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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
新闻中心 新闻资讯

MEMS生产介绍

时间: 2021-04-13
点击次数: 37

一、主要生产设备

MEMS生产介绍 

MEMS生产介绍 

二、工艺流程简述

MEMS生产介绍 

2工艺流程简述

(1)清洗工序简述

在硅晶圆片加工过程中,几乎每一道工艺进行前或完成后都必须要对硅晶圆片清洗以有效去除前一工序造成的污染,做到表面清洁,为下一工序创造条件。在进行前需预清洗的工艺有:氧化、光刻、扩散、化学气相沉积、溅射等。在完成后需后清洗的工艺有:刻蚀、去胶、划片。

芯片清洗是完全清除芯片表面的尘埃颗粒、残留的有机物和吸附在表面的金属离子。

本项目采用物理清洗和化学清洗内种方式,同时也结合使用。物理清洗主要是利用去离子水对残留物的物理冲刷作用来清除表面残留物,主要方式有刷洗、淋洗、高压水喷射流动水浸泡、高温蒸汽、低温喷激以及使用超声波等。化学清洗是利用清洗剂与残留物的化学反应,形成易挥发或易溶解的产物来清除污染物,本项目采用的化学清洗介质有无机酸碱清洗液、有机清洗液。对不同的去除对象,典型方式如下:

去除有机污染物:H2SO4+H2O2(4:1)、酮、异丙醇;

去除微尘和一些金属杂质:NH4OH+H2O2+H2O(1:1:5):

去除氧化膜:HF+H2O(1:50)

去除残留清洗液:纯水、高纯水。

芯片最主要的清洗方式是将芯片浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗,清洗工艺流程示意见图7。

清洗过程中,当高浓度清洗液难以满足使用要求时,作为废液收集处理;低浓度的清洗废水排到废水处理系统;较干净的清洗排水检测回用;部分清洗液挥发以废气形式排到废气处理系统。

 

MEMS生产介绍硅晶圆片清洗工艺示意图

清洗工序污染源:

废气:G1有机废气、G2酸性废气,G3碱性废气。分类收集、处理。

废水:W1含氯废水、W2酸碱废水、W3有机废水、W4研磨废水。其中,有机废水产生于光刻后清洗,湿法去胶后清洗,湿法刻蚀后清洗。分类收集、处理。

废液:S1废酸液,S2废碱液,S3废有机溶剂。分类收集、处置。

(2)沉积、成膜工序简述

本项目沉积成膜分为以下几种工艺,分别为热氧化、气相化学沉积(CVD)、参杂、金属化。工艺介绍如下:

①热氧化

热氧化是一种重要的薄膜制备技术,在硅表面生长二氧化硅膜。二氧化硅膜能够起到器件保护和隔离、表面纯化、栅氧电介质、掺杂阻挡层等作用,通常是硅晶圆片加工的第一层膜和最后一层保护膜,在中间层也多次加工。

成批的原料硅晶圆片经清洗吹干后,放入洁净的石英炉管中,在高温条件下(一般800~1200℃),在常压条件下,将氧化剂如干燥的氧气、纯水水汽,从炉管的一端通入并从另一端排出。晶圆表面的硅与氧化剂在高温条件下发生化学反应,在上面生长出-层SiO2氧化层。

在热氧化工艺中,为了提高SiO2的质量,有时在氧化剂气氛中加入一定数量的氯(即掺氯氧化),使氯与金属杂质反应生成易挥发的金属氯化物而将金属杂质去除。常用的氯源有:氯气、氯化氢等。

热氧化典型反应式如下:

Si+O2→SiO2

Si+2H2O→SiO2+2H2

热氧化(包括掺氯氧化)过程中,大部分反应气体消耗掉,少部分未消耗气体(氧气、水蒸气、氯气、氯化氢等)和反应产生的气态副产物(H2)以工艺尾气的形式排出。热氧化工序污染源:

工艺尾气:由设备附属处理装置(干式化学吸附)处理,主要排放因子为氯气、氯化氢。然后排入G2酸性废气洗涤塔进一步处理。

②气相化学沉积(CVD)

