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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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金属的湿化学刻蚀

时间: 2021-08-23
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金属的湿化学刻蚀

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在微电子和机械元件中,各种金属因其各自的电、光、化学或机械特性而被使用。铝、铬、金和铜等元素也可以是湿化学结构,它们特别常见。

本章描述了用不同的蚀刻混合物蚀刻这些金属的具体方法,以及用于蚀刻的抗蚀剂掩模的处理方法。本章中所有标有星号(*)的物质是指最后一节中列出的相应物质的常用浓度。

 

的蚀刻

铝的性能及应用领域

铝的密度为2.7 g/cm3,因此属于轻金属。其晶体结构为立方面心型。由于铝的高导电性,它被用作微电子学中的导体,在微电子学中,铝经常与铜形成合金以防止电迁移,或者与硅形成合金以防止(消耗硅的)铝硅合金的形成。

标准电位为-1.66伏,铝不属于贵金属。然而,非常薄(几纳米)的Al2O 3膜的形成使得它在许多物质中非常惰性。

铝蚀刻剂

典型的铝蚀刻剂包含1 - 5 %的硝酸*(用于铝氧化)、65 - 80 %的H3PO 4*用于蚀刻天然氧化铝以及由硝酸、乙酸稳定地新形成的氧化物,以改善蚀刻溶液对衬底的润湿,以及用于硝酸和水的缓冲,以在给定温度下调节蚀刻速率。

铝也可以用碱性液体蚀刻,例如。用稀释的氢氧化钠或氢氧化钾。然而,光致抗蚀剂掩模不适合这种情况,因为相应的高酸碱度会在短时间内溶解抗蚀剂膜层,或者在交联负性抗蚀剂的情况下会将其剥离。

铝蚀刻的均匀性 

例如,当使用磷酸作为典型铝蚀刻混合物的成分,溶解铝表面存在的几纳米厚的天然氧化铝膜时,实际的铝蚀刻开始。因此,光致抗蚀剂处理也影响后续的铝蚀刻步骤:

铝蚀刻开始,因此蚀刻深度或时间不同

蚀刻反应中氢的形成对于均匀的蚀刻结果也是有问题的。不断产生的H2气泡粘附在表面,并通过抑制新鲜蚀刻介质的供应来阻止蚀刻过程。在这种情况下,通过短暂浸入水中,至少暂时去除H2气泡,有助于多次中断蚀刻过程。

兼容性和选择性

我们所有的光致抗蚀剂在H3PO 4/HNO 3基蚀刻混合物中足够稳定,可以用作抗蚀剂掩模,至少在足够的硬烘焙之后。

基于H3PO 4/HNO 3混合物的铝蚀刻的蚀刻速率强烈依赖于温度,并且每升高几度,蚀刻速率就增加一倍。仅含百分之几硅的铝合金具有与纯铝相似的腐蚀速率。

这种铝蚀刻剂对铜的蚀刻比铝大得多,对镍的蚀刻相对较弱。钛、铬和银没有明显的蚀刻,贵金属如金、铂根本没有蚀刻。

 

铬的蚀刻

铬的性能及应用领域

铬由于其高硬度和对许多材料的良好粘附性,被用于生产光掩模的微结构领域以及随后应用的金属薄膜的增粘剂。

铬蚀刻剂

铬蚀刻剂通常基于硝酸铈铵(NH4)2[Ce(NO 3)6]和高氯酸(HClO 4)作为任选的添加剂。高氯酸在水溶液(PKS值<-8)中几乎完全分解为一种极强的酸,并作为一种强氧化剂用于稳定硝酸铈铵。硝酸铈铵本身是一种非常强的氧化剂。硝酸铈铵和高氯酸腐蚀铬的总公式为

金属的湿化学刻蚀 3(NH4)2Ce(NO3)6+Cr/Cr(NO3)3+3(NH4)2Ce(NO3)5

根据该方法,铈从氧化阶段ⅳ被还原为ⅲ,铬被氧化为氧化阶段ⅲ。硝酸铬在蚀刻过程中会在铬层上形成一层黑色的、不断形成的新层,它非常易溶于水,因此也非常易溶于铬酸盐蚀刻剂。

兼容性和选择性

我们所有的光刻胶在用作光刻胶掩模的硝酸铈铵和高氯酸基蚀刻混合物中都足够稳定。

铜、银和钒被这种蚀刻混合物强烈蚀刻。铝、钛、钨和镍仅经历微弱的蚀刻。贵金属金、铂和钯不被蚀刻。经验表明,当铜与铬(电)接触时,铬的蚀刻速率会大大降低。

 

金的蚀刻

金的性质及应用领域

金是一种密度非常高的金属,为19.3克/立方厘米,其晶体结构为立方面心型。标准电位+1.5,金属于贵金属。电子构型[Xe] 4f145 d106 s1强烈阻止了金的氧化:完全占据的5 d轨道延伸到单价电子之外,从而很好地屏蔽了任何反应伙伴。

因此,金的湿法化学蚀刻需要强氧化剂来分离未配对的价电子,还需要络合剂来抑制氧化的金原子重新组装回晶体中。

凭借这种对大多数酸和碱的高化学稳定性,金在微电子学中被用作电触点或其保护材料。

盐酸/HNO 3浸金

硝酸和盐酸的混合物(混合比例为1 : 3,也称为王水)能够在室温下蚀刻黄金。这种混合物非常强的氧化作用源于亚硝酰氯(NOCl)通过硝酸+ 3 HCl → NOCl + 2 Cl + 2 H2O的反应形成,而溶液中形成的游离Cl自由基保持贵金属溶解为Cl-络合物(氯金酸= HAuCl4)。王水消耗自身,并在形成氮气和氯气的情况下分解。

