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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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砷化镓制作工艺

时间: 2021-04-08
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砷化镓的制造工艺:

1.主动层的形成:

由于目前砷化稼器件市场定位以高性能特性取胜,因此器件皆以异质接面方式成长为主,以求达到最佳的器件功能,目前器件以理及为市场主流,主要都是以磊晶成长方式完成。在磊晶方面,由于砷化稼器件特性取决于磊晶层的品质的好坏,所以需要成长出品质非常好的磊晶层,才能得到良好的器件特性。而要成长出良好的砷化稼磊晶品质,目前最普遍的是以或等方式成长,因为这些方式可以精准的控制磊晶纯度、厚度、掺杂浓度、元素成分,且有平整的薄膜表面,及良好的异质接面特性,并且有效的降低缺陷集成度。而硅制造工艺目前主要以离子布植形成主动层,即使是有磊晶成长,皆是以为主,并无精确控制其接口成分的必要性。另外目前新兴以硅锗材料为主的制造工艺,其磊晶成长主要以技术为主,成长时需在工艺技术中使用选择性成长方式以便与技术集成,因此并无像砷化稼磊晶一般有专业代工厂成长磊晶层。

2.微影制造工艺:

砷化稼制造工艺中有干式蚀刻和湿式蚀刻,其中湿式蚀刻应用在一些砷化稼材料本身的蚀刻上,为制造工艺上极为关键的步骤。砷化稼湿式蚀刻基本上有非等方向的本质,其使用的蚀刻化学溶液和硅制造工艺不同,如硅是使用硝酸与氢氟酸的混合溶液来进行蚀刻,而砷化稼可以用磷酸、双氧水与水的混合溶液蚀刻。比较特别的是,由于砷化稼为二元化合物,在不同面蚀刻后形状会不一样,随着不同平面、不同方向、不同溶液侵蚀,蚀刻后的形状可能为字型,亦可能为底切形状。不同形状对金属导线连接会有影响,例如跨平台端的导线是底切那面的话,就会发生断线问题,另外不同的蚀刻后平面形状对器件的电性也会有影响,所以在光罩金属线路设计上,需要特别注意蚀刻的非等方向性。在干式蚀刻方面,一般硅在制造过程中会蚀刻材料层硅、氧化层、介电层和金属等材料,而砷化稼器件制造工艺中的干式蚀刻主要是以一族半导体材料、介电层和光阻等为主,一般金属并不以干式侵蚀。而使用的机台和硅制造工艺类似,通常普遍使用的设备为活性离子反应器,和感应祸合式电浆蚀刻机,,蚀刻不同材料时所用的反应气体不同,如硅制造工艺中要蚀刻硅或是二氧化硅时,使用四氟化碳凡和氧气,而砷化稼制造工艺中蚀刻砷化稼使用三氯化硼或六氟化硫凡等,蚀刻光阻则使用氧气电浆其中孔洞一蚀刻及氮化稼材料蚀刻时需要较高的蚀刻速率,通常以蚀刻为主。在一般微影制造工艺方面,砷化稼也有很多和硅制造工艺不同的地方,目前砷化稼代工以英寸及英寸较多,大部分工艺技术是使用步进机来曝光形成高分辨率的图案,而有少数几层制造工艺,如的巧微米以下的门极制造工艺,是使用电子束微影工艺技术,此外半导体后段背面处理工艺技术,则是使用接触式曝光机助完成。在光源方面,目前砷化稼是使用一的灯源,而在硅厂商中小线宽工艺技术使用的深紫外线光源,由于目前造价昂贵,且砷化稼小线宽需求量不是很大,因此一般砷化稼厂商很少使用此光源。在半导体载具方面,目前硅基板最大尺寸为英寸,而砷化稼最大只有英寸,且由于砷化稼半导体较硅半导体易碎,所以机台在自动置人砷化稼半导体时,移动速度需要较慢,才不会导致砷化稼芯片碎裂,因此虽然砷化稼使用的一步进机大致与硅使用者相同,机台的载具仍需经过特殊改装。由于砷化镶目前只有英寸厂,因此步进机大半都是选购硅英寸厂旧机器改装。在光学微影部分,最特别的是砷化稼器件中的门极金属,基于器件功能要求线宽须小于微米,同时需形成型门极以降低电阻,所以需要用到电子束一微影技术。电子束微影系统的优点在于可以曝出非常精准、高分辨率及尺寸很小的线宽,约小于巧微米,同时重复性及正品率皆高,但是缺点为机台造价昂贵且量产速度较慢。由于砷化稼目前只有这一道门极制造工艺需要用到电子束微影系统,所以较不会影响到产能。在电子束微影光阻选择方面,一般是使用系列,通常需使用多层光阻制造工艺,以达到小线宽、型门极、掀离。

