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湿制程设备制造商


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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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硅行业专业术语(上)

时间: 2016-03-23
点击次数: 92

 

Acceptor - An element,such as boron,indium,and gallium used to create a free hole in a semiconductor.The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor.
受主——一种用来在半导体中形成空穴的元素,比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子。 

 

Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithography process.
套准精度——在光刻工艺中转移图形的精度。 

 

Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercutting
各向异性——在蚀刻过程中,只做少量或不做侧向凹刻。 


Area Contamination - Any foreign particles or material that are found on the surface of a wafer. This is viewed as discolored or smudged, and it is the rest of stains, fingerprints, water spots, etc.
沾污区域——任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。由沾污、手印和水滴产生的污染。 

 

Azimuth, in Ellipsometry - The angle measured between the plane of incidence and the major axis of the ellipse.
椭圆方位角——测量入射面和主晶轴之间的角度。 

 

Backside - The bottom surface of a silicon wafer. (Note: This term is not preferred; instead, use ‘back surface’.)
背面——晶圆片的底部表面。(注:不推荐该术语,建议使用“背部表面”) 

 

Base Silicon Layer - The silicon wafer that is located underneath the insator layer, which supports the silicon film on top of the wafer.
底部硅层——在绝缘层下部的晶圆片,是顶部硅层的基础。 

 

Bipolar - Transistors that are able to use both holes and electrons as charge carriers.
双极晶体管——能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。 

 

Bonded Wafers - Two silicon wafers that have been bonded together by silicon dioxide, which acts as an insating layer.
绑定晶圆片——两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起,作为绝缘层。 

 

Bonding Interface - The area where the bonding of two wafers occurs.
绑定面——两个晶圆片结合的接触区。 

 

Buried Layer - A path of low resistance for a current moving in a device. Many of these dopants are antimony and arsenic.
埋层——为了电路电流流动而形成的低电阻路径,搀杂剂是锑和砷。 

 

Buried Oxide Layer (BOX) - The layer that ins*不良词语

*ates between the two wafers.
氧化埋层(BOX)——在两个晶圆片间的绝缘层。 

 

Carrier - Valence holes and conduction electrons that are capable of carrying a charge through a solid surface in a silicon wafer.
载流子——晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。 

 

Chemical-Mechanical Polish (CMP) - A process of flattening and polishing wafers that utilizes both chemical removal and mechanical buffing. It is used during the fabrication process.
化学-机械抛光(CMP)——平整和抛光晶圆片的工艺,采用化学移除和机械抛光两种方式。此工艺在前道工艺中使用。 

 

Chuck Mark - A mark found on either surface of a wafer, caused by either a robotic end effector, a chuck, or a wand.
卡盘痕迹——在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。 

 

Cleavage Plane - A fracture plane that is preferred.
解理面——破裂面 

 

Crack - A mark found on a wafer that is greater than 0.25 mm in length.
裂纹——长度大于0.25毫米的晶圆片表面微痕。 

 

Crater - Visible under diffused illumination, a surface imperfection on a wafer that can be distinguished individually.
微坑——在扩散照明下可见的,晶圆片表面可区分的缺陷。 

 

Conductivity (electrical) - A measurement of how easily charge carriers can flow throughout a material.
传导性(电学方面)——一种关于载流子通过物质难易度的测量指标。 

 

Conductivity Type - The type of charge carriers in a wafer, such as “N-type” and “P-type”.
导电类型——晶圆片中载流子的类型,N型和P型。 

 

Contaminant, Partic*不良词语

*ate (see light point defect)
污染微粒(参见光点缺陷) 

 

Contamination Area - An area that contains particles that can negatively affect the characteristics of a silicon wafer.
沾污区域——部分晶圆片区域被颗粒沾污,造成不利特性影响。 

 

Contamination Partic*不良词语*ate - Particles found on the surface of a silicon wafer. 
沾污颗粒——晶圆片表面上的颗粒。 

