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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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先进的半导体晶圆清洗技术

时间: 2021-11-15
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先进的半导体晶圆清洗技术

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一直以来,对于粒子的洗涤效果,以去除率(PRE:Particle Removal Efficiency)为指标进行讨论。 通过使用由颗粒测量仪器测量的晶片上的颗粒数量、柱(清洁后)值和初始(清洁前)值来描述PRE。本指标对于讨论洗涤方法之间的差异是有效的,但是为了调查相同洗涤条件下的微粒子去除效果的粒径依赖性,需要在样品上下功夫。我们采用了一种方法,即使用微粒涂覆装置改变粒径,在同一晶片上只涂覆已知量的颗粒。  图1显示了2300 NPT-1器件示意图和在300mm晶圆上涂覆40、60、80、100、200nm的PSL(聚苯乙烯胶乳)颗粒,用SP2测量的结果。 图2显示了使用SURF monitor的同一晶圆的PRE计算方法的概念图。考虑到SP2测量环境和洗涤效率,设定了颗粒直径和颗粒数量(密度)的条件。 此外,虽然这次采用了PSL球,但是该涂覆装置具有可以引入其他颗粒(例如二氧化硅和氮化硅)的优点。

 

双流体清洗

3显示了一个典型的单片双流体清洗的PRE.1氮流量为14L/min.图3所示结果的最大要点是,即使是PSL颗粒,由于容易去除,被认为不适合清洗评价中的强制污染颗粒,随着颗粒直径的减小,PRE也会降低。特别是在60nm以下,PRE会显著降低。

4显示了PRE对40nm和200nm两个PSL粒子的氮流量依赖性。200nm PSL颗粒表现出高PRE而没有极端的流速依赖性。当氮的流速低时,40nm PSL颗粒表现出低PRE,但是当氮的流速高时,可以改善PRE。然而,通常,在双流体清洁的氮气高流速条件下,物理力变大,因此图案损坏的发生概率增加。

5显示的是对35nm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)栅极结构进行损伤评价的结果。如图4所示,在35L/min.的氮条件下,40nm PSL颗粒的PRE得到改善,在晶片的整个表面上检测到图案缺陷。同样,在不能去除40nm PSL颗粒的氮14L/min的条件下,几乎不产生图案缺陷。 结果表明,在保持高PRE的同时有效地物理清洁40nm或更小的细颗粒是非常困难的,而不会引起图案缺陷损坏。

 先进的半导体晶圆清洗技术

4  PRE的N2流量依赖性(40nm/200nm PSL)

 

单张超声波清洗:

为了将超声波清洗应用于下一代精细图案清洗,有必要定量地掌握施加超声波时形成的空化的物理强度,并研究空化本身是否可控。

为了解决从通常使用的器件图案的缺陷存在评估到施加超声波时产生的空化的功率分析的困难。 此外,在使用声诺发光(当液体中的气泡被超声波压碎时发生的光发射)的空化存在评估中,由于原始三维信息被CCD相机等作为二维信息获取,因此不可能分离和分析空化的每个信号。此外,该技术不能直接监测晶片清洗处理期间器件图案形成区域附近的状态。 

11列举了Single及Twin的孔缺陷的数例。 从该SEM照片可以看出,即使在单个孔缺陷的情况下,也存在可以完全看到下面的硅衬底的表面的孔和可以仅看到凹坑形状的中心的下面的表面的孔缺陷。在Twin缺陷中,存在两个孔缺陷在2μm框架内略微分开地形成的情况,以及两个孔作为一个孔缺陷连接的情况。这些孔缺陷被认为是由空化引起的损坏。 如果不减少损坏,则认为不可能实现对其上形成有精细图案的晶片进行抑制图案缺陷的超声波清洁。

为了降低空化功率,我们考虑了将超声波振动器的频率移动到更高的频率。采用高频振动可以降低空化功率,但同时也引起PRE的降低。此外,可以减少栅极损坏的发生,但不可能完全消除。因此,超声波清洗的主要问题是如何避免(远离)形成器件的晶片的最外表面产生空化。。 图12显示的是空化损伤的发生模型。 在该模型中,由空化对晶片造成的损坏由距晶片的空化产生距离决定。空化尺寸最初是由超声振动器的频率唯一确定的尺寸,并且空化的能量由频率确定。

 先进的半导体晶圆清洗技术

12 空化损坏模型

因此,当在晶片正上方发生空化时,在基底晶片上引起强烈的损坏。 相反,当在远离晶片太远的位置处发生空化时,基底晶片不会损坏,但同时不能去除颗粒。考虑到这种空化损伤发生模型,考虑到通过超声波清洗去除下一代器件的颗粒,首先要明确降低微粉化器件的空化功率。此外,认为需要用于在远离形成微制造装置的晶片表面的位置处产生空化的空化控制技术。

 

本文中介绍的清洁过程中的所有问题都是由于器件小型化的进展而需要考虑的新问题。 此外,该问题被认为是一个技术困难程度高的问题,使得仅对现有的清洁工艺配方进行局部优化工作不能克服该问题,以防止对新的器件结构和进一步小型化的器件尺寸的不便(过蚀刻、衬底挖掘等)。因此,为了建立最小尺寸为30 nm或更小的下一代器件的清洁过程,不仅需要传统的经验规则,而且需要引入新的有效参数来理解和控制物理现象的新清洁技术。    

然而,有必要重新考虑原则上是否可以去除大于图案尺寸的颗粒,而不会导致30nm或更小的精细器件图案的缺陷(损坏)。为了实现这一目标,有必要促进对颗粒粘附形式(干法和湿法)的理解,同时建立对晶片(每种基膜)的颗粒粘附力测量技术,并确定是否存在图案无损伤清洁的解决方案。在这种情况下,在没有解决方案的情况下,即使探索先进的洗涤技术也是没有意义的。因此,除了寻找新的清洁技术外,清洁各种工艺(工艺和硬件)以防止颗粒粘附到晶片上,以及开发过滤工艺材料(抗蚀剂,涂膜,化学品等)中颗粒的技术似乎变得越来越重要。


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