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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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晶圆制造工艺流程

时间: 2021-08-06
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1、表面清洗

2、初次氧化

3、CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层Si3N4 (Hot CVD LPCVD) 

1)常压CVD (Normal Pressure CVD) 

2)低压CVD (Low Pressure CVD) 

3)热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) 

4)电浆增强CVD (Plasma Enhanced CVD) 

5)MOCVD (Metal Organic   CVD) & 分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy) 

6)外延生长法 (LPE) 

4、涂敷光刻胶 

1)光刻胶的涂敷 

2)预烘(pre bake) 

3)曝光

4)显影

5)后烘(post bake) 

6)腐蚀(etching) 

7)光刻胶的去除

5、此处用干法氧化法将氮化硅去除

、离子布植将硼离子(B+3) 透过SiO2 膜注入衬底,形成型阱

7、去除光刻胶,放高温炉中进行退火处理

8、用热磷酸去除氮化硅层,掺杂磷(P+5) 离子,形成型阱

9、退火处理,然后用HF 去除SiO2 

10、干法氧化法生成一层SiO2 层,然后LPCVD 沉积一层氮化硅

11、利用光刻技术和离子刻蚀技术,保留下栅隔离层上面的氮化硅层

12、湿法氧化,生长未有氮化硅保护的SiO2 层,形成PN 之间的隔离区

13热磷酸去除氮化硅,然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2,并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。

14、LPCVD 沉积多晶硅层,然后涂敷光阻进行光刻,以及等离子蚀刻技术,栅极结构,并氧化生成SiO2 保护层。

15、表面涂敷光阻,去除阱区的光阻,注入砷(As) 离子,形成NMOS 的源漏极。用同样的方法,在阱区,注入

离子形成PMOS 的源漏极。

16、利用PECVD 沉积一层无掺杂氧化层,保护元件,并进行退火处理。

17、沉积掺杂硼磷的氧化层

18、濺镀第一层金属

1)薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同,厚度通常小于1um 。

2)真空蒸发法(Evaporation Deposition )

3)溅镀(Sputtering Deposition )

 19、光刻技术定出 VIA 孔洞,沉积第二层金属,并刻蚀出连线结构。然后,用PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。

 20、光刻和离子刻蚀,定出PAD 位置 

21、最后进行退火处理,以保证整个Chip 的完整和连线的连接性  

 

 

晶圆制造总的工艺流程

芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)、测试工序(Initial Test and Final Test)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而构装工序、测试工序为后段(Back End)工序。

 1、晶圆处理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。

 2、晶圆针测工序:经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,即晶粒,一般情况下,为便于测试,提高效率,同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品;但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测(Probe)仪对每个晶粒检测其电气特性,并将不合格的晶粒标上记号后,将晶圆切开,分割成一颗颗单独的晶粒,再按其电气特性分类,装入不同的托盘中,不合格的晶粒则舍弃。

3、构装工序:就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上,并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接,以作为与外界电路板连接之用,最后盖上塑胶盖板,用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片(即我们在电脑里可以看到的那些黑色或

褐色,两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块)。

4、测试工序:芯片制造的最后一道工序为测试,其又可分为一般测试和特殊测试,前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性,如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片,依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数,从相近参数规格、品种中拿出部分芯片,做有针对性的专门测试,看是否能满足客户的特殊需求,以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品

ETCH 

何谓蚀刻(Etch)?  

答:将形成在晶圆表面上的薄膜全部,或特定处所去除至必要厚度的制程。

蚀刻种类

答:(1) 干蚀刻 (2) 湿蚀刻 

蚀刻对象依薄膜种类可分为 

答:poly,oxide, metal 

何谓dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)?  

答:Oxide etch and nitride etch  

半导体中一般介电质材质为何 

答:氧化硅/氮化硅 

何谓湿式蚀刻

答:利用液相的酸液或溶剂将不要的薄膜去除 

何谓电浆Plasma?  

答:电浆是物质的第四状态带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子正离子,负离子,中性分子,活性基及发光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压 

何谓干式蚀刻 

答:利用plasma将不要的薄膜去除 

何谓Under-etching(蚀刻不足)?  

