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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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硅行业专业术语(下)

时间: 2016-03-23
点击次数: 128

 

Haze - A mass concentration of surface imperfections, often giving a hazy appearance to the wafer.
雾度 - 晶圆片表面大量的缺陷,常常表现为晶圆片表面呈雾状。

 

Hole - Similar to a positive charge, this is caused by the absence of a valence electron.
空穴 - 和正电荷类似,是由缺少价电子引起的。 

 

Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut.
晶锭 - 由多晶或单晶形成的圆柱体,晶圆片由此切割而成。 

 

Laser Light-Scattering Event - A signal pse that locates surface imperfections on a wafer.
激光散射 - 由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。 

 

Lay - The main direction of surface texture on a wafer.
层 - 晶圆片表面结构的主要方向。 

 

Light Point Defect (LPD) (Not preferred; see localized light-scatterer)
光点缺陷(LPD) (不推荐使用,参见“局部光散射”) 

 

Lithography - The process used to transfer patterns onto wafers.
光刻 - 从掩膜到圆片转移的过程。 

 

Localized Light-Scatterer - One feature on the surface of a wafer, such as a pit or a scratch that scatters light. It is also called a light point defect.
局部光散射 - 晶圆片表面特征,例如小坑或擦伤导致光线散射,也称为光点缺陷。 

 

Lot - Wafers of similar sizes and characteristics placed together in a shipment.
批次 - 具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。 

 

Majority Carrier - A carrier, either a hole or an electron that is dominant in a specific region, such as electrons in an N-Type area.
多数载流子 - 一种载流子,在半导体材料中起支配作用的空穴或电子,例如在N型中是电子。

 

Mechanical Test Wafer - A silicon wafer used for testing purposes.
机械测试晶圆片 - 用于测试的晶圆片。 

 

Microroughness - Surface roughness with spacing between the impurities with a measurement of less than 100 μm.
微粗糙 - 小于100微米的表面粗糙部分。 

 

Miller Indices, of a Crystallographic Plane - A system that utilizes three numbers to identify plan orientation in a crystal.
Miller索指数 - 三个整数,用于确定某个并行面。这些整数是来自相同系统的基本向量。 

 

Minimal Conditions or Dimensions - The allowable conditions for determining whether or not a wafer is considered acceptable.
最小条件或方向 - 确定晶圆片是否合格的允许条件。

 

Minority Carrier - A carrier, either a hole or an electron that is not dominant in a specific region, such as electrons in a P-Type area.
少数载流子 - 在半导体材料中不起支配作用的移动电荷,在P型中是电子,在N型中是空穴。 

 

Mound - A raised defect on the surface of a wafer measuring more than 0.25 mm.
堆垛 - 晶圆片表面超过0.25毫米的缺陷。 

 

Notch - An indent on the edge of a wafer used for orientation purposes.
凹槽 - 晶圆片边缘上用于晶向定位的小凹槽。 

 

Orange Peel - A roughened surface that is visible to the unaided eye.
桔皮 - 可以用肉眼看到的粗糙表面 

 

Orthogonal Misorientation -
直角定向误差 - 

 

Particle - A small p*不良词语

*e of material found on a wafer that is not connected with it.
颗粒 - 晶圆片上的细小物质。 

 

Particle Counting - Wafers that are used to test tools for particle contamination.
颗粒计算 - 用来测试晶圆片颗粒污染的测试工具。 

 

Particate Contamination - Particles found on the surface of a wafer. They appear as bright points when a collineated light is shined on the wafer.
颗粒污染 - 晶圆片表面的颗粒。 

 

Pit - A non-removable imperfection found on the surface of a wafer.
深坑 - 一种晶圆片表面无法消除的缺陷。 

 

Point Defect - A crystal defect that is an impurity, such as a lattice vacancy or an interstitial atom.
点缺陷 - 不纯净的晶缺陷,例如格子空缺或原子空隙。 

 

Preferential Etch -
优先蚀刻 - 

 

Premium Wafer - A wafer that can be used for particle counting, measuring pattern resolution in the photolithography process, and metal contamination monitoring. This wafer has very strict specifications for a specific usage, but looser specifications than the prime wafer.
测试晶圆片 - 影印过程中用于颗粒计算、测量溶解度和检测金属污染的晶圆片。对于具体应用该晶圆片有严格的要求,但是要比主晶圆片要求宽松些。 

