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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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光罩清洗的流程以及优化

时间: 2020-12-17
点击次数: 28

光罩清洗的流程以及优化

摘 要:光罩清洗的流程以及优化,需要在实际生产运用中来完善,要保证在不影响清洗能力的情况下来优化各个工艺参数,在各种工艺清洗时的时间和MASKStage的转速来缩短清洗光罩的时间,而这个参数需要在不断地实验中完善。该文针对目前液晶面板在正常生产的过程中光罩(MASK)日常清洗的流程及工艺,介绍了目前光罩清洗机中使用的几种主要的清洗工艺,清洗光罩时需根据不同原因来选择所需要的工艺来清洗,以及对清洗工艺的优化。

关键词:光罩光罩清洗机曝光机

1清洗MASK的类别

1.1拆包清洗

在首次光罩到厂后进行,要将光罩从光罩盒中取出,并进行检查确认,若检查有问题再使用正常的清洗工艺清洗,清洗后放置于MASKStocker内,以备使用。

1.2日常清洗

在产线切换产品或者连续生产达到一定数量时,为了防止光罩被污染而产生MASK共通缺陷,需要对光罩进行清洗。主要是因为液晶生产中所使用的光阻特性,有的光阻比较容易挥发产生升华物滴落在基板的表面,在基板进入曝光机曝光时由于曝光的GAP较小,从而部分升华物会接触到光罩表面,产生MASK共通缺陷,而使生产出的产品在相同的位置有着同样的不良缺陷。

1.3出现MASK共通时清洗

特别是接近式曝光机,曝光时光罩与玻璃基板的GAP较小,曝光时的GAP可能只有100~200μm(如图1所示)。如果基板上有光阻或其他异物,有可能在曝光时将异物粘到光罩上或者异物有可能会刮伤光罩,从而导致生产的产品在每个panel的相同位置产生同样的缺陷;洁净房的洁净度和人员出入设备也有可能会引起发尘而污染光罩。

光罩清洗的流程以及优化

2MASK清洗的流程

在从曝光机卸载下MASK之后,通过MASK台车送至光罩清洗室准备进行清洗。首先需要确认光罩清洗机的工作状态,确认药剂Tank的温度以及药剂是否足够等,然后再将MASKCASE从台车送入光罩清洗机,选择适当的清洗工艺进行清洗作业。光罩在光罩清洗机内清洗主要流程:正面清洗、背面清洗(膜面)以及检查3个步骤,可以根据清洗的不同原因通过工艺编辑更改清洗的顺序。

光罩的正面和背面清洗主要包括纯水冲洗、毛刷和洗剂清洗、毛刷和纯水清洗、超声波清洗以及氮气干燥这几个步骤,每个步骤MASKStage都会按照设定的转速旋转(如图2所示)。而且为了防止在清洗时,正面洗过的液体流向背面,在清洗时所有步骤都会使用位于MASKStage下方的喷淋口,使用纯水对光罩的下面进行纯水的喷淋作业。

光罩清洗的流程以及优化

3MASK清洗的工艺

光罩在光罩清洗机内清洗时,主要流程是纯水冲洗、毛刷和洗剂清洗、毛刷和水清洗、超声波清洗以及氮气干燥,在这清洗的每道工序进行的时候,MASKStage都会按照设定的转速一直旋转,以达到可以整面清洗的目的,下

面分别介绍主要清洗的工艺。

3.1毛刷清洗(纯水、药液)

MASK在光罩清洗机内清洗时,主要是依靠毛刷进行清洁光罩表面的脏污。毛刷需要采用吸水性、恢复性、耐磨性、耐腐蚀性等方面都较出色的材料制成的盘刷,在毛刷回转速时,毛刷外周的接触面积较大,可以有效提高清洗效果。在清洗光罩时,可以通过设定毛刷的转速以及毛刷的压入量来改善清洗效果。

3.2超声波清洗(MS清洗)

正常清洗时,毛刷配合药液清洗之后会使用超声波和纯水共同清洗来去除微细颗粒。超声波Shower通过设定输出功率来变更清洗能力。在MS清洗模块固定不动的情况下,有效的清洗面积比较小,但通过MASKStage的自旋转,以及MS清洗模块的来回移动可以将光罩的整面都覆盖。

3.3氮气(N2)干燥

在光罩清洗结束之后,MASKStage会慢慢加速旋转,当达到一定速度时会保持一个恒定的转速,同时,氮气干燥管会慢慢移动到光罩中心位置正上方,与光罩下方的氮气气管同时向光罩吹气,通过离心力的作用,将光罩表面的液体吹出表面以达到干燥效果。

4MASK清洗的流程优化

在初次清洗光罩建立清洗工艺的时候,清洗光罩顺序的选择:先清洗光罩的反面再清洗光罩的正面,清洗完毕后进行检查确认;但在实际生产过程中发现这样的清洗步骤会多一次光罩翻转,而光罩翻转是不必要的时间,所以清洗光罩时将清洗光罩的顺序变更为先清洗光罩的正面再清洗光罩的反面,可以节约一次翻转光罩的时间。

正常清洗时,还可以通过提高毛刷的转速和毛刷的压入量、MASKStage的转速来达到提高清洗效果的目的。光罩污染主要是针对与生产基板接近的膜面(光罩的反面),所以,在清洗光罩时使用的清洗工艺可以大大减少对于光罩正面的清洗时间而稍微增加光罩(光罩的反面)膜面的清洗时间。

5结语

当然,采用接近式曝光机,产生MASK共通的几率要远远大于扫描式曝光机,而曝光机整体的洁净度更是可以影响清洗光罩的频度,所以液晶生产中清洗光罩的时间,不仅仅要对清洗的工艺进行优化,也要对洁净室的环境进行定期检测,以保证洁净度可以达到相应的要求。(免责声明:文章来源于网络,如有侵权请联系作者删除。)


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