砷化稼制造工艺中有干式蚀刻和湿式蚀刻,其中湿式蚀刻应用在一些砷化稼材料本身的蚀刻上,为制造工艺上极为关键的步骤。砷化稼湿式蚀刻基本上有非等方向的本质,其使用的蚀刻化学溶液和硅制造工艺不同,如硅是使用硝酸与氢氟酸的混合溶液来进行蚀刻,而砷化稼可以用磷酸、双氧水与水的混合溶液蚀刻。比较特别的是,由于砷化稼为二元化合物,在不同面蚀刻后形状会不一样,随着不同平面、不同方向、不同溶液侵蚀,蚀刻后的形状可能为字型,亦可能为底切形状。不同形状对金属导线连接会有影响,例如跨平台端的导线是底切那面的话,就会发生断线问题,另外不同的蚀刻后平面形状对器件的电性也会有影响,所以在光罩金属线路设计上,需要特别注意蚀刻的非等方向性。在干式蚀刻方面,一般硅在制造过程中会蚀刻材料层硅、氧化层、介电层和金属等材料,而砷化稼器件制造工艺中的干式蚀刻主要是以一族半导体材料、介电层和光阻等为主,一般金属并不以干式侵蚀。而使用的机台和硅制造工艺类似,通常普遍使用的设备为活性离子反应器,和感应祸合式电浆蚀刻机,,蚀刻不同材料时所用的反应气体不同,如硅制造工艺中要蚀刻硅或是二氧化硅时,使用四氟化碳凡和氧气,而砷化稼制造工艺中蚀刻砷化稼使用三氯化硼或六氟化硫凡等,蚀刻光阻则使用氧气电浆其中孔洞一蚀刻及氮化稼材料蚀刻时需要较高的蚀刻速率,通常以蚀刻为主。在砷化稼和器件制造工艺中,需要有门极蚀刻工艺技术,可以减少门极和源极间电阻,并且增加器操作时的崩溃电压,但此制造工艺需要准确的控制蚀刻深度及蚀刻后表面的平整度,临界电压才会平均,也不会有表面状态而造成漏电流及电流无法截止的状况,硅并没有此门极蚀刻制造工艺。此制造工艺目前可使用干式和湿式蚀刻的方式来蚀刻门极,湿式蚀刻不会造成表面材料的伤害,但是整片蚀刻深度不均匀,且再现性较差、较不稳定,目前解决办法可以在中间多成长一层蚀刻停止层,可以有效的控制蚀均匀刻深度。而干式蚀刻虽有较佳的选择性侵蚀,可以均匀的控制蚀刻深度,并且再现性较高,但是有可能造成表面的伤害和污染,目前可以在干式蚀刻加溶液稍湿式蚀刻,以减少表面伤害,并得较佳的侵蚀均匀度。而砷化稼器件中,对表面状态较不敏感的低噪声放大器,可以使用干式蚀刻来蚀刻门极,因为器件信道层在磊晶层内,对表面状态较不影响,而用在高功率的,对器件表面状态较敏感,所以必须使用湿式蚀刻。

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