王水对金的蚀刻率约为。10微米/分钟(在室温下),在高温下可以增加到几个10微米/分钟。

钯、铝、铜和钼也在室温下用王水蚀刻。为了蚀刻铂或铑,必须加热蚀刻溶液以获得合理的蚀刻速率。铱的蚀刻需要强烈加热(沸腾)的王水。

由于氯化银钝化膜的形成,银不会受到王水的侵蚀。铬、钛、钽、锆、铪和铌也形成非常稳定的钝化膜(在许多情况下是金属氧化物),至少在室温下保护金属免受王水的侵蚀。出于同样的原因,钨在王水中显示出非常慢的蚀刻速率。

碘化钾/碘浸金

金和碘通过2 Au + I2 → 2 AI形成碘化金。通过向溶液中加入碘化钾来提高人工智能的溶解度。碘/碘化物可以被其他卤化物取代,但不能形成可溶性金化合物的氟化物除外。

在混合比KI : I2 : H 2O = 4 g : 1 g : 40 ml下,室温蚀刻速率约为。获得1微米/分钟的黄金。铜显示出相当的蚀刻速率,而镍只有在与金接触时才会被蚀刻。

用氰化物蚀刻金

剧毒氰化钠(氰化钠)或剧毒氰化钾(KCN)的水溶液通过形成可溶性氰基络合物溶解金。该反应需要空气中的氧气,或者通过分解添加到蚀刻溶液中的过氧化氢H2O 2来提供氧气。

除了金,氰化物溶液还会腐蚀银和铜,它们也会形成水溶性氰基络合物。

 

铜蚀刻

铜的性能及应用领域

由于其高导电性和与银相比较低的成本,铜被广泛用作微电子和印刷电路板中的导体材料。由于缺乏通过等离子体蚀刻进行干化学结构化的可能性,因此必须为此目的使用湿化学蚀刻方法,如果必要的话,结合随后的电镀强化。

铜蚀刻

铜被硝酸和饱和的30%三氯化铁溶液蚀刻。NH 4OH和H 2O 2的混合物也会腐蚀铜。

 

镍蚀刻

镍的性能及应用领域

密度为8.9 g/cm3的过渡金属镍是重金属之一。其晶体结构为立方面心型。由于其硬度和高耐化学性,镍涂层被用作表面的防化学和机械腐蚀保护。

镍蚀刻

氧化性酸在镍表面覆盖一层钝化氧化层,防止进一步腐蚀。因此,镍蚀刻混合物需要一种能够溶解最初存在的以及不断形成的氧化物的介质,以及一种氧化剂。

像钛一样,镍可以使用H2O 2(用于镍的氧化)和氟化氢(氧化物的溶解)进行蚀刻。作为氧化剂,可以使用硝酸和盐酸代替氟化氢。30%氯化铁水溶液也能腐蚀镍。

 

银蚀刻

银的性质及应用领域

贵金属银的晶体结构是立方面心立方。银的导电性是所有金属中最高的,在微电子学中用作导体材料,与铜相比,对最大导电性的要求保证了较高的材料成本。

银蚀刻

相应的蚀刻溶液需要一种氧化银的成分,以及另一种溶解氧化银的成分。

除了在“金蚀刻”一节中描述的KI / I2 / H 2O蚀刻溶液外,银也通过NH 4OH * : H 2O 2*:甲醇= 1 : 1 : 4蚀刻。有毒的甲醇不是强制成分,可以省略,但会损失蚀刻均匀性,或者用水代替。银的另一种蚀刻混合物是硝酸∶盐酸∶H2O = 1∶1∶1的水溶液。

 

钛蚀刻

钛的性能及应用领域

在微结构中,钛通常被用作非常坚硬和耐腐蚀的金属,作为基底和沉积在其顶部的金属之间的粘合层。作为硅和铝之间的隔离层,它用作防止硅在铝中扩散的屏障,以防止所谓的“铝尖峰”,其中铝差异进入由所用硅留下的空间,从而可能导致短路。

钛蚀刻

钛在空气中形成非常稳定的氧化层,通过氟化氢进行蚀刻,因此氟化氢通常是钛蚀刻剂的一种成分。H2O 2适合作为第二组分氧化下层。在HF* : H 2O 2* : H 2O = 1 : 1 : 20的混合比例下,钛可以在室温下用大约。1米/分钟。

标准浓度

本章中提及并标有(*)的所有物质的所有浓度数据均指以下基本浓度:

盐酸* = 37 %盐酸在H2O HNO 3* = 70 %硝酸在H 2O H 2SO 4中* = 98 %硫酸在H 2O HF中* = 50 % HF在H2O H 2O 2中* = 30 % H2O 2在H 2O H 3PO 4中* = 85 % H3PO 4在H2O中NH 4OH *  = 29 % NH3 in H 2O   CH 3COOH * = 99 % CH3COOH in H 2


注意:此处包含的信息、建议和意见仅供参考,仅供您考虑,查询和验证,不以任何方式 保证任何材料在特定下的的适用性。华林科纳CSE对以任何形式、任何情况,任可应用、测试或交流使用提供的数据不承担任何法法律表任,此处包含的所有内容不得解释为在任何专利下运营或侵如任何专利的 许可或授权。



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