半导体小讲堂 - 刻蚀机 - 半导体硅片清洗机设备 - 华林科纳（江苏）半导体设备有限公司

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外延片清洗机-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造领域，湿法设备占据约40%以上的工艺，随着工艺技术的不断发展，湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备，如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳（江苏）CSE深入研究LED生产工艺，现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备设备名称华林科纳（江苏）CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封，具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制，功能强大，操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。

旋转式喷镀台-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点，在6＂（150mm）晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成，一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、Ｎ２保护单元组成的阴极回转体，二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下：从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出，采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中，阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决，从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式，可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射，实现搅拌功能，消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构，镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行，可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证，镀液入口采用扇形喷咀式结构，可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。华林科纳（江苏）CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理，由于结构上的特点，该方法经实验验证具有：①结构简单；②工艺参数控制容易；③有利气泡的消除；④镀制均匀性得到提高；⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺，同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统，目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用，产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标：最...

双腔甩干机

发布时间： 2016 - 06 - 22

双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台，可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨，並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統l 控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...

枚叶式清洗机-华林科纳CSE

发布时间： 2016 - 03 - 07

枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳（江苏）半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长：单片式清洗装置的优点（与浸渍.槽式比较）1.晶片表面的微粒数非常少（到25nm可对应）例：附着粒子数…10个/W以下（0.08UM以上粒子）（参考）槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…（例）1%DHF的情况 20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size（根据每个客户可以定制）液体溅射（尘埃强制除去）（推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncas.com），现在热线咨询400-8768-096；18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

自动供酸系统（CDS）-CSE

发布时间： 2016 - 03 - 07

自动供酸系统（CDS）-华林科纳（江苏）CSEChemical Dispense System System 华林科纳（江苏）半导体CSE-CDS自动供酸系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳（江苏）CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化与亲和力。在...

单片清洗机CSE

发布时间： 2018 - 01 - 23

单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳（江苏）CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗（包括光刻板清洗）刻蚀去胶金属剥离等；可处理晶圆尺寸2'-12'；可处理晶圆材料：硅砷化镓磷化铟氮化镓碳化硅铌酸锂钽酸锂等；主要应用领域：集成电路声表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先进封装等设备名称CSE-单片清洗机类型单片式适用领域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量：1L/min/片4、蚀刻均一性良好（SiO₂氧化膜被稀释HF处理）：≤2%5、干燥时间：≤20S6、药液回收率：＞95%单片式优点1、单片处理时间短（相较于槽式清洗机）2、节约成本（药液循环利用，消耗量远低于槽式）3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构，占地面积小更多的单片（枚叶）式清洗相关设备可以关注华林科纳（江苏）半导体官网，关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096，18913575037

氢氟酸HF自动供液系统-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳（江苏）CSEChemical Dispense System System 华林科纳（江苏）半导体CSE-氢氟酸供液系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳（江苏）CSE-氢氟酸（HF）供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化...

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氧化层的去除

在空气中或有氧存在的加热的化学品清洗池中均可产生氧化反应。通常在清洗池中生成的氧化物，尽管很薄(10~20nm)，但其厚度足以阻止晶圆表面在以后的工艺过程中发生正常的化学反应。这一薄层氧化物隔离了晶圆表面与导电的金属层之间的接触。有氧化物的硅片表面具有吸性，而没有氧化物的硅片表面具有憎水性。氢氟之间的接触。酸是去除氧化物的首选酸。在初始氧化之前，当晶圆表面只有硅时，将其放入盛有氢氟酸 (49%)的池中清洗，以去除氧化物。在以后的工艺中，当晶圆表面覆盖着之前生成的氧化物时，用水和氢氟酸的混合溶液可将圆形的孔隙中的薄氧化层去除。这些溶液的强度从 100:1 到 10:(HO:HF)变化。强度的选择取决于晶圆上氧化物的多少，因为水和氢氟酸的溶液既可将晶圆上孔中的氧化物刻蚀掉，又可将表面其余部分的氧化物去除。既要保证将孔中的氧化物去除，同时又不会过分地刻蚀其他的氧化层，就要选择一定的强度。典型的稀释溶液是 1:50 到 1:100。如何处理硅片表面的化学物质一直以来是清洗工艺所面临的挑战。一般地，栅氧化前的清洗用稀释的氢氟酸溶液，并将其作为最后一步化学品的清洗。这叫做HF 结尾。HF 结尾的表面是憎水性的，同时对低量的金属污染是钟化的。然而，憎水性的表面不容易被烘干，经常残留水印。另一个问题是增强了颗粒的附着，而且还会使电镀层脱离表面。多年来...

