欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829
 
 
 
新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
新闻中心 新闻资讯

锗抛光片清洗

时间: 2021-02-26
点击次数: 9

以锗为衬底的化合物电池由于具有转换效率高、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优势,在航空航天领域得到了广泛的应用。多节化合物电池用锗衬底通常为高表面质量的锗抛光片,要求其表面无颗粒沾污、无有机沾污、无表面缺陷。要使锗抛光片表面达到这一标准,清洗是非常重要的环节。

紫外线/臭氧清洗技术是一种非接触式的干法清洗技术,不受溶液表面张力的影响。被清洁的表面仅与紫外线和臭氧作用,不与其他物体发生接触。并且有机物经过紫外光照射发生光敏氧化反应后,仅生成可挥发性气体,不会造成溶液清洗时的二次污染。与此同时,紫外光是短波光线,能够射入材料表面并在与臭氧的协同作用下与表面物质发生氧化反应,形成均匀的氧化物薄膜。紫外光子辐照的能量相对比等离子体溅射或惰性气体离子轰击的能量小,一般情况下,经过紫外线/臭氧处理的表面不会受到损伤或发生晶体缺陷。

在RCA标准清洗法中,利用DHF清洗来剥离自然氧化层,从而达到去除氧化层中金属离子的目的。但由于HF并不溶解锗O或其他非正四价态锗氧化物,只溶解锗O:和极少量的锗混合态氧化物,所以本文采用对锗0和锗0:有很好溶解能力并且不与锗发生反应的盐酸进行清洗。紫外线/臭氧处理过程中,由于臭氧具有类似于H2O2的氧化电势,其可在锗抛光片表面形成洁净的氧化物薄膜,因此可以采用紫外线/臭氧干法氧化的方式替代H2O2的氧化作用。本文从降低锗抛光片雾值、提高表面质量为出发点,以紫外线/臭氧代替H2O2氧化锗片表面,并通过调节盐酸浓度,得出一种提高锗抛光片表面质量的清洗方法。

1实验过程

1.1实验流程

实验片选用型号为P<100>,小100mm的锗抛光片。经过去除有机物、表面颗粒沾污的清洗步骤后,首先将锗抛光片放入紫外线/臭氧清洗设备中,在相同紫外线辐照类型照射条件下,通过改变样品与紫外线光源之问的距离,记录使样品表面达到最小接触焦(大约40)所需的不同时问,并对实验结果进行分析。之后将锗抛光片浸入到几组不同浓度的盐酸溶液中反应一定时问,取出放入快排冲洗槽内进行QuickDump黜nse(以下简称QDR)循环清洗,最后放入旋转冲洗甩干机内甩干,通过表面分析仪对锗抛光片进行雾值分析。

1.2实验及测试用设备

兆声清洗采用ST600.32TL型清洗机,气相清洗采用紫外线/臭氧清洗设备;甩干机表面目测检验采用强光灯,接触角测试采用承德金和仪器制造有限公司生产的JY—PHB型接触角测定仪,表面雾值测试采用WM一7S表面分析仪。

2实验结果与分析

2.1紫外线,臭氧工艺分析

紫外线能打开和切断有机物分子的共价键,使有机物分子活化,分解成离子、游离态原子、受激分子等,从而清除粘附在抛光片表面的有机物沾污。

Vig和LeBus等人[2]通过采用接触角测量、湿度测试和俄歇电子谱(AES)发现,低压汞灯产生的184.9nm和253.7nm两种主要波长的紫外线对被照射样品具有最好的氧化效果。这是由于184.9nm的紫外波长可以被氧气分子吸收,氧气吸收紫外线产生原子氧和臭氧;253.7nm的紫外波长不能被氧气吸收,但可被臭氧吸收M,臭氧吸收紫外线分解成原子氧和氧气,这样臭氧将处于产生与分解的动态变化过程中。臭氧产生与分解的中间产物原子氧是非常强的氧化剂,它与活化的衬底表面发生氧化反应,可生成致密、均匀的氧化物薄膜。

由于锗抛光片表面的氧化层是因臭氧产生与分解的中间产物原子氧的氧化作用而产生的,所以紫外线/臭氧的氧化能力强弱直接影响表面氧化层的产生,这种氧化能力我们利用锗抛光片的最小接触角来表征,即紫外线/臭氧作用的氧化能力越强,高质量表面氧化层形成的时间越短,达到最小接触角(大约4o)所需时间越短。

为了研究样品与紫外线光源间距离对表面氧化效果的影响,本组实验将锗抛光片样品分成五组,在253.7nm和184.9nm紫外线和臭氧组成的相同环境下,样品与紫外光源距离分别为0.5cm、1cm、5cm、8cm、13cm,五组样品达到最小接触角(大约4。)的时间如表1所示。

为了使表面氧化所用时间缩短,待氧化的样品应尽可能放置在离紫外线源近的位置。通过表1可看出,将锗抛光片放置在离紫外线光源0.5cm处照射30s,即可使锗抛光片表面接触角达到最小。

锗抛光片清洗

2.2盐酸溶液清洗工艺分析

传统的SC2溶液由HCL、H2O:、H2O组成,H2O:的作用是在抛光片表面形成一层自然氧化膜,紫外线/臭氧处理过程中,由于臭氧具有类似于H2O:的氧化电势,其可在锗抛光片表面形成洁净的氧化物薄膜,因此将传统的sC2溶液中H2O:除去。盐酸能溶解锗的氧化物且可与金属离子反应,生成可溶性的氯盐,从而达到去除锗抛光片表面金属离子的作用。这一部分实验采用不同浓度的盐酸溶液对锗抛光片进行处理60s后,进行目视检验及雾值分析。盐酸:H:O比值如表2所示。

锗抛光片清洗

经过表面颗粒度测试仪测试得到锗抛光片的表面雾值图,图1为经过不同浓度的盐酸溶液处理60s的锗抛光片表面雾值测试图,表3为不同浓度的盐酸溶液对应的雾值测试平均值。

锗抛光片清洗

当盐酸与H2O比例大于1:50,如图1中(a)、(b)、(c)所示,雾值测试平均值分别为0.0658×10-60.0448×10-60.0295×10-6,使用GBT/6624硅抛光片表面质量目测检验方法规定的光源对锗片进行观察,锗片表面均匀、中间有密集的凸起状缺陷。当盐酸与H2O比例小于1:50时,如图1中(e)、(D所示,比例为1:100时雾值平均值为0.0204×10-6,目测有不均匀的浅雾;比例为1:1000时雾值平均值为0.0933×10-6击,目测有均匀的较重的白雾;HCL:H2O1:50时,HCl对氧化膜的化学剥离作用达到最佳效果,如图l(d)所示,雾值平均值达到0.0098×10-6,在强光灯下检验锗抛光片表面洁净且均匀、一致。

3结论

本文提出了一种紫外线/臭氧氧化锗抛光片后盐酸溶液清洗的方法,并通过实验找到了样品与紫外光源的最佳距离以及盐酸l溶液的最佳配比。

(1)锗抛光片在紫外线/臭氧发生器内,利用紫外线/臭氧的氧化作用,放置在距光源0.5cm处反应30s即可达到表面氧化效果。

(2)盐酸溶液具有溶解锗氧化薄膜且不与锗本身发生反应的特性,当盐酸:H2O1:50时,其作用最为明显,锗抛光片表面雾值达到最小,表面质量达到免洗抛光片标准。


Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开