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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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BOE腐蚀工艺

时间: 2021-02-25
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有源区是硅片上做有源器件的区域,光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一

个主要工艺,光刻主要包括表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序,刻蚀中常用的一种湿法腐蚀是BOE腐蚀,BOE腐蚀比干法刻蚀有诸多优点,如设备成本低、单片成本低、生产效率高等。在现有的技术下,BOE腐蚀也存在很多不足,如腐蚀速率不稳定、产品部分腐蚀不净、部分区域染色、腐蚀后线宽尺寸偏差较大等。

光刻BOE腐蚀质量与腐蚀液温度、腐蚀运动方式、腐蚀液浓度密切相关。一般BOE腐蚀时,通过人工或自动上下提动片架或左右来回晃动片架,促进酸液与硅片表面二氧化硅反应,同时硅片表面生成一些小气泡,这些气泡会隔离酸液与二氧化硅接触,阻止氧化层腐蚀,造成硅片图形氧化层腐蚀不均匀或腐蚀不净,特别在小尺寸芯片此类问题更为突出。如何在腐蚀过程中,消除这些气泡成为业界难题。通常采用在槽内导入超声波、酸液鼓泡等,增加了设备成本,但腐蚀效果仍不理想,为了解决这一问题,本发明提供了以下技术方案。

现有技术中,在硅片有源区光刻工艺的刻蚀过程中,腐蚀液会与硅片反应生成气

泡,这些气泡依附在硅片表面,将硅片与腐蚀液隔离,阻止氧化层的进一步腐蚀,容易造成硅片表面腐蚀不均匀或者腐蚀不净。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现:

一种BOE腐蚀的工艺方法,包括如下步骤:

步骤一、将硅片清洗后加入烘箱中,在120℃,真空度-720pa的条件下烘干处理

60min,烘干后的硅片在经过匀胶后在温度为100℃的烘箱中烘烤40min后待用;在本发明的一个实施例中,硅片的匀胶通过轨道式全自动匀胶机进行,光刻胶采用BN308光刻胶,匀胶机转速为3000rpm,时间为30s

步骤二、用有源区光刻版作为掩膜,将硅片紫外线曝光15-20秒,并将曝光后的硅片浸入显影液中显影,显影后的硅片放入温度为150℃烘箱中烘烤,时间为60min;在本发明的一个实施例中,显影液为RFJ2200型显影液,显影时间为8-10min

步骤三、将硅片放置在片架上,再将片架浸入BOE腐蚀槽中,BOE腐蚀槽中装乘有BOE腐蚀液,腐蚀液的温度通过槽体加热器加热至40±2℃,将硅片在酸液中上下运动60-80S后,把片架整体提出液面,1S后,再放入酸液中继续上下运动,循环腐蚀12min,当达到腐蚀时间后,将片架从腐蚀液中取出后,用去离子水冲洗干净,通过甩干机甩干待用;

所述BOE腐蚀槽包括内槽,内槽的底部设置有槽内匀流板,槽内匀流板与内槽底部

说明书

之间设置有槽体加热器,所述内槽的开口处套接有溢流槽,所述溢流槽的底部低于内槽的开口,溢流槽的顶部高出内槽的开口;所述内槽与溢流槽通过外接管道连接,其中外接管道上设置有循环泵,外接管道的两端分别连接内槽的底部与溢流槽的底部,循环泵自溢流槽的底部将腐蚀液从内槽的底部泵入内槽,从而使腐蚀液循环流动,在腐蚀过程中内槽内各位置腐蚀液的浓度保持一致,同时,流动的腐蚀液能够将依附在硅片上的气泡完全或大部分去除,提升硅片腐蚀的一致性,降低腐蚀过程中生成的气泡对腐蚀效果的影响;

所述BOE腐蚀槽还包括液位检测装置,液位检测装置用于检测内槽的液位与溢流槽的液位。

步骤四、将甩干后的硅片在金相显微镜下镜检,保证硅片有源区全部腐蚀干净彻底,表面无染色,光刻胶保护完好;