发布时间: 2023 - 03 - 27

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探秘单片式清洗设备（一）

随着集成电路制造工艺不断进步，半导体器件的体积正变得越来越小，这也导致了非常微小的颗粒也变得足以影响半导体器件的制造和性能，槽式清洗工艺已经不能满足需求，单片式设备可以利用很少的药液达到槽式工艺不能达到的水准，因此单片式刻蚀、清洗设备开始在半导体制造过程中发挥越来越大的作用。↑ 单片式刻蚀清洗在全自动单片清洗设备中，由于大而薄的硅片对夹紧力较为敏感，再加上硅片的翘曲率不同，因此对于硅片的抓取、传输提出了更高的要求。华林科纳研发的全自动单片式清洗设备采用伯努利非接触式抓取，不接触wafer，做到有效的传送，确保不破片。什么是“伯努利原理”？丹尼尔·伯努利，是瑞士物理学家、数学家、医学家，他是伯努利这个数学家族中最杰出的代表。伯努利成功的领域很广，除流体动力学这一主要领域外，还有天文测量、引力、行星的不规则轨道、磁学、海洋、潮汐等。伯努利在1726年首先提出：“在水流或气流里，如果速度小，压强就大；如果速度大，压强就小”。我们称之为“伯努利原理”。↑ 伯努利（Daniel Bernouli,1700～1782）小时候的课堂上，做过这样的小实验。我们拿着两张纸，往两张纸中间吹气，会发现纸不但不会向外飘去，反而会被一种力挤压在了一起。因为两张纸中间的空气被我们吹得流动的速度快，压力就小，而两张纸外面的空气没有流动，压力就大，所以外面力量大的空气就把两张纸“压”在了一起。这就是“伯...

发布时间: 2018 - 10 - 24

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第七课：硅片的超声和兆声清洗技术

随着科学技术的飞速发展，集成度不断提高，器件尺寸不断减小，对硅抛光片的表面质量要求越来越严格。清洗是半导体器件制造过程中最重要的步骤。1、硅片的清洗工艺原理硅片经过切片、倒角、双面研磨、抛光等不同的工序加工后，其表面已受到严重沾污，清洗的目的主要是清除晶片表面的沾污。硅片表面的污染物通常以原子、离子、分子、粒子或膜的形式以物理吸附或化学吸附的方式存在于硅片表面。有以下两种清洗方式：超声波是通过蒸气漩涡来辅助冲洗的。振动在液体中形成极微小的气泡而这些气泡快速地崩溃而产生极微小的擦洗的动作从而除去颗粒。这一现象称为气涡。图1为超声清洗效果。▲ 图1 超声清洗效果兆声波的辅助作用是通过另外一种机理来实现的。依据流体力学，固体表面与液体之间有一个静止或缓慢移动的界面，例如晶片的表面。小的颗粒可被保持在这层界面中而不会接触化学清洗液。兆声波的能量可以消除这一界面，从而使颗粒得以清洗。另外，一种叫做声流的现象使得水或清洗液流过晶片的速度加快，从而提高清洗效率。图2为兆声清洗效果。▲ 图2 兆声清洗效果2、超声清洗技术超声清洗属物理清洗，把清洗液放入槽内，在槽内作用超声波。由于超声波与声波一样是一种疏密的振动波，在传播过程中，介质的压力作交替变化。在负压区域，液体中产生撕裂的力，并形成真空的气泡。当声压达到一定值时，气泡迅速增长，在正压区域气泡由于受到压...

发布时间: 2018 - 09 - 27

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第六课：硅片清洗设备的日常维护

硅片清洗的重要性想必大家是很清楚的，而清洗后硅片表面的各种性能在一定程度上又由清洗设备本身决定，因此，对硅片清洗设备的日常维护就尤为重要。目前，在半导体的生产中广泛使用的为湿式化学清洗方法，在该清洗方法中有大量的化学试剂被使用，具体使用的化学试剂及其主要作用见表1。▼表1常用的化学清洗溶液另外，在半导体材料及器件生产厂家，槽式清洗设备被广泛使用，由于该类清洗设备清洗工位较多，任何一个环节的疏忽，都会导致最终清洗后硅片表面质量不合格，且主要表现为硅片表面颗粒超标和硅片表面金属沾污超标。硅片表面质量的重要参数是颗粒数跟金属沾污，去除颗粒跟金属沾污也是硅片清洗最主要的目的，所以需对清洗设备对颗粒跟金属沾污的去除能力进行监控。如发现硅片表面颗粒跟金属沾污超标，则需进行如下处理：1、将各槽中原液排干，用DI水将槽子冲洗一次，然后将槽中水排尽；2、加入少许（lgallon)DI水，然后加入lgal- lonH2O2，再加入少许DI水，然后加工入lgallonNH4OH，再加DI水至槽满。如果是工艺槽，则让混合液循环2h，否则静置2h；3、将槽中液排尽，用DI水再次冲洗槽子一次，将槽液排尽；4、重新对清洗设备进行测试。具体的操作流程如下：由于对清洗设备的工艺维护在实际的生产中起着举足轻重的作用，故需特别注意。如果发现问题需及时进行解决，直至检测合格为止。也可以咨询本公司进行专业服务。延展阅读★华...

