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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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光学材料的干法刻蚀研究

时间: 2020-12-17
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光学材料的干法刻蚀研究

 要:本文对化学材料二氧化硅的干法刻蚀工艺进行研究,运用反应离子刻

蚀设备对二氧化硅进行了刻蚀实验,通过对不同工艺条件下二氧化硅的刻蚀速

率、均匀性等参数对比,最终得出了二氧化硅等同类光学材料最佳的干法刻蚀

工艺条件。

关键词:光学材料;干法刻蚀;二氧化硅;工艺条件

 

1.反应离子刻蚀的基本原理分析射频辉光放电后会使反应气体被击穿从而产生刻蚀所需要的等离子体,等离子体中不仅包含正离子和负离子,同时也含有可以与刻蚀样品表面发生反应的游离基和自由电子,这便是反应离子刻蚀中应用化学作用进行刻蚀的基本原理。而阴离子和阳离子在电场作用下可以射向刻蚀样品的表面,从而实现对刻蚀样品的物理轰炸,这便是反应离子刻蚀中应用物理作用的基本原理,而通过物理作用和化学作用的结合便可以完成对样品的刻蚀。

2.反应离子刻蚀工艺研究内容及方法

关于光学材料在不同工艺条件下的反应离子刻蚀研究,在实验过程中将实验硅片作为基础材料,并通过CVD技术使实验硅片生成实验所需要的二氧化硅层,在一定的沉积工艺条件下保证所制备的二氧化硅薄膜具有实验所需要的各种性质,并保证其致密性、折射率等都可以达到光学材料所具备的相应标准,这样才能确保实验结果在光学材料干法刻蚀应用中的有效性。二氧化硅膜在满足标准后要对其均匀性进行检测,可以运用椭偏仪对二氧化硅膜的厚度与折射率进行测量,这样才能使实验结果完全可以代表硅片表面在干法刻蚀工艺中的实际膜厚,对保证该实验结果的合理性、科学性、准确性以及有效性有着重要意义。反应离子刻蚀工艺实验过程中将CHF3作为刻蚀气体,当刻蚀气体在反应室遇到辉光放电会发生下列化学反应:CHF3+e-→CHF2++F(游离基)+2e-而在化学反应之后所生成的游离基可以与样品表面的SiO2发生以下反应:

SiO2+4F→SiF4↑+O2↑

二氧化硅在化学反应中所分解出来的氧离子会与CHF2+基团发生反应,并可以释放出多种挥发性气体,在刻蚀工艺中需要将这些气体从反应腔体中彻底抽出。刻蚀实验后要对剩余的二氧化硅膜进行再次测量,通过与第一次测量数据的对比便可以通过定量计算的方式来确定刻蚀速率及均匀性等,这也是该实验最后所需要的研究的各项干法刻蚀参数。

3. 反应离子刻蚀工艺实验结果分析

本文在实验过程中通过改变反应离子刻蚀工艺条件来获取实验结果,表1是不同氧气流量下二氧化硅的刻蚀速率及选择比,基于四次实验结果对反应离子刻蚀工艺条件变化对刻蚀速率、均匀性等方面的影响进行分析。图1是本文通过实验结果对氧气流量与选择关系的分析。

光学材料的干法刻蚀研究

1)刻蚀气体流量对刻蚀效率的影响。通过实验结果我们可以分析出刻蚀气体流量与样品刻蚀效率的对比关系,在实验中不断加大刻蚀气体流量会使反应气体浓度不断上升,从而使二氧化硅在刻蚀过程中表面受到的化学作用和物理作用更加充分,这在很大程度上提高了样品的整体刻蚀效率,但随着气体流量逐渐接近饱和状态,真正参与化学作用和物理作用的气体十分有限,这样便会导致样品在刻蚀过程中的刻蚀效率受到很大限制。如果气体流量在气体达到饱和状态后依旧增加,这样会使反应离子之间的碰撞更加激烈,离子碰撞会消耗其自身一定的能量,而这会在很大程度上削弱离子的物理作用,从而导致样品在实验过程中的刻蚀效率受到很大削弱,所以,接近饱和状态的气体流量是最佳工艺条件,其对提高刻蚀效率、节约气体资源有着重要作用。

2)温度和气体压强对刻蚀效率的影响。光学材料在干法刻蚀过程中,由于化学作用和物理作用,会使粒子在相互碰撞及撞击样品表面的过程中产生一定的热量,而热量过高则会导致二氧化硅样品表面受到损伤,因此,反应离子刻蚀过程中需要通过冷却系统来对样品表面温度进行控制,在实验过程中对二氧化硅样品进行温度控制不会对刻蚀效率产生影响,或者是温度变化对二氧化硅表面的刻蚀效率有着很小的影响。在实验过程中,将射频功率和气体流量控制在稳定条件下,逐渐增大气体压强,并对实验结果进行对比,发现当气体压强逐渐升高的时候刻蚀效率会有很大提升,这是因为气体压强的增加会使反应室中的反应气体的浓度也随之增加,这样便在很大程度上提高了化学反应的效率,从而使二氧化硅样品表面的整体刻蚀效率也有很大提升,但是在气体压强增加到一定程度时会使反应离子接近或达到饱和状态,此时如果继续增大气体压强则会加速粒子之间的碰撞使其能量被消耗,很大程度上限制刻蚀效率。

4.结语

通过光学材料的干法刻蚀实验,我们可以证明射频功率、反应气压、气流量以及样品冷却温度等因素在光学材料的干法刻蚀过程中都会对其刻蚀速率及均匀性产生一定影响,所以在光学材料干法刻蚀工艺中,我们可以通过控制上述几个因素,通过改变刻蚀工艺条件来将刻蚀速率与均匀性控制在最佳水平。

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