置在含有等量 NH4OH(氢氧化铵)和 H2O2(过氧化氢)的溶液中,溶液为五份去离子水。将溶液加热至约 75 摄氏度,并将晶片在溶液中放置 10 至 15 分钟。有机残留物被溶解并去除颗粒。在晶片上形成一层薄薄的氧化硅,并且有一些金属离子和颗粒污染。2.RCA Clean SC2 去除金属杂质对于 SC2,将新清洗的晶片置于含有等量盐酸和过氧化氢和五份去离子水中的浴中。确切的比率可能因应用而异。将水浴加热至约 75 摄氏度,晶片浸泡约 10 分钟。该解决方案专门消除碱残留物、金属氢氧化物和其他金属颗粒。晶圆现在完全干净,没有任何类型的颗粒。3.晶圆清洗设备必须具备专业功能我们需要专门的设备来有效地执...
发布时间: 2021 - 08 - 06
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料 氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料,也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用值的半导体。   Gallium nitride is a semiconductor with a large band gap, which belongs to the so-called wide band gap semiconductor. It is an excellent material for microwave power transistor and a kind of semiconductor with important application value in blue light emitting devices. 氮化镓(GaN)是镓和氮的化合物,是一种具有宽带隙和刚性六万晶体 的半导体材料,带隙是从周围轨道中释放电子所需的能量原子核,在3.4ev时,氮化镓的带隙是硅的三倍以上。由于带隙材料可以控制的电场,因此氮化镓更大的带隙使得制造耗尽区非常短或窄的半导体成为可能,从而实现具有极高载流子密度的器件设计,更小的晶体管和更短的电流通道,使速度提高多达100倍。 Gallium nitride(GaN),a compound of&#...
发布时间: 2021 - 08 - 05
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料将硅片放入扩散炉前,应先对其进行清洗,以去除其表面的杂质和颗粒。这被称为“预扩散清洁”。我们可以使用多种方法进行预扩散清洁。   Before silicon wafers are placed in a diffusion furnace, they should be cleaned first to remove impurities and particles from their surfaces.This is known as “pre-diffusion cleaning.” Pre-diffusion cleaning can be done using various methods.1.RCA清洗工艺(主要包括两步)        标准清洁 1 (SC1)-使用含有氢氧化铵和过氧化氢的溶液清洁硅片,这有助于去除有机颗粒。然而,金属离子仍然存在于晶片表面。Standard cleaning 1 (SC1) – The silicon wafers are cleaned with a solution containing ammonium hydroxide and hydrogen peroxide, which helps in removing org...
发布时间: 2021 - 08 - 05
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料                                                                                硅晶片清洁过程是半导体制造过程中的关键步骤。华林科纳支持各种类型的晶圆清洗工艺,无论您是进行研究还是大批量生产,都可以保持纯度。华林科纳支持的清洁工艺包括RCA清洁、SC1和SC 2(标准清洁1和2)、预扩散清洁,以及包括臭氧清洁和兆声波清洁在内的其他清洁工艺。1.晶圆清洗的目的 所述的目标晶片清洗过程是在不改变或损害晶片表面或基底除去的化学和颗粒杂质。晶片表面必须保持不受影响,这样粗糙度、腐蚀或点蚀会影响晶片清洁过程的结果。硅晶片的良率与晶片加工的缺陷密度(清洁度和颗粒数)成反比。降低缺陷密度和提高产量的一种方法是使用高效的晶圆清洁工艺,以有效去除颗粒污染物。对于更小的半导体器件和几何形...