发布时间: 2018 - 09 - 25

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第五课：详解刻蚀清洗机的结构和工作原理

上一期给大家讲解了湿法刻蚀与清洗的基本药液，那湿法刻蚀清洗机的结构和工作原理是什么？今天就带大家瞧一瞧。1、刻蚀清洗设备分类湿法刻蚀清洗机按清洗的结构方式可以分为槽式批量清洗和单片清洗机两种类型。而槽式清洗又可分为半自动清洗和全自动清洗两种机台。2、清洗设备结构组成清洗设备主要由耐腐蚀机架、酸槽、水槽、干燥槽、控制单元、排风单元以及气体和液体管路单元等几大部分构成。其中酸槽和管路单元是清洗设备的主要组成部分。按照材料的差异，槽体可分为用不锈钢材质的生产的槽、用NPP 材质生产的抗腐蚀的槽、用PVDF材质生产的槽、用PTFE材质生产的槽、用石英材质生产的槽等，按照功能的差异槽体又可分为酸碱刻蚀槽、溢流清洗槽、快速排水槽和使晶圆快速干燥的干燥槽等，根据清洗工艺要求的不同，还可以增加腐蚀液的超声及兆声清洗、腐蚀液加热或制冷、搅拌、循环及去离子水加热等清洗功能。▲湿法刻蚀清洗机的组成部分在材料选择上，不锈钢槽主要用于有机溶液或碱性溶液；而石英加热槽主要用于酸性溶液，而且该槽耐高温，一般为二百摄氏度，最高可以达到四百摄氏度；高纯度聚丙烯槽主要用于温度小于八十摄氏度的酸碱溶液；聚氟乙烯槽常常用来承装 BOE 以及氢氟酸，要求温度最高不能高于一百二十摄氏度。聚四氟乙烯槽可用于几乎所有的酸碱以及有机溶液，其耐温小于150摄氏度。在功能选择上， Q...

发布时间: 2018 - 09 - 13

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第四课：详解湿法刻蚀与清洗的基本药液

大家知道湿法刻蚀中清洗时所需的基本药液有哪几种吗？首先是刻蚀液，刻蚀液主要有磷酸、氢氟酸、缓冲刻蚀剂（BOE）、铝刻蚀剂（M2）、硝酸等。1、磷酸刻蚀液磷酸刻蚀液由纯磷酸和去离子水组成，工作温度为 160摄氏度。主要功能是用来刻蚀氮化硅膜及其下面的氧化膜。其对氮化硅膜的刻蚀速率是55A/Min,对氧化膜的刻蚀速率是1.7-10A/Min。该刻蚀液的反应速率主要取决于反应温度和溶液中水的含量。其反应机理如下：Si3N4 + 6H2O --- 3SiO2 + 4NH3（需要用 H3PO4作催化剂）晶圆在磷酸刻蚀液反应槽里反应后必须被传送到热的去离子水槽里进行清洗，否则易受到热应力的破坏而造成破片。2、氢氟酸刻蚀液氢氟酸刻蚀液主要用来刻蚀氧化膜。根据浓度不同可分为CHF、 LHF、 DHF等。CHF 是浓度为 49%的氢氟酸刻蚀液，主要用来刻蚀Poly以及氮化物，其反应速度很快，很难用其来刻蚀掉特定的厚度，因此只能用在过刻蚀的情况。 LHF 是 CHF用水稀释后的产物，其中氢氟和水的比例为50：1。该刻蚀液刻蚀速度稳定，晶圆生产上常用其刻蚀特定厚度的氧化膜。 DHF 是 LHF 进一步稀释后的产物，其中氢氟酸和水的比例为 100：1。由于其浓度较低，所以其刻蚀速率很低，主要用来刻蚀晶圆表面的自然氧化膜。3、缓冲刻蚀剂缓冲刻蚀剂又叫作 BOE(全称 Buffered...