答:系指被蚀刻材料,在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留 

何谓Over-etching(过蚀刻 

答:蚀刻过多造成底层被破坏

何谓Etch rate(蚀刻速率)  

答:单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度 

何谓Seasoning(陈化处理 

答:是在蚀刻室的清净或更换零件后,为要稳定制程条件,使用仿真dummy晶圆进行数次的蚀刻循环。  

Asher的主要用途 

答:光阻去除 

Wet bench dryer 功用为何 

答:将晶圆表面的水份去除 

列举目前Wet bench dry方法 

答:(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry 

何谓Spin Dryer  

答:利用离心力将晶圆表面的水份去除

何谓Maragoni Dryer  

答:利用表面张力将晶圆表面的水份去除 

何谓IPA Vapor Dryer  

答:利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除 

Particle,使用何种测量仪器 

答:Tencor Surfscan  

测蚀刻速率时,使用何者量测仪器

答:膜厚计,测量膜厚差值 

何谓AEI  

答:After Etching Inspection 蚀刻后的检查 

AEI目检Wafer须检查哪些项目 

答:(1) 正面颜色是否异常及刮伤(2) 有无缺角及Particle (3)刻号是否正确 

金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理 

答:清机防止金属污染问题 

金属蚀刻机台asher的功用为何

答:去光阻及防止腐蚀 

金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗 

答:因为金属线会溶于硫酸中 

'Hot Plate'机台是什幺用途 

答:烘烤 

Hot Plate 烘烤温度为何 

答:90~120 度 

何种气体为Poly ETCH主要使用气体 

答:Cl2, HBr, HCl 

用于Al 金属蚀刻的主要气体为  

答:Cl2, BCl3  

用于W金属蚀刻的主要气体为 

答:SF6  

何种气体为oxide vai/contact ETCH主要使用气体 

答:C4F8, C5F8, C4F6  

硫酸槽的化学成份为 

答:H2SO4/H2O2  

AMP槽的化学成份为 

答:NH4OH/H2O2/H2O  

UV curing 是什幺用途 

答:利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度 

'UV curing'用于何种层次?

答:金属层 

何谓EMO?  

答:机台紧急开关

EMO作用为何 

答:当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下 

湿式蚀刻门上贴有那些警示标示 

答:(1) 警告.内部有严重危险.严禁打开此门 (2) 机械手臂危险. 严禁打开此门(3) 化学药剂危险 严禁打开此门

遇化学溶液泄漏时应如何处置 

答:严禁以手去测试漏出之液体 应以酸碱试纸测试并寻找泄漏管路 

IPA 槽着火时应如何处置??  

答:立即关闭IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组 

BOE槽之主成份为何

答:HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵).  

BOE为那三个英文字缩写 

答:Buffered Oxide Etcher  

有毒气体之阀柜(VMB)功用为何 

答:当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出 

电浆的频率一般13.56 MHz,为何不用其它频率 

答:为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如380~420KHz ,13.56MHz,2.54GHz 

何谓ESC(electrical static chuck) 

答:利用静电吸附的原理, 将Wafer 固定在极板(Substrate)  

Asher主要气体为 

答:O2 

Asher机台进行蚀刻最关键之参数为何 

答:温度

简述TURBO PUMP 原理 

答:利用涡轮原理,可将压力抽至10-6TORR 

热交换器(HEAT EXCHANGER)之功用为何? 

答:将热能经由介媒传输,以达到温度控制之目地 

简述BACKSIDE HELIUM COOLING之原理? 

答:藉由氦气之良好之热传导特性,能将芯片上之温度均匀化 

ORIENTER 之用途为何? 

答:搜寻notch使芯片进反应腔的位置都固定可追踪问题 

简述EPD之功用

答:侦测蚀刻终点End point detector利用波长侦测蚀刻终点

何谓MFC 

答:mass flow controler气体流量控制器;用于控制反应气体的流量 

GDP 为何 

答:气体分配盘(gas distribution plate)  

GDP 有何作用? 

