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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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金属的电镀

时间: 2021-08-23
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金属的电镀

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某些金属的电镀

本章专门讨论某些金属的电镀,由于其特殊的性质,这些金属经常用于微电子学或微观力学。对于每种金属,解释了可能的电解质以及电解质和电极中相应的电化学过程。

 

镀金

应用领域

由于其非常高的耐腐蚀性、良好的导电性、低接触电阻以及金的良好可焊性,金涂层在电子和电气工程中得到广泛应用。几个100纳米的典型层厚度(例如。作为焊接辅助)到一些微米被用作腐蚀保护。

金的碱性氰化物沉积

这里的电解质是基于剧毒的二氰基尿酸钾(I) = K[Au(CN)2]。该溶液含有约68%的金,在水溶液中以钾离子和[金(CN)2]离子解离。后者迁移到阳极并在那里离解成金+和(CN)离子。金离子迁移回阴极,在那里被中和并沉积在阴极上。

使用的阳极是可溶性金或金铜电极,或不溶性镀铂钛电极。

 

金的中性氰化物沉积

这种电解质也基于二氰基尿酸钾,但不含任何游离氰化物(无游离(CN)离子)。不溶性镀铂钛电极用作阳极。

 

金的酸性氰化物沉积

这里,二氰基尿酸钾也是电解液中的金源,电解液中还含有钴或镍以及柠檬酸。结果,可以获得有光泽的金层,该金层由于其相对大比例的有机成分而相对较硬,并且具有低延展性。阳极使用不溶性镀铂钛或不锈钢。

 

金的强酸性氰化物沉积

为此,在强酸性溶液中也稳定的三价四氰基尿酸钾(III) = K [Au(CN)4]形成电解质的金属供应。此外,加入无机酸如硫酸或磷酸。

 

用亚硫酸金无氰沉积金

代替高毒性氰基化合物,电解质基于二硫酸铵(ⅰ)=(NH 4)3[Au(SO 3)2]或二硫酸钠(I) = (Na)3[Au(SO 3)2](碱金属亚硫酸盐)。溶液中的[金(SO3)2]3-离子在阴极附近分解成金+和(SO3)2-离子,金离子在阴极上还原成金并沉积。

除了省去了剧毒的氰化镀液,从亚硫酸盐电解质沉积的金层还具有优异的宏观散射能力(=在电极的电流降解点也具有高沉积速率)和高延展性的优点。

因此,我们的金浴NB SEMIPLATE AU 100是基于亚硫酸盐电解质。

 

光泽的形成

高亮度的沉积金需要光滑的表面和清晰的晶体结构。为此,有必要在金的生长过程中促进核的形成,同时抑制晶体的生长。

根据电解质的不同,通过添加元素如砷、铊、硒和铅以及乙二胺来满足这一要求,这些元素通过直接在金沉积位置进行局部选择性钝化或化学缓冲来控制微晶的生长。

 

镀镍

硫酸镍镀镍

主要的金属供应商是六水合硫酸镍,分子式为硫酸镍(H 2O)6,或七水合硫酸镍(NiSO 4 (H 2O)7)。六水合氯化镍=二氯化镍(H 2O)6用于提高阳极溶解度以及导电盐,以增加电解质的电导率。硼酸(H3BO 3)作为化学缓冲剂来保持酸碱度。

硫酸镍在水溶液中分解成Ni2+和(SO4)2-离子。Ni2+离子在阴极上被还原成镍,镍在阴极上沉积成金属涂层。硫酸根离子迁移到铜阳极,并在那里形成新的硫酸铜,通过消耗阳极溶解在溶液中。

 

氯化物电解液中镍的沉积

(即。不含硫酸镍)氯化物电解质由作为金属提供者和导电盐的二氯化镍(H 2O)6和作为化学缓冲剂的硼酸组成。

与硫酸镍电解液相比,氯化镍电解液具有更高的电导率,因此可以用更低的电能进行沉积。然而,氯化镍浴比硫酸镍浴更贵,腐蚀性更强。

 

氨基磺酸镍沉积镍

这种电解液的主要金属供应商是氨基磺酸镍4-水合物,分子式为Ni(SO3NH 2)2 (H 2O)4,氯化镍= NiCl2以提高阳极溶解度,硼酸(H3BO 3)作为化学缓冲剂以保持pH值。

