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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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腐蚀工艺教程(湿法清洗部分)

时间: 2021-02-26
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一、什么是半导体?

半导体是介于导体和绝缘体之间的物质,它的电阻率在10-3~109范围内。自然界中属于半导体的物质很多,用于制造半导体的材料主要是硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)。

纯净的半导体电阻率很高,几乎不导电。但在特定的条件下,如光照、掺杂等,它的电阻率

可以降到几十欧姆甚至更低,并且随掺入的杂质不同呈不同的导电特性。我们分别称之为P

(空穴导电)型半导体和N(电子导电)型半导体。P型半导体和N型半导体相接触时在接触面就形成了PN结。PN结具有正向导通反向截止的特性,利用它可以制得常用的二

极管。

在集成电路制造中,常用的衬底材料是硅单晶片,根据圆片加工过程中硅单晶切割的晶格方向的不同,可把它分为<100><111>等晶向。在mos集成电路制造中,选用的是<100>

晶向的圆片。

二、什么是集成电路?

不同导电类型的半导体组合在一起,可以做成二极管、三极管、电容、电阻,如果把这些元件做在同一块芯片上,完成一定的电路功能,就称之为集成电路。

集成电路可分为双极集成电路和MOS集成电路,MOS集成电路又可分为nMOS集成电路、pMOS集成电路和CMOS集成电路。

三、集成电路中的常用薄膜。

多晶硅

常用在MOS器件中作为栅电极。也可用于高电阻的电阻器,及局部电路的短连线二氧化硅集成电路中使用的二氧化硅膜可分为热二氧化硅和CVD淀积二氧化硅两类。在MOS集成电路中,它有以下几种用途:作为对付掺杂剂注入或扩散进硅的掩膜,提供表面钝化,使器件一部分与一部分隔离,作为MOS器件的一个组成部分(如栅介质),作为金属步线之间的电绝缘。

氮化硅

能阻挡钠离子的扩散,几乎不透潮气并具有很低的氧化速率。用低压CVDLPCVD)方法淀积的氮化硅膜,主要用作平面工艺的氧化掩膜;用等离子淀积(PECVD)的氮化硅膜,能在较低温度下生成,可作为钝化保护层。

Al-Si-Cu

用在集成电路中作为金属互连线。

四、什么是刻蚀

集成电路的制造,需要将各种不同的元件(晶体管、电阻、电容)做在同一块芯片上去,需要在芯片上做出不同的图形。把光刻确定的图形转移到构成器件的薄膜上,把不需要的薄膜去除,这一过程称为刻蚀。刻蚀分为干法腐蚀和湿法腐蚀。

五、常用湿法腐蚀工艺

1.HF去二氧化硅

说明:HF酸漂去二氧化硅

配比:HFH2O=110

温度:室温

流程:HF酸漂洗(依漂去二氧化硅厚度定时)→溢流5分钟→冲水10次→甩干

2.磷酸去氮化硅

说明:推阱及场氧后LPSIN的剥离

配比:98%磷酸

温度:160

流程:HF酸漂洗30sec→溢流5分钟→磷酸槽60min→溢流5分钟→Ⅱ槽清洗→冲水10次→甩干

3BOE腐蚀二氧化硅

说明:非关键尺寸二氧化硅图形窗口的腐蚀

配比:BOE

温度:室温

流程:浸润剂浸润10(上下搅拌10)BOE漂(依须腐蚀二氧化硅厚度定时)→溢流10分钟→冲水10次→甩干→镜检有无异常(如黄斑)

注意:1)由于圆片上带有光刻胶,腐蚀前须热坚膜,条件是12030min,若腐蚀时间超过3min,腐蚀前热坚膜12030min+15015min,每腐蚀1min30sec加烘12030min

2)甩干后由操作员镜检有无异常情况(如黄斑),如发现异常立即报告带班技术员,交

技术员处理。如一切正常,继续下道工序。

4、混合酸(去背面)

说明:多晶淀积后的背面多晶去除

配比:5.59LHNO3+0.134LHF+2.27LH2O

温度:常温

流程:热坚膜(15030min)→混合酸(1min~2min,上下搅动)→溢流5分钟→冲水→甩干→片检有无异常→BOE漂(背面脱水)→溢流5分钟→湿法去胶→甩干→镜检有无异常