发布时间: 2021 - 08 - 05
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注塑制品质量是产品性能和市场竞争力的关键指标。为了深入解析其影响因素,我们采用鱼刺图(因果图)进行分析。图1 鱼刺图(因果图)将原料、注塑机、模具和成型条件作为四大主干因素,并进一步细化分析各因素下的子因素。 01原料原料是影响注塑制品质量的基础因素。原料种类:不同种类的注塑原料具有不同的化学性质和物理特性,这影响到注塑制品的力学性能、耐热性、耐腐蚀性等。根据制品的使用环境和功能需求进行原料种类的选择。纯度与杂质:杂质可能导致注塑制品出现气泡、裂纹、变形等缺陷,影响制品的外观和性能。 图2 PFA原料含湿性:原料中的水分含量过高会导致注塑过程中产生气泡、缩孔等缺陷。注塑前应对原料进行干燥处理,确保水分含量在可接受范围内。颗粒特性:颗粒过大可能导致填充不均,颗粒过小则可能增加注塑机的能耗。物理性质:原料的熔点、粘度、流动性等物理性质会影响注塑过程的稳定性。物理性质不合适的原料可能导致注塑过程中出现堵塞、溢料等问题。 图3  DAIKIN 211原料物理性质批次一致性:不同批次的原料可能存在差异,如成分、纯度、物理性质等,这可能导致注塑制品的质量不稳定。02注塑机注塑机作为注塑生产的核心设备,其性能稳定与否直接关系到制品质量。注射精度:注射精度的准确性影响注塑制品的尺寸和形状。注射精度受到注塑机本身的精度和稳定性、模具的精度和耐磨性、原料的性质和...
发布时间: 2024 - 04 - 15
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注塑制品质量是产品性能和市场竞争力的关键指标。为了深入解析其影响因素,我们采用鱼刺图(因果图)进行分析。图1 鱼刺图(因果图)将原料、注塑机、模具和成型条件作为四大主干因素,并进一步细化分析各因素下的子因素。01原料原料是影响注塑制品质量的基础因素。原料种类:不同种类的注塑原料具有不同的化学性质和物理特性,这影响到注塑制品的力学性能、耐热性、耐腐蚀性等。根据制品的使用环境和功能需求进行原料种类的选择。纯度与杂质:杂质可能导致注塑制品出现气泡、裂纹、变形等缺陷,影响制品的外观和性能。图2 PFA原料含湿性:原料中的水分含量过高会导致注塑过程中产生气泡、缩孔等缺陷。注塑前应对原料进行干燥处理,确保水分含量在可接受范围内。颗粒特性:颗粒过大可能导致填充不均,颗粒过小则可能增加注塑机的能耗。物理性质:原料的熔点、粘度、流动性等物理性质会影响注塑过程的稳定性。物理性质不合适的原料可能导致注塑过程中出现堵塞、溢料等问题。图3  DAIKIN 211原料物理性质批次一致性:不同批次的原料可能存在差异,如成分、纯度、物理性质等,这可能导致注塑制品的质量不稳定。注塑机02注塑机作为注塑生产的核心设备,其性能稳定与否直接关系到制品质量。注射精度:注射精度的准确性影响注塑制品的尺寸和形状。注射精度受到注塑机本身的精度和稳定性、模具的精度和耐磨性、原料的性质和工艺参数等多种因素的影响。稳定性:注...
发布时间: 2024 - 04 - 15
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氟塑脂,作为一种重要的高分子材料,在化工、电气、机械等领域中发挥着不可替代的作用。其独特的物理和化学性质,使其在各种极端环境下都能保持稳定性和功能性。 其中,熔体流动速率和熔点作为氟塑脂的两大关键性质,更是决定了其在加工和应用过程中的表现。 熔点 - 氟塑脂的热稳定标志熔点,简单来说,就是物质从固态转变为液态所需的温度。对于氟塑脂而言,熔点是其在加热过程中开始软化和流动的温度点。这个点标志着氟塑脂从固态到液态的转变,也意味着其分子链开始变得足够活跃,可以在外力作用下流动和变形。 熔点高的氟塑脂通常具有(1)更好的耐高温性能,适用于高温环境或需要承受高温的应用场景。(2)更稳定的分子结构和更强的抵抗力,能够抵御外部环境的侵蚀和破坏。 熔点决定了氟塑脂在挤出、注塑、吹塑等成型过程中的操作温度。 如果加工温度低于熔点,氟塑脂将无法充分流动和填充模具;而温度过高则可能导致材料分解或性能下降。 熔体流动速率 - 氟塑脂的流量密码溶体流动速率(Melt Flow Rate,简称MFR)代表了其熔融状态下的流动性,即单位时间内通过标准口模的氟塑脂的质量或体积。 在塑料加工过程中,如挤出、注塑等,氟塑脂需要以熔融状态流动并填充模具。熔体流动速率的高低直接影响了氟塑脂的加工效率和成型质量。速率较高意味着氟塑脂在...
发布时间: 2024 - 03 - 11
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