 

Crystal Defect - Parts of the crystal that contain vacancies and dislocations that can have an impact on a circuit’s electrical performance.
晶体缺陷——部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。

 

Crystal Indices (see Miller indices)
晶体指数(参见米勒指数) 

 

Depletion Layer - A region on a wafer that contains an electrical field that sweeps out charge carriers.
耗尽层——晶圆片上的电场区域,此区域排除载流子。 

 

Dimple - A concave depression found on the surface of a wafer that is visible to the eye under the correct lighting conditions.
表面起伏——在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。 

 

Donor - A contaminate that has donated extra “free” electrons, thus making a wafer “N-Type”.
施主——可提供“自由”电子的搀杂物,使晶圆片呈现为N型。 

 

Dopant - An element that contributes an electron or a hole to the conduction process, thus altering the conductivity. Dopants for silicon wafers are found in Groups III and V of the Periodic Table of the Elements.
搀杂剂——可以为传导过程提供电子或空穴的元素,此元素可以改变传导特性。晶圆片搀杂 剂可以在元素周期表的III和V族元素中发现。 

 

Doping - The process of the donation of an electron or hole to the conduction process by a dopant.
掺杂——把搀杂剂掺入半导体,通常通过扩散或离子注入工艺实现。

 

Edge Chip and Indent - An edge imperfection that is greater than 0.25 mm.
芯片边缘和缩进——晶片中不完整的边缘部分超过0.25毫米。 

 

Edge Exclusion Area - The area located between the fixed quality area and the periphery of a wafer. (This varies according to the dimensions of the wafer.)
边缘排除区域——位于质量保证区和晶圆片外围之间的区域。(根据晶圆片的尺寸不同而有所不同。) 

 

Edge Exclusion, Nominal (EE) - The distance between the fixed quality area and the periphery of a wafer.
名义上边缘排除(EE)—— 质量保证区和晶圆片外围之间的距离。 

 

Edge Profile - The edges of two bonded wafers that have been shaped either chemically or mechanically.
边缘轮廓——通过化学或机械方法连接起来的两个晶圆片边缘。

 

Etch - A process of chemical reactions or physical removal to rid the wafer of excess materials.
蚀刻——通过化学反应或物理方法去除晶圆片的多余物质。 

 

Fixed Quality Area (FQA) - The area that is most central on a wafer surface.
质量保证区(FQA)——晶圆片表面中央的大部分。 

 

Flat - A section of the perimeter of a wafer that has been removed for wafer orientation purposes.
平边——晶圆片圆周上的一个小平面,作为晶向定位的依据。

 

Flat Diameter - The measurement from the center of the flat through the center of the wafer to the opposite edge of the wafer. (Perpendicar to the flat)
平口直径——由小平面的中心通过晶圆片中心到对面边缘的直线距离。 

 

Four-Point Probe - Test equipment used to test resistivity of wafers.
四探针——测量半导体晶片表面电阻的设备。 

 

Furnace and Thermal Processes - Equipment with a temperature gauge used for processing wafers. A constant temperature is required for the process.
炉管和热处理——温度测量的工艺设备,具有恒定的处理温度。

 

Front Side - The top side of a silicon wafer. (This term is not preferred; use front surface instead.)
正面——晶圆片的顶部表面(此术语不推荐,建议使用“前部表面”)。 

 

Goniometer - An instrument used in measuring angles.
角度计——用来测量角度的设备。 

 

Gradient, Resistivity (not preferred; see resistivity variation)
电阻梯度(不推荐使用,参见“电阻变化”) 

 

Groove - A scratch that was not completely polished out.
凹槽——没有被完全清除的擦伤。 

 

Hand Scribe Mark—A marking that is hand scratched onto the back surface of a wafer for identification purposes.
 手工印记——为区分不同的晶圆片而手工在背面做出的标记。
  

 

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