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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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在HF溶液中蚀刻期间GaAs上的砷形成

时间: 2021-10-30
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在HF溶液中蚀刻期间GaAs上的砷形成

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引言

      到目前为止,GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的残留物的限制,这些残留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此,用显微技术、轮廓术和x光电子能谱研究了氢氟酸对GaAs晶片的腐蚀。发现在蚀刻之后,晶片表面立即被元素碑的棕色层覆盖。该层的厚度和均匀性取决于蚀刻过程中的光照和氟化氢浓度。在存储蚀刻晶片的过程中,碑层被三氧化二碑颗粒代替。结果表明,只有当晶片暴露在空气中的光线下时,才会形成氧化物颗粒。

 

实验

      所有实验均在1 x 1 cm- n型GaAs样品上进行,所有样品均由新的( 100)GaAs晶片制备。每个样品的一角都覆盖有光刻胶,以防止在该位置蚀刻。去除光致抗蚀剂后,蚀刻速率会降低,通过测量样品的掩蔽角和蚀刻部分之间的台阶高度来确定。所有实验都是通过将GaAs样品面朝上放置在容器中,并从储备溶液中加入6毫升水中的氟化氢溶液来进行的。通常使用20%的氟化氢浓度。蚀刻剂是在室温约21℃下使用,在实验过程中不搅拌。

      冲洗样品后,立即用棉签在样品上的三个位置重新移动棕色层,测量沉积物厚度。因为这个厚度是用轮廓仪测量的。这是蚀刻后,样品储存不同的时间在环境条件下(即,当暴露于光和空气中时,以及在室温下),除了将样品保持在无氧条件下(N2净化气氛,氧浓度<5 ppm)和/或在黑暗中的一 一些储存实验。照明由环境光(荧光灯)提供,在GaAs光电二极管上产生0.09毫安/平方厘米的短路电流密度。

      使用MatLab算法分析光学显微照片中的粒子形成。直接的分割. 方法是将图像转换为灰度,然后通过强度(灰度值)的差异将粒子从, 背景中分离出来。然而,这没有考虑背景的不均匀性,例如,如图1a所示,其中中心的背景比图像边缘的背景亮。

 在HF溶液中蚀刻期间GaAs上的砷形成

1 (a)在蚀刻和存储的样本上发现的粒子,以及(b)从图像强度中进去校正后的背景强度后的光学纤维照片

结果和讨论

      在实验中,样品要么在黑暗中蚀刻,要么暴露在环境光下。所有样品的蚀刻速率相当,但观察到蚀刻表面上形成的棕色沉积物存在显著差异。在光照下蚀刻时,会形成一层薄而均匀的层,而在黑暗中蚀刻会产生较厚的不均匀沉积物,表面上有一些裸露的区域,如图2。扫描电镜分析表明,棕色沉积物表面由小丘组成。

 在HF溶液中蚀刻期间GaAs上的砷形成

2 在1 x lcm2 GaAs样品上形成的棕色沉积物的照片,这些样品a)暴露在环境光下;b)在蚀刻过程中保持黑暗;c)扫描电镜照片显示棕色沉积物上的小丘

      考虑到ELO过程中的光照条件(环境光),所有后续样品在蚀刻过程中都暴露在光线下。样品在不同HF浓度的溶液中蚀刻不同的时间,以研究蚀刻速率和沉积层厚度。改变储存条件(光照和暴露在空气中)以确定这些因素对颗粒形成的影响。在图3和4中,GaAs蚀刻深度和沉积物厚度在蚀刻之后,对于三种HF浓度,蚀刻速率是蚀刻时间的函数。这些数据点是针对不同的GaAs样品,即从蚀刻剂中取出的样品没有被再次浸入以进行进一步蚀刻。可以看出,GaAs蚀刻深度增加在时间上是线性的,表示大约16nm/小时的恒定蚀刻速率。 仅观察到蚀刻速率和蚀刻剂中的HF浓度之间的微弱关系。棕色沉积物的厚度随时间增加,但在大约7小时的蚀刻后趋于20-30纳米范围内的恒定值。

 在HF溶液中蚀刻期间GaAs上的砷形成

3 对于三种HF浓度,GaAs蚀刻深度是蚀刻时间的函数

      图6显示了 GaAs样品(a)蚀刻后(当棕色沉积物覆盖表面时)直接拍摄的扫描电镜图像,(b)蚀刻样品储存3小时后和(c)4周后的扫描电镜图像。

GaAs晶圆片污染的表征。我们开发了一种湿法蚀刻程序来清洗晶圆片,以便重复使用。目前的研究表明有两种选择:通过去除元素碑层,可以在蚀刻后(或在黑暗和/或真空中储存后)立即清洗晶片;或者可以在蚀刻后储存晶片,以便形成As2O3颗粒,然后通过溶解它们或在刷子装置中去除它们。

 

结论

      为了在ELO之后开发一种用于晶片的湿法蚀刻清洗程序,研究了在该过程虫形成的污染。在HF溶液中,蚀刻期间出现在GaAs晶片上的棕色层被证明由元素砷组成。砷的形成有两种机制。在黑暗中蚀刻是化学反应,导致砷化氢形成,然后可以分解为元素砷。当GaAs暴露在光线下时,会形成电子-空穴对;这些孔用于阳极蚀刻反应,在表面形成均匀的砷层。在存储蚀刻样品时,沉积的砷层逐渐氧化并形成As203微晶。


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