 

Primary Orientation Flat - The longest flat found on the wafer.
主定位边 - 晶圆片上最长的定位边。 

 

Process Test Wafer - A wafer that can be used for processes as well as area cleanliness.
加工测试晶圆片 - 用于区域清洁过程中的晶圆片。 

 

Profilometer - A tool that is used for measuring surface topography.
表面形貌剂 - 一种用来测量晶圆片表面形貌的工具。 

 

Resistivity (Electrical) - The amount of difficulty that charged carriers have in moving throughout material.
电阻率(电学方面) - 材料反抗或对抗电荷在其中通过的一种物理特性。 

 

Required - The minimum specifications needed by the customer when ordering wafers.
必需 - 订购晶圆片时客户必须达到的最小规格。

 

Roughness - The texture found on the surface of the wafer that is spaced very closely together.
粗糙度 - 晶圆片表面间隙很小的纹理。 

 

Saw Marks - Surface irregarities
锯痕 - 表面不规则。 

 

Scan Direction - In the flatness calcation, the direction of the subsites.
扫描方向 - 平整度测量中,局部平面的方向。 

 

Scanner Site Flatness -
局部平整度扫描仪 - 

 

Scratch - A mark that is found on the wafer surface.
擦伤 - 晶圆片表面的痕迹。 

 

Secondary Flat - A flat that is smaller than the primary orientation flat. The position of this flat determines what type the wafer is, and also the orientation of the wafer.
第二定位边 - 比主定位边小的定位边,它的位置决定了晶圆片的类型和晶向。 

 

Shape -
形状 - 

 

Site - An area on the front surface of the wafer that has sides parallel and perpendicar to the primary orientation flat. (This area is rectangar in shape)
局部表面 - 晶圆片前面上平行或垂直于主定位边方向的区域。 

 

Site Array - a neighboring set of sites
局部表面系列 - 一系列的相关局部表面。 

 

Site Flatness -
局部平整 - 

 

Slip - A defect pattern of small ridges found on the surface of the wafer.
划伤 - 晶圆片表面上的小皱造成的缺陷。 

 

Smudge - A defect or contamination found on the wafer caused by fingerprints.
污迹 - 晶圆片上指纹造成的缺陷或污染。 

 

Sori -
Striation - Defects or contaminations found in the shape of a helix.
条痕 - 螺纹上的缺陷或污染。 

 

Subsite, of a Site - An area found within the site, also rectangar. The center of the subsite must be located within the original site.
局部子表面 - 局部表面内的区域,也是矩形的。子站中心必须位于原始站点内部。 

 

Surface Texture - Variations found on the real surface of the wafer that deviate from the reference surface.
表面纹理 - 晶圆片实际面与参考面的差异情况。 

 

Test Wafer - A silicon wafer that is used in manufacturing for monitoring and testing purposes.
测试晶圆片 - 用于生产中监测和测试的晶圆片。 

 

Thickness of Top Silicon Film - The distance found between the face of the top silicon film and the surface of the oxide layer.
顶部硅膜厚度 - 顶部硅层表面和氧化层表面间的距离。 

 

Top Silicon Film - The layer of silicon on which semiconductor devices are placed. This is located on top of the insating layer.
顶部硅膜 - 生产半导体电路的硅层,位于绝缘层顶部。 

 

Total Indicator Reading (TIR) - The smallest distance between planes on the surface of the wafer.
总计指示剂数(TIR) - 晶圆片表面位面间的最短距离。 

 

Virgin Test Wafer - A wafer that has not been used in manufacturing or other processes.
原始测试晶圆片 - 还没有用于生产或其他流程中的晶圆片。 

 

Void - The lack of any sort of bond (partic*不良词语*arly a chemical bond) at the site of bonding. 
无效 - 在应该绑定的地方没有绑定(特别是化学绑定)。

 

Waves - Curves and contours found on the surface of the wafer that can be seen by the naked eye.
波浪 - 晶圆片表面通过肉眼能发现的弯曲和曲线。 

 

Waviness - Widely spaced imperfections on the surface of a wafer.
波纹 - 晶圆片表面经常出现的缺陷。

 

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