步骤五、将通过检验的硅片放入去胶液中浸泡去胶,用去离子水冲洗后甩干机甩干,检验合格后进入下一工序,其中去胶液为浓硫酸与双氧水按照体积比41配制而成,硅片在去胶液中浸泡8-10min后取出。

本发明在刻蚀过程中,通过将硅片在酸液中上下运动60-80S后减少腐蚀过程中依

附在硅片上的气泡量,然后把片架整体提出液面1S,通过压力的快速变化,使依附在硅片上的气泡易于破碎,最后再将硅片放入酸液中继续上下运动,循环腐蚀12min,从而实现对硅片的腐蚀,同时,本发明中是通过BOE腐蚀槽来对硅片进行腐蚀,通过使腐蚀液循环流动,保持在腐蚀过程中内槽2内各位置腐蚀液的浓度保持一致,同时,流动的腐蚀液能够将依附在硅片上的气泡完全或大部分去除,提升硅片腐蚀的一致性,降低腐蚀过程中生成的气泡对腐蚀效果的影响。

1BOE腐蚀槽的结构示意图。

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。

一种BOE腐蚀的工艺方法,包括如下步骤:

步骤一、将硅片清洗后加入烘箱中,在120℃,真空度-720pa的条件下烘干处理60min,烘干后的硅片在经过匀胶后在温度为100℃的烘箱中烘烤40min后待用;其中,硅片的匀胶通过轨道式全自动匀胶机进行,光刻胶采用BN308光刻胶,匀胶机转速为3000rpm,时间为30s

步骤二、用有源区光刻版作为掩膜,将硅片紫外线曝光20秒,并将曝光后的硅片浸入显影液中显影,显影后的硅片放入温度为150℃烘箱中烘烤,时间为60min;其中,显影液为RFJ2200型显影液,显影时间为10min

步骤三、将硅片放置在片架上,再将片架浸入BOE腐蚀槽中,BOE腐蚀槽中装乘有BOE腐蚀液,腐蚀液的温度通过槽体加热器4加热至40±2℃,将硅片在酸液中上下运动60S后,把片架整体提出液面,1S后,再放入酸液中继续上下运动,循环腐蚀12min,当达到腐蚀时间后,将片架从腐蚀液中取出后,用去离子水冲洗干净,通过甩干机甩干待用;

如图1所示,所述BOE腐蚀槽包括内槽2,内槽2的底部设置有槽内匀流板3,槽内匀流板3与内槽2底部之间设置有槽体加热器4,所述内槽2的开口处套接有溢流槽5,所述溢流槽5的底部低于内槽2的开口,溢流槽5的顶部高出内槽2的开口;

所述内槽2与溢流槽5通过外接管道连接,其中外接管道上设置有循环泵6,外接管道的两端分别连接内槽2的底部与溢流槽5的底部,循环泵6自溢流槽5的底部将腐蚀液从内槽2的底部泵入内槽2,从而使腐蚀液循环流动,在腐蚀过程中内槽2内各位置腐蚀液的浓度保持一致,同时,流动的腐蚀液能够将依附在硅片上的气泡完全或大部分去除,提升硅片腐蚀的一致性,降低腐蚀过程中生成的气泡对腐蚀效果的影响;

所述BOE腐蚀槽还包括液位检测装置1,液位检测装置1用于检测内槽2的液位与溢流槽5的液位。

步骤四、将甩干后的硅片在金相显微镜下镜检,保证硅片有源区全部腐蚀干净彻底,表面无染色,光刻胶保护完好;

步骤五、将通过检验的硅片放入去胶液中浸泡去胶,用去离子水冲洗后甩干机甩干,检验合格后进入下一工序,其中去胶液为浓硫酸与双氧水按照体积比41配制而成,硅片在去胶液中浸泡8min后取出。

BOE腐蚀工艺

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