氨基磺酸镍在水溶液中分解成Ni2+和(SO3NH 2)离子。Ni2+离子在阴极上被还原成镍,镍在阴极上沉积成金属涂层。硫酸根离子迁移到镍阳极,并通过消耗阳极在那里形成新的氨基磺酸镍。

氨基磺酸镍在水中具有非常高的溶解度,因此可以制备具有高电流密度和沉积速率的富含金属的镀液,尽管如此,该镀液仍获得具有良好机械性能的镍层。当同时需要厚且无应力的层时,特别推荐使用氨基磺酸镍基电解质。沉积的镍层具有很好的延展性,并提供良好的抗磨损和抗腐蚀保护。

由于这个原因,我们的镍浴NB SEMIPLATE AU 100是基于氨基磺酸镍基电解质。

 

闪亮镍膜的先决条件

哪种表面性质导致光亮(镍)表面对于镍来说还没有完全了解,即使非常光滑的非晶态结构起着重要作用。

一方面,单晶表面需要高成核密度,另一方面,抑制这些核向更大微晶的生长。

 

增白剂(主要增白剂)

诸如磺酰胺、磺酰胺和磺酸之类的添加剂引起生长中的镍层的晶粒回复,该镍层通常具有高延展性。

增亮剂和流平剂(辅助增亮剂)

作为添加剂的增亮剂和整平剂能使表层有光泽,尽管延展性较差。

 

镀锡

用硫酸锡沉积锡

这里电解质溶液由硫酸锡(ll)-硫酸盐组成。硫酸锡在水溶液中分解成Sn2+和(SO4)2-离子。Sn2+离子在阴极上被还原成锡,锡在阴极上沉积成金属涂层。硫酸根离子迁移到锡阳极,并在那里形成新的硫酸锡,通过消耗阳极溶解在溶液中。

锡与锡(ll)-甲烷硫酸盐的沉积这里的电解质由甲磺酸(CH3SO 3H)及其盐,锡(ll)-甲烷磺酸盐组成。这种盐在水溶液中离解成Sn2 +和(CH3SO 3)-离子。Sn2+离子在阴极上被还原成锡,锡在阴极上沉积成金属涂层。甲烷硫酸盐离子迁移到锡阳极,并在那里形成新的锡(ll)-甲烷硫酸盐,通过消耗阳极溶解在溶液中。我们的锡电解液NB SEMIPLATE SN 100是基于锡(ll)-甲烷磺酸盐和甲磺酸。

 

镀铜

应用领域

在电子技术中,电化学镀铜被用于制造印刷电路板和直通连接。

铜的碱性氰化沉积

在这种情况下,金属载体是氰化铜(ⅰ),它不溶于水,但溶于氯化钠或KCN的水溶液,通过氰化铜+ 2氯化钠→Na2[铜(CN)3]形成可溶性氰化物络合物。沉积的铜层显示出非常好的粘合强度。

 

铜的硫酸(酸性)沉积

作为剧毒铜(ⅰ)氰化物的替代物,用于硫酸基沉积的电解液由溶解在稀硫酸中的硫酸铜组成。硫酸铜在水溶液中的Cu2+和(SO4)2-离子中离解。Cu2+离子在阴极上被还原成铜,铜在阴极上沉积成金属涂层。硫酸根离子迁移到铜阳极,并在那里形成新的硫酸铜,通过消耗阳极溶解在溶液中。

硫酸不仅有助于提高电解质的导电性,而且是连贯、均匀的层沉积的先决条件。

我们的镍浴NB SEMIPLATE CU 100由溶解在稀硫酸中的硫酸铜制成。

银的电镀沉积

应用领域

(微型)电子学中,使用银层是因为它们良好的电性能:在所有金属中,银的导电性最高。

 

银的氰化沉积

由于氰化银几乎不溶于水,氰化钾(KCN)被添加到电解液中,增加了游离氰化物的浓度。根据游离氰化物的浓度,可溶性氰化物络合物二氰基甲酸酯=[银(CN)2]-,三氰基甲酸酯=[银(CN)3]2-和四氰基甲酸酯=[银(CN)4]3-的平衡浓度可以调节。

 

银的无氰沉积

作为剧毒氰化银的替代物,一系列毒性较小或无毒的络合剂,例如碘化物、亚硫酸盐、乙二胺或硫脲。


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