湿法化学蚀刻
安全
腐蚀剂的腐蚀性极强。
戴上护目镜,面罩,丁腈手套,乙烯基实验室围裙,无纺布鞋。
将酸加入稀释剂中。
向弱酸中加入强酸。
最后添加氧化剂。
Ga 2 O 3蚀刻剂
参考:(2 [sec.4.3.2],8、98、99)。
Ga 2 O 3的厚度通常约为<50。
1:1-HCL:H 2 O-(10秒)
1:20-H 2 SO 4:H 2 O ---(30秒)
1 : 40-H 3 PO 4:H 2 O- -(20秒)
盐酸:H 3 PO 4
参考:(4,9,10,99)。
反应速率有限。
InP蚀刻速率为1:1〜2.5 µm / min。
GaInP蚀刻速率为1:1〜0.60 µm /分钟。
H 3 PO 4:H 2 O 2:H 2 O
参考文献:(13,98,99)。
反应速率有限。
GaAs蚀刻速率为3:1:25〜0.30 µm /分钟。
InGaAs蚀刻速率为1:1:8〜0.40 µm /分钟。
InGaAs和InAlAs的蚀刻速率为1:1:38〜0.10 µm / min。
H 2 SO 4:H 2 O 2:H 2 O
参考:(1、2、3、14)。
扩散率限制在〜33%H 2 SO 4以上。
反应速率限制在〜33%H 2 SO 4以下。
蚀刻速率与Ga和As含量成正比。
InGaAsP蚀刻速率为1:1:10〜0.10 µm /分钟。
C 6 H 8 O 7:H 2 O 2