答:均匀地将气体分布于芯片上方

何谓isotropic etch?  

答:等向性蚀刻侧壁侧向蚀刻的机率均等 

何谓anisotropic etch?  

答:非等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率少 

何谓etch 选择比

答:不同材质之蚀刻率比值 

何谓AEI CD?  

答:蚀刻后特定图形尺寸之大小,特征尺寸(Critical Dimension)  

何谓CD bias?  

答:蚀刻CD减蚀刻前黄光CD  

简述何谓田口式实验计划法 

答:利用混合变因安排辅以统计归纳分析 

何谓反射功率 

答:蚀刻过程中,所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收端所接受,会有部份值反射掉,此反射之量,称为反射功率 

Load Lock 之功能为何 

答:Wafers经由loadlock后再进出反应腔,确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的影响 

厂务供气系统中何谓Bulk Gas ? 

答:Bulk Gas 为大气中普遍存在之制程气体N2, O2, Ar  

厂务供气系统中何谓Inert Gas? 

答:Inert Gas 为一些特殊无强烈毒性的气体, 如NH3, CF4, CHF3, SF6  

厂务供气系统中何谓Toxic Gas ? 

答:Toxic Gas 为具有强烈危害人体的毒性气体, 如SiH4, Cl2, BCl3  

机台维修时异常告示排及机台控制权应如何处理 

答:将告示牌切至异常且将机台控制权移至维修区以防有人误动作 

冷却器的冷却液为何功用 

答:传导热

Etch之废气有经何种方式处理 

答:利用水循环将废气溶解之后排放至废酸槽 

何谓RPM?  

答:即Remote Power Module,系统总电源箱 

火灾异常处理程序 

答:(1) 立即警告周围人员. (2) 尝试3 秒钟灭火. (3) 按下EMO停止机台. (4) 关闭VMB Valve 并通知厂务

. (5) 撤离 

一氧化碳(CO)侦测器警报异常处理程序 

答:(1) 警告周围人员. (2) 按Pause 键,暂止Run 货. (3) 立即关闭VMB ,并通知厂务. (4) 进行测漏 

高压电击异常处理程序 

答:(1) 确认安全无虑下,按EMO键(2) 确认受伤原因(误触电源漏水等)(3) 处理受伤人员

T/C (传送Transfer Chamber) 之功能为何 

答:提供一个真空环境以利机器手臂在反应腔与晶舟间传送Wafer,节省时间 

机台PM时需佩带面具否

答:是,防毒面具 

机台停滞时间过久run货前需做何动作 

答:Seasoning(陈化处理)

何谓Seasoning(陈化处理 

答:是在蚀刻室的清净或更换零件后,为要稳定制程条件,使用仿真dummy晶圆进行数次的蚀刻循环。 

何谓日常测机 

答:机台日常检点项目以确认机台状况正常 

何谓WAC (Waferless Auto Clean) 

答:无wafer自动干蚀刻清机

何谓Dry Clean  

答:干蚀刻清机 

日常测机量测etch rate之目的何在 

答:因为要蚀刻到多少厚度的film,其中一个重要参数就是蚀刻率

操作酸碱溶液时,应如何做好安全措施 

答:(1)穿戴防酸碱手套围裙安全眼镜或护目镜(2) 操作区备有清水与水管以备不时之需

(3) 操作区备有吸酸棉及隔离带 

如何让chamber达到设定的温度 

答:使用heaterchiller  

Chiller之功能为何 

答:用以帮助稳定chamber温度 

如何在chamber建立真空 

答:(1) 首先确立chamber parts组装完整(2) dry pump作第一阶段的真空建立(3) 当圧力到达100mTD寺再以turbo pump 抽真空至1mT以下 

真空计的功能为何

答:侦测chamber的压力,确保wafer在一定的压力下process 

Transfer module 之robot 功用为何

答:将wafer 传进chamber与传出chamber之用 

何谓MTBC? (mean time between clean)  

答:上一次wet clean 到这次wet clean 所经过的时间 

RF Generator 是否需要定期检验 

答:是需要定期校验;若未校正功率有可能会变化;如此将影响电浆的组成  

为何需要对etch chamber温度做监控 

答:因为温度会影响制程条件;如etching rate/均匀度 

为何需要注意dry pump exhaust presure (pump 出口端的气压)?  

