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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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氢氟酸在新型清洗工艺中的作用

时间: 2021-02-26
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1引言

硅片上的有机﹑无机和颗粒状杂质通常是以化学或物理吸附的方式结合于硅片表面或包埋于硅片自身的氧化膜中。这些沾染物及颗粒状杂质会严重影响器件的性能﹑可靠性和成品率。实验表明,有超过50%的次品是由于清洗不当造成的,

从而使得超净表面的制备工艺成了制作大规模和超大规模(VLSI)集成电路(IC)的关键技术。所谓超净表面即要求硅片表面无颗粒状杂质和有机、金属沾染物(保守地说,表面的金属杂质应少于每平方厘米1010个原子;大于0.1mm的粒子应少于每平方厘米0.1个),无自身氧化物,完全氢终端﹑表面的微观粗糙度要小[1,2]。因此清洗时必须有效地去除表面有机与无机沾染物,而又不侵蚀和破坏硅片表面或导致表面粗糙化。

目前世界各国在半导体器件生产中普遍采用的是Kern于1970年发明的RCA标准清洗方法[1]。自90年代初期,人们开始致力于新型清洗工艺和清洗剂的研究以取代RCA清洗技术。1996年W.A.Cady和M.Varadarajan[3]提出了采用四甲基氢氧化氨[N(CH3)4OH)]与羧酸盐缓冲剂配置的碱性水溶液喷雾清洗法;1997年JoongS.Jeon和SriniRaghavan[4,5]提出了利用兆声波激发臭氧水对硅片进行清洗;1998年GeoffreyL.Bakker[6]等人提出了用水和水/CO2混合溶液在高温、高压下的清洗等等。1995年山东大学光电材料与器件研究所研制成功了含表面活性剂的新型清洗剂和与之配套的新型DGQ系列清洗工艺。它有DGQ-1﹑DGQ-2两种型号,DGQ-1去除油脂类杂质﹑DGQ-2去除金属类杂质,使用时稀释19倍。该清洗技术的清洗效果与RCA清洗技术相当,目前已在半导体分离器件得到了应用。我们对它的清洗效果与标准RCA清洗技术进行了比较,结果表明含表面活性剂水溶液的新型清洗技术在去除有机物和金属杂质离子方面相当于标准RCA清洗工艺[7]。其清洗的硅片,表面平整度高,明显优于标准RCA清洗技术[8],而且新型清洗剂具有无毒﹑无腐蚀性﹑对人体无危害﹑对环境无污染,工艺简单﹑操作方便等优点。HF在清洗中的作用是什么,下面我们以实验来加以说明。

氢氟酸在新型清洗工艺中的作用

2实验结果和讨论

2.1HF稀溶液在DGQ系列清洗工艺中的作用

为了确定HF稀溶液在DGQ系列清洗工艺中的作用,将2英寸的硅圆片分4组分别按照表1中的方法进行清洗。

按照上述四种方法清洗好的硅片用傅立叶变换红外吸收光谱仪测量它们的红外(透过)吸收状况并绘制吸收光谱图,如图1所示。从图1中可以看出谱线中有两个明显的吸收峰,在609波数处的峰是硅衬底吸收峰,1108波数处的吸收是不同价态硅氧化物的复合吸收,其中的尖峰是由+2价态硅氧化物吸收产生的;由曲线3和曲线4可以看出,无论是常规的酸碱清洗还是DGQ系列清洗剂的清洗,在没有HF稀溶液浸泡的情况下,1108波数处的吸收都是不同价态硅氧化物的复合吸收,表明清洗后的硅片表面依然有一层不同价态硅氧化物存在;由曲线1和曲线2可以看出,用HF稀溶液浸泡后清洗的硅片,复合吸收变成仅有二氧化硅的吸收;表明DGQ-1﹑DGQ-2清洗剂与SC