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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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MEMS传感器封装线生产

时间: 2021-04-13
点击次数: 41

一、主要生产设备

MEMS传感器封装线生产 

MEMS传感器封装线生产 

二、工艺流程简述

MEMS传感器封装线生产 

工艺流程简述:

(1)清洗

外购的硅片(经过拉单品、切割、研磨等),需先经清洗,除去沾污的硅片表面的金属与油污。清洗的方法是:先用H2S04去除金属杂质,然后用有机溶剂(异丙醇、丙酮)去除油污,再用纯水反复冲洗,以得到洁净的硅片表面。清洗后的硅片用氮气吹干后,送下道工序氧化。清洗工序贯穿于整个生产过程。清洗工艺与LED基片清洗工艺相同。

(2)氧化

氧化工艺是通过氧气与硅发生反应,在硅片表面生成一层二氧化硅膜。原料硅片经清洗吹干后,放入加热反应炉,在高温条件下,与氧气作用,在上面生长一层Si02氧化层,起到器件保护和隔离、表面纯化、栅氧电介质、掺杂阻挡层等作用。

(3)光刻

光刻是集成电路芯片制造的核心工艺,光刻的本质是要把临时电路结构复制到以后要进行蚀刻或离子注入的硅片上。光刻工艺按其先后顺序主要分为气相成底膜、匀胶、软烘、曝光、曝光后烘焙、显影、坚膜烘焙、显影检查这八个步骤,以上步骤都将在光刻区内完成。

清洗后的硅片先在表面均匀涂上一层光刻胶,光刻胶主要由对光与能量非常敏感的高分子聚合物和有机溶剂组成,前者是光刻胶的主体,主要成分为酚醛树脂、丙二醇愁酯等,后者是光刻胶的介质,主要成分为丙酮、丁酮等,由于光刻胶涂层很薄,为了使涂覆的光刻胶层绝对均匀,涂覆的方法是让硅片旋转,使光刻胶在其表面形成薄层。因而大量的光刻胶被离心力带出硅片,这些光刻胶由于纯度已达不能达到工艺要求,因此只能作为废液回收。

为使光刻胶附着在硅片表面,涂覆后要进行烘干,光刻胶中的有机溶剂挥发成为有机废气,而光刻胶中的高分子聚合物和光刻剂等作为涂层牢固地附着在基质表面。

以平行光经过光罩,照射在芯片上,在芯片上形成几何图样,而后显影,用清洗剂将感光的光刻胶去除,使下面的氧化层暴露出来,以使于下一道工序进行蚀刻:而没有感光的光刻胶则不会被清洗下来,从而使下面的氧化层得到保护。

光刻采用异丙醇、双氧水、氨水、氢氟酸作为清洗剂,接着,再坚膜烘焙而完成该部分工作。

(4)蚀刻

蚀刻的目的是将光刻后暴露出的氧化层及不需要的材质自芯片表面上去除,使基质(硅)显露出来。蚀刻包括干蚀刻和湿蚀刻二种。湿蚀刻是在全密团设备的化学清洗槽内利用如氢氟酸、硝酸、磷酸及氨水等化学品溶液浸泡芯片,将不需要的物质除去,如曝光后的光刻胶等。

干蚀刻是在等离子气氛中选择性腐蚀基材的过程,蚀刻气氛通常含有F等离子体或碳等离子体,因此蚀刻气体通常使用CF这一类的气体。

(5)扩散、离子注入

采用热扩散和离子植入技术将磷、珊等杂质掺入硅片内而形成半导体。热扩散是将硅片送入扩散炉管内进行预沉积和再扩散。离子注入是将掺杂的气体(烷、磷烷)先通过加热炉,然后进入离子化室产生正离子,聚焦成束后,再被强电场加速,注入到硅片中。

(6) 化学气相淀积

化学气相沉积是在一定的温度条件下,依靠反应气体与芯片表面处的浓度差,以扩散方式,被芯片表面吸收,在硅片上沉积一层氨化硅、二氧化硅、多晶硅薄膜以及氧化膜、硅的外延层等。在反应器中,反应气体(SiH,SiHC13、PH3)和携带气体(H2、O2、Ar、N0等)不断流过反应室而产生气态副产物,连同未反应的气体一起排出。

化学气相沉积被使用来在硅片上沉积氧化硅、氮化硅和多晶硅等半导体材料,是在300~900℃的温度下通过化学反应产生以上物质的过程。

(7)溅射

溅射是将金属薄膜沉积在品圆表面的工艺过程。在此工艺中,薄膜主要以物理填充而不是化学反应。它是通过给金属靶材加上直流电,并利用磁场作用将把材上的金属激射出去并沉积到芯片表面。

(8)背面减薄

背面减薄是在专门的设备上,从芯片背面进行研磨,将芯片减薄到适合封装的程度,以满足芯片装配的要求。

功率模块生产工艺流程

MEMS传感器封装线生产 

工艺流程简述:

(1)丝网印刷焊膏

丝网印刷即在漏印网版的未开口部位由刮板以一定的压下量和速度刮送浆25

料,刮送的浆料在漏印网版的开口部位被压入填充,刮板传过后,与基板贴近的网版与基板脱离,浆料靠自身的粘结性附着在基板上,形成漏印图形。

(2)回流焊

印刷电路板通过回流焊技术使半导体器件与印刷电路板连接起来。回流焊即通过包镀、成形、印刷、浸渍等方法,预先将适量的焊料置于需要针焊的部位,再利用全自动高速贴装机装载各种表面贴装元器件。在回流焊加热炉中,利用红外线、热风及激光等不同热源使印制电路板整体受热,实现回流焊,完成电子元器件的微互连。

(3)清洗

在回流焊过程中,助焊剂的残留物可能造成腐蚀,另外电离子的残留物,在通电过程中,有电势差的存在会造成电子的移动,就有可能形成短路。因此,需要进行清洗。

(3)贴片

将每一个芯片通过粘接剂固定在带有许多引脚的金属框架中央。粘结剂通常使用银浆树脂。

(4)引线键合

用金属引线将芯片上的电极和外壳框架(条带)的电极连接起来。

引线键合是集成电路制造过程中重要的工序之一,它起着连接前道工序产品“芯片”和后道工序产品“模块”(集成电路外管脚)之间的桥梁作用。引线键合工序有各种形式,世界上目前比较通用的是“超声波热压法”,也就是我们通常所说的“物理法”。项目采用此方法完成该工序。超声波热压法的优点是工艺容易实现,质量高,能耗小,适合大规模集成电路生产。

超声波热压法无焊剂和助焊剂,它是一种仅利用超声波、压力和温度实现的物理方法。超声波、压力、温度又称为超声波热压法的“三元素”。其中超声波的作用主要是破坏芯片键合压点表面的致密氧化层,露出洁净的接触界面,使金属细线在一定的压力和温度情况下与压点接合,整个键合过程无任何排放物产生。

(5)模压塑封

裸露的芯片通过模具,用树脂进行封装,保护其不受外部环境的损害。

(6)打印

在制品表面打印上产品型名及批号等内容。

(7)引脚电镀

为解决功率模块产品管脚的焊接问题,在生产中需要对其管脚进行表面处。

理,工艺包括:电解去溢料、喷淋水系、去氧化、电解活化、上锡、喷淋水洗浸洗、吹干、烘干、退锡等。

(8)引脚成型

切除框架引脚外不用的部分,并将引脚部加工成所需要的形状,到此芯片的制造就完成了。

(9)测试

从测试开始检验产品是否为良品,先通过测试机来检查产品的电特性,必要时还要进行老化测试。

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