答:因为气压若太大会造成pump 负荷过大;造成pump 跳掉,影响chamber的压力,直接影响到run货品质 

为何要做漏率测试? (Leak rate )  

答:(1) 在PMPUMP Down 1~2小时后;为确保chamber Run 货时无大气进入chambe 影响chamber GAS 成份 (2) 在日常测试时,为确保chamber 内来自大气的泄漏源,故需测漏 

机台发生Alarm时应如何处理 

答:(1) 若为火警,立即圧下EMO(紧急按钮),并灭火且通知相关人员与主管(2) 若是一般异常,请先检查alarm 讯息再判定异常原因,而解决问题若未能处理应立即通知主要负责人

蚀刻机台废气排放分为那几类 

答:一般无毒性废气/毒酸性废气排放 

蚀刻机台使用的电源为多少伏特(v)?  

答:208V 三相干式

蚀刻机台分为那几个部份 

答:(1) Load/Unload (2) transfer module (3) Chamber process module (4) 真空系统(5) GAS system (6) RF system 

在半导体程制中,湿制程(wet processing)分那二大頪 

答:(1) 晶圆洗净(wafer cleaning) (2) 湿蚀刻(wet etching).  

晶圆洗净(wafer cleaning)的设备有那几种 

答:(1) Batch type(immersion type): a) carrier type b)Cassetteless type (2) Single wafer type(spray type)  

晶圆洗净(wafer cleaning)的目的为何 

答:去除金属杂质,有机物污染及微尘

半导体制程有那些污染源 

答:(1) 微粒子(2) 金属(3) 有机物(4) 微粗糙 (5) 天生的氧化物 

RCA清洗制程目的为何 

答:于微影照像后,去除光阻,清洗晶圆,并做到酸碱中和,使晶圆可进行下一个制.  

洗净溶液APM(SC-1)--> NH4OH:H2O2:H2O的目的为何 

答:去除微粒子及有机物 

洗净溶液SPM--> H2SO4:H2O2:H2O的目的为何 

答:去除有机物 

洗净溶液HPM(SC-2)--> HCL:H2O2:H2O的目的为何 

答:去除金属 

洗净溶液DHF--> HF:H2O(1:100~1:500)的目的为何 

答:去除自然氧化膜及金属

洗净溶液FPM--> HF:H2O2:H2O的目的为何 

答:去除自然氧化膜及金属 

洗净溶液BHF(BOE)--> HF:NH4F的目的为何 

答:氧化膜湿式蚀刻

洗净溶液热磷酸--> H3PO4的目的为何 

答:氮化膜湿式蚀刻 

0.25微米逻辑组件有那五种标准清洗方法 

答:(1) 扩散前清洗(2) 蚀刻后清洗(3) 植入后清洗(4) 沉积前洗清(5) CMP后清洗  

超音波刷洗(ultrasonic scrubbing)目的为何 

答:去除不溶性的微粒子污染 

何谓晶圆盒(POD)清洗 

答:利用去离子水和界面活性剂(surfactant),除去晶圆盒表面的污染 

高压喷洒(high pressure spray)或刷洗去微粒子在那些制程之后 

答:(1) 锯晶圆(wafer saw) (2) 晶圆磨薄(wafer lapping) (3) 晶圆拋光(wafer polishing) (4) 化学机械研磨 

晶圆湿洗净设备有那几种 

答:(1) 多槽全自动洗净设备(2) 单槽清洗设备(3) 单晶圆清洗设备

单槽清洗设备的优点

答:(1) 较佳的环境制程与微粒控制能力 (2) 化学品与纯水用量少. (3) 设备调整弹性度高 

 

单槽清洗设备的缺点

答:(1) 产能较低. (2) 晶圆间仍有互相污染 

单晶圆清洗设备未来有那些须要突破的地方 

答:产能低与设备成熟度

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