5、硫酸双氧水去胶

说明:去除光刻胶和颗粒

配比:H2SO4H2O2=31

温度:140

流程:15分钟→溢流5分钟→25分钟→冲水10次→甩干

6EKC清洗

说明:金属腐蚀及通孔腐蚀干法去胶后的清洗,去除因干法腐蚀而残留在图形边缘的聚合物

配比:EKC265/IPA

温度:EKC26565

IPA室温

流程:EKC30minIPAⅠ槽2minIPAⅡ槽2min→冲水10次→甩干

六、湿法去胶

1)对于未通电的湿法台,打开EMO,POWER键;对于通电的湿法台,直接进行下一步。

2)如需配液,则戴好一次性手套,小心配制腐蚀液(H2SO4H2O=31)于Ⅰ、Ⅱ槽中,直到浸没黑线为止。先加双氧水、后加硫酸。

3)给腐蚀槽加热按HEATON键,温度设定为140℃。

4)查看工艺流程单、片号、片数是否一致,如发现异常,立即报告线长或带班长。

5)确认无误后,从传送盒里取出片架,用硅片转换器转换到白色的片架里。

6)待温度升高140℃左右,把白色的片架浸泡在Ⅰ号槽中,按TIMERUN,并不断搅动,

到时间后按TIMERUN键,取出白色的片架放入溢流槽中,按ON键,清洗5分钟,完后按OFF键。

7)从溢流槽中取出白片架放入Ⅱ号槽中,并按TIMERUN键,到时间后按TIMESTOP键,

取出白片架放入快冲槽中,按START键,冲好后按STOP键。

8)取出白片架去甩干。

9)开甩干机门,放稳白片架,关紧门,按START键,甩好后,取出白片架,放上新的白片架,关上门。

10)用硅片转换器将硅片转换到原传送盒片架里。

11)到显微镜下查看硅片,有无异常现象,若无异常现象,认真如实填写好流程单,送下一工序。

12)若不工作时,Ⅰ、Ⅱ号槽按HEATOFF处于HOLD状态。再次去胶时需加点双氧水,

步骤如312

*操作过程中始终保持戴洁净的手套

七、清洗机碎片处理(试行)规定:

A.甩干机碎片:(分新旧机,菜单会不同)

1)取出花篮,剔除碎片,将整批圆片和花篮送氧化做兆声清洗

2)清除甩干机内碎片,将甩干机冲水时间设定为3600secrinsepurgedry1dry2转速定为300/秒,空甩一次。

3)将甩干机程序改回原菜单

4)测颗粒:要求>0.5um颗粒增加<10

B.酸槽内碎片:

1)取出花篮,快冲10次,剔除碎片,将整批圆片和花篮送氧化组做兆声清洗;将快冲槽冲水10次。

2)将酸槽降温,排酸,冲水清洗;清除槽内碎片,DIwater冲洗,注满,排空5次。

3)将石英槽注满DIwater,干净颗粒片浸泡3min、甩干,测颗粒。

干净颗粒片快冲10次,甩干,测颗粒。

要求:>0.5um颗粒增加<10个。

C.快冲槽内碎片:

1)取出花篮,剔除碎片,将整批圆片和花篮送氧化组做兆声清洗;将快冲槽冲水10

测颗粒:干净颗粒片快冲10次,甩干,测颗粒。

D.溢流槽内碎片:

1)取出花篮,快冲10次,剔除碎片,将整批圆片和花篮送氧化组做兆声清洗;将快冲槽冲水10次,将溢流槽连续溢流20min

2)测颗粒:干净颗粒片溢流5min,甩干,测颗粒。

其它清洗槽内碎片,请比照上述处理程序执行。

八、湿法搅拌规定:

适用范围:本规定适用于HF酸漂SiO2BOESiO2H2SO4/H2O2去胶、混合酸

去多晶、EKCIPA清洗。

控制要求和工作程序

1.搅拌次数要求

1.1HF酸漂SiO2

a)进槽时搅拌5下以上。

b)中间每隔1分钟搅拌一次,每次搅拌不少于3下。

c)出槽前搅拌5下以上。

1.2BOESiO2

从进槽到出槽不停地搅拌。

1.3H2SO4/H2O2去胶:

a)进槽时搅拌5下以上。

c)出槽前搅拌5下以上。

1.4混合酸去多晶:

从进槽到出槽不停地搅拌。

1.5混合酸去背面(先用混合酸去多晶,然后用BOESiO2):从进槽到出槽不停地搅

拌。

1.6浸润剂浸润:从进槽到出槽不停地搅拌。

1.7IPA1IPA2:进槽和出槽时搅拌5下以上。

1.8EKC清洗:

a)进槽时搅拌5下以上。

b)中间可以不搅拌。

c)出槽前搅拌5下以上。

2.搅拌操作动作要领

2.1进行湿法搅拌时,应注意安全,穿戴好防护器具。

2.2搅拌动作不宜过大,以免化学试剂溅出和擦伤硅片。搅拌时整个花蓝必须保持在液面下,硅片不能露出液面。

2.3搅拌时先将花蓝往后拉2cm左右,再缓慢向前推进4cm,然后返回,称为搅拌一下。要求搅拌一下的时间不少于2秒钟。

3.搅拌的管理要求

3.1湿法腐蚀中的搅拌对产品质量影响极大。但搅拌系人工操作,是否按规定操作完全取决于操作人员的自觉性。因此这个岗位需要选择自觉性高的人员,并对操作人员是否按规定进行操作进行不定期监督检查。

3.2在工作安排上必须确保操作人员具有足够的时间按上述规定进行搅拌。

九、湿法清洗中注意事项:

1.换液规定及注意事项:

换液时,应注意安全,戴好防护器具,不得将腐蚀液溢出滴在隔栅、墙壁和地面上,以防造成沾污,并且不允许将酸瓶直接放在台面上倒液(台面上只准放手柄、白花篮及量杯)。特别是换EKC液时,应将槽中的废液抽尽,同时,不得让废液溢出回收桶或滴在隔栅、墙壁和地面上,以防造成沾污。一旦废液溅出,必须立即处理干净,如有大量废液流至隔栅下,

立即报告技术员。

2.溢流时间要严格控制

溢流后不冲水直接需要转换清洗台时,需溢流十分钟,避免酸液滴在地面上,隔栅下,造成沾污。

3.操作规范化

手拿白花篮操作并走动时,需严格按照规范化操作,不得跑步,嬉闹,更不得单手各捧一个白花篮(尤其是花篮满片时)走动。

4.镜检规定

湿法腐蚀结束本道工艺需镜检时,一定要启动选片架,避免划伤。


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