虽然,掺杂的区域和PN结形成电路中的电子有源元件的核心,但是需要各种其他的半导体、绝缘介质和导电层才能形成器件,即在硅晶圆表面增加多层功能材料(薄膜)。化学气相沉积是最常用的薄膜制备方法,不仅应用在前端工艺线的器件制造过程也应用在后端工艺线的金属互联过程中,是金属化(互联)工艺的一种常用方法。化学气相沉积可以制备多种材料层,如二氧化硅薄膜、多晶硅薄膜、氨化硅薄膜以及金屈薄膜(铜、鸽)、硅化钙薄膜、氮化钧薄膜、氮化钛薄膜、金属间互联导电塞等。

化学气相沉积是以适当的流速,将含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸汽引入反应室,在衬底表面发生化学反应并在村底表面淀积薄膜。系统通常包括气态源或液态源、气体输入管道、反应室、加热及控制系统、尾气处理系统等。在反应室中,反应气体(硅烷、六氟化钧、氨气、二氯甲硅烷、四氯化钛等)和携带气体(氨气、氢气、氨气等)不断流过反应室而产生气态副产物,连同未反应的气体一起排出。

化学气相沉积涉及的化学反应主要有:热解反应,氢还原反应、复合还原反应,金属还原反应、氧化反应、水解反应以及生成氮化物的反应等,对应不同的沉积材料,一些典型的化学反应如下:

二氧化硅:SiH4+2N2O→SiO2+2N2+2H2

SiCl4+2CO2+2H2→SiO2+4HC1+2CO

多晶硅:SiH4(吸附)→Si+2H2

氨化硅:3SiH4+4NH3→Si3N4+12H2

3 SiH2CI2+4NH3→Si3N4+6HC1+6H2

钱:WF6+3H2→W+6HF

2WF6+3SiH4→2W+3SiF4+6H2

硅化钧:WF6+2SiH4→WSi2+6HF+H2

氮化钛:6TiCl4+8NH3→6TiN+24HC1+N2

化学气相沉积工序污染源:

工艺尾气:污染因子为未反应完全的硅烷、氨气和反应副产物氟化氢、氯化氢等。

由设备附属处理装置(燃烧淋洗、电热水洗)处理,然后排入G2酸性废气洗涤塔。

③掺杂

掺杂包括扩散和离子注入技术,介绍如下:

扩散是热扩散的简称,是一种掺杂技术,是将一定数量的某种杂质(如磷、棚等)扩散是热扩散的简称,是一种掺杂技术,是将一定数量的某种杂质(如磷、绷等)掺入到硅晶体或其他半导体晶体中,以改变电学特性,实现器件制备的功能指标。扩散通常是在石英炉管中完成的,是在高温条件下(通常800-1100℃),杂质源气体或蒸气(磷烷、三氯化條等)在载气的携带下进入硅晶圆片刻蚀露出的窗口内,与窗口处的硅表面反应释放出杂质原子,并由表面的高浓度区向内部的低浓度区扩散,最终浓度分布趋于均匀。扩散要求很高的洁净程度,杂质源、载气必须是超纯净的,石英管也必须严格清洗。通常杂质源为含有所需掺杂元素的氯化物、澳化物或氢化物。本项目杂质源有磷烷(PH3)、乙棚烷(B2H6)。扩散参杂的典型反应式如下:

2PH3→2P+3H2

2BCl3 2B+3Cl2

4BCl3+3O2→2B2O3+6CI2

扩散也是硅片表面膜制备工艺,通过给包含化学物质的气体注入超高温的热量,利用热能诱发化学物质的重新结合,在硅片表面制备膜。扩散是在高温炉管中完成的(通常800-1100℃C)。所用的原辅材料有:硅烷、二氯甲硅烷、氨气等。

扩散制备膜的典型反应式如下:

SiH4→Si+2H2

SiH4+2O2→SiO2+2H2O

3 SiH2Cl2+4NH3→Si3N4+6HCl+6H2

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