发布时间: 2018 - 09 - 13

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第三课：半导体晶圆自动清洗设备的主要部件的设计

上一期给大家讲解了关于半导体硅片清洗设备及装置，接下来我相信大家也很想了解一下关于，半导体晶圆自动清洗设备的主要部件的设计：晶圆清洗主要去除吸附在晶圆表面的各种杂质粒子，如微粒、有机物、无机金属离子等，使晶圆的表面洁净度达到 ULSI 工艺要求。湿法晶圆清洗的原理是使用各种化学药液与晶圆表面各种杂质粒子发生化学反应，生成溶于水的物质，再用高纯水冲洗，依次去除晶圆表面各杂质。一、加热酸槽设计在半导体清洗工艺中，有些化学试剂在处理晶圆时，对温度有要求，通常，需要进行加热，如SC1、SC2 在 RAC 清洗工艺中就要求温度在 70~80 ℃ 。我们在选择这些加热酸槽材质时，一般选用石英材质。加热酸槽一般由石英槽体、加热器、液位保护装置、温度检测装置、排放装置及电气控制装置等主要部分组成。由于我们所设计的加热器是内置投放式，故对所选加热器的要求比较高，不仅能耐酸，而且还要求能耐高温。我们所选加热器所有的加热丝及其导线都是用 PFA 包裹起来的，而且外包的 PFA 材质十分洁净，不会对酸液有所污染。加热器的加热功率根据槽体的容积选取。由于加热器是置于槽体底部，所以，液位保护装置优为重要。液位保护装置主要用于检测石英槽内是否有酸液，防止加热器在没有酸液的情况下工作而发生危险。温度检测装置主要用于检测石英槽内酸液的温度，将检测的温度信号反馈给温度器，由温控器实现温度控制。...

发布时间: 2018 - 09 - 05

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第二课：四种常用的半导体硅片清洗设备及装置

随着集成电路制程工艺节点越来越先进，对实际制造的几个环节也提出了新要求，清洗环节的重要性日益凸显。清洗的关键性则是由于随着特征尺寸的不断缩小，半导体对杂质含量越来越敏感，而半导体制造中不可避免会引入一些颗粒、有机物、金属和氧化物等污染物。为了减少杂质对芯片良率的影响，实际生产中不仅仅需要提高单次的清洗效率，还需要在几乎所有制程前后都频繁的进行清洗，清洗步骤约占整体步骤的33%。今天《半导体小课堂》带大家细数一下，常用的四种半导体硅片清洗设备及装置：1、浸入式湿法清洗槽湿法化学清洗系统既可以是浸入式的又可以是旋转式的。一般设备主要包括一组湿法化学清洗槽和相应的水槽，另外还可能配有甩干装置。硅片放在一个清洗专用花篮中放人化学槽一段指定的时间，之后取出放人对应的水槽中冲洗。对于清洗设备的设计来说，材料的选择至关重要。使用时根据化学液的浓度、酸碱度、使用温度等条件选择相应的槽体材料。从材质上来说一般有NPP、PVDF、PrFE、石英玻璃等。例如：PVDF、IyIFE、石英玻璃等一般用在需加热的强酸强碱清洗，其中石英玻璃不能用在HF清洗中，NPP一般用在常温下的弱酸弱碱清洗。而常温化学槽，一般为NPP材料。▲图1 石英加热槽槽内溶液可加热到180℃甚至更高，它一般由石英内槽、保温层、塑料(PP)外槽组成。石英槽加热可以通过粘贴加热膜或者直接在石英玻璃上涂敷加热材料实现。石英槽内需...

发布时间: 2018 - 09 - 04

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第一课：半导体制造工艺中的主要设备及材料大盘点

半导体设备和材料处于产业链的上游，是推动技术进步的关键环节。半导体设备和材料应用于集成电路、LED等多个领域，其中以集成电路的占比和技术难度最高。一、半导体制造工艺流程及其需要的设备和材料半导体产品的加工过程主要包括晶圆制造（前道，Front-End）和封装（后道，Back-End）测试，随着先进封装技术的渗透，出现介于晶圆制造和封装之间的加工环节，称为中道（Middle-End）。由于半导体产品的加工工序多，所以在制造过程中需要大量的半导体设备和材料。在这里，我们以最为复杂的晶圆制造（前道）和传统封装（后道）工艺为例，说明制造过程的所需要的设备和材料。▲集成电路产业链晶圆生产线可以分成7个独立的生产区域：扩散（Thermal Process）、光刻（Photo- lithography）、刻蚀（Etch）、离子注入（Ion Implant）、薄膜生长（Dielectric Deposition）、抛光（CMP）、金属化（Metalization）。这7个主要的生产区和相关步骤以及测量等都是晶圆洁净厂房进行的。在这几个生产区都放置有若干种半导体设备，满足不同的需要。例如在光刻区，除了光刻机之外，还会有配套的涂胶/显影和测量设备。▲先进封装技术及中道（Middle-End）技术▲IC晶圆制造流程图二、IC晶圆生产线的7个主要生产区域及所需设备和材料▲传统封装工艺流程传统封装（后道）测...

发布时间: 2018 - 09 - 04

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华林科纳甩干机干燥视频

华林科纳清洗机视频，可点击全屏观看，查看甩干机介绍。

发布时间: 2019 - 08 - 16

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