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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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CAD工艺及设备技术

时间: 2021-04-09
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铬和钒的掺杂

含铬和钒的硬质合金有很高的硬度及一定的韧性,其热膨胀系数接近钢。使用这些材料沉积扩散涂层可获得非常好的结合力。工业CAD工艺在中温下,在油淬的碳钢制零部件上沉积硬质涂层,某些情况下会产生不一致的结合力。通过含cr或V的扩散过渡层,工艺和结合力可得到很好的控制。图1展示了结合力较差的涂层(见图la)和通过Cr扩散涂层获得的结合力较好的涂层(见图1b)。

CAD工艺及设备技术 

这些复合涂层的实现需要额外的前驱物质及设施用于沉积工艺。在上例中,需要额外的发生器来产生挥发性的含Cr化合物——C尤l。口1。在此发生

器中,不同的金属(粒状或碎屑状)与氯气或氯化氢进行反应。而此发生器的使用不应将最终的cr或V残留物带人到后序的涂层中(如氧化铝)。使用带内部金属氯化物发生器的同一CAD设备,可沉积带掺杂的CAD涂层,通过加入一定量的一种或几种合金(如铬、钒、钨或铊)来改善TiN,TiC或Ti(C,N)涂层性能。形成的涂层一般为(Til0Q“一。cr。V6w。)C,N,O:,其中戈+y+z=1,其机械性能(如硬度及韧性)与TiN,TiC和Ti(C,N)类似,但由于合金元素的存在,其抗腐蚀性能也得到改善。

3硼的添加

从早期的研究p1可知,在中温Ti(C,N)中添加硼可改变Ti(C,N)典型的柱状结构,获得相当高的硬度。在实际应用中,由于其较高的内部应力及脆性,这种涂层仅限于非常薄的涂层。因此,通过改变多层CAD涂层的结构,从微米级到纳米级,从而改善涂层性能的研究已经展开。在短暂时间内实现精确控制三氯化硼的流量可获得此纳米涂层。单一涂层厚度从30nm到60nm的可重复多层涂层已经可进行沉积,在保持纳米结构情况下,总涂层厚度最高可达到101xm。CAD沉积的纳米涂层SEM扫描电镜照片见图2。沉积非常厚的涂层时,通常晶粒会变得粗大,表面会变得粗糙。这会降低刀具的使用寿命,涂层后抛光处理成本会有所增加。通过掺杂硼来改变结构,可获得非常光滑和光亮的表面。图3和图4展示了单纯沉积MT.TiCN涂层和通过改变多层涂层结构而改进结构和表面形貌的对比。

CAD工艺及设备技术 

CAD工艺及设备技术 

4氧化铝涂层

高温改性氧化铝应该是防护涂层中应用最成功的抗氧化材料。常见的应用是在硬质合金切削刀片上的氧化铝涂层。不同金属基体材料和真正陶瓷涂层之间良好的结合力仅能通过使用过渡层来获得,此过渡层可实现以下功能:(1)补偿氧化铝(7—8术10—61/℃)和铁素体钢和马氏体钢(12%10—61/%)之间不同的热膨胀;(2)保护金属基体在沉积过程中被HCI和氧腐蚀;(3)避免因催化剂加强的金属反应f如co,Ni)而造成的不可控的须状氧化铝过度生长j催化效应在实际应用中至关重要。含高co和

Cr的合金可用作医疗植入部件材料,这些合金展示了良好的生物兼容性和高机械强度,但是,摩擦性能并不理想,微小的磨损毛刺会产生有害的金属离子。另一方面,块状氧化铝植入件已在医疗领域广泛应用,但在抗冲击强度和复杂外形成形方面仍有一定的局限性。在Ti(C,N)和常规氧化铝涂层沉积过渡层可获得较好的机械性能和涂层表面形貌,但Ti(C,N).A1,0,过渡层易于结合失效。如图6所示,可重复生产的涂层仅能在齿状过渡层上获得,齿状过渡层能增大内部扩散面积并作为诸如机械互锁增加结合力[4。

CAD工艺及设备技术 

相对于上述涂层系统,一些难熔合金(如铌、钽)能直接在其表面沉积氧化铝硬质涂层(见图7)。这为在含钛过渡层为最薄弱环节的抗氧化性高温应用领域开启了新的应用。和硬质合金刀片的氧化铝涂层类似,此类涂层也需要对表面进行一定的特殊改性来获得理想的氧化铝结构(d或K)。

CAD工艺及设备技术 

设备要求及工艺控制

当有合适的工业涂层设备时,上述所有工艺才能实现成功稳定的生产。总之设备的使用者要求:(1)每炉保持相同的质量(可重复性);()同一炉

内涂层厚度和性能的均匀性;(3)可灵活沉积多层涂层,包括多层涂层、掺杂涂层、梯度涂层、高温下气相的监控;(4)操作无问题,维护简单;(5)严格符合安全、健康及环保要求。针对化学和热处理工艺过程,CAD设备设计的关键因素如下:

物质平衡:热动力学决定了反应发生的条件。不同的涂层工艺,需要有一定量的前驱物。显然,在一个有数平方米表面的大型成型模具上涂层和在一个有数平方米内表面的过滤器上涂层是不同的。前驱物,室温下的液体可使用现代化的液体质量流量计而达到几乎无限的体积量。特别是低气相压的氯化物

不仅需要较高的反应器温度,而且必须工作在可控负压下以获得足够高的金属氯化物浓度(见图8)。

CAD工艺及设备技术 

进入系统的前驱物数量也决定了副产品的量或过多的前驱物。传质可控CAD反应会与过多的前驱物一同工作以便在整个反应器内维持理想的涂层均匀性。这会产生废物管理,即副产品的处理,应不致使下游的泵系统和压力调节装置堵塞。通常的方式是使用高效的冷凝捕捉器(见图9)。

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动力学:确保整个反应器内涂层均匀性的最有效方法是改变停留时间(即物质经过经加热的沉积区的停留时间)。例如,短的停留时间可通过缩短反应器内距离实现,如带中央旋转进气系统在管状反应器内,其停留时间可缩短5个因子。或在低压下进行沉积工艺,不同的真空系统,停留时间可减少10—1000个因子。低压的额外优点是气体分子的自由程在低压下会增加,从而可提高盲孔和小开孔内涂层的均匀性以及更复杂刀具形状涂层的能力。热平衡:温度的均匀性也非常重要。反应器和需要涂层的零件的控制温度通常是已知和可控的,主要的影响是工艺气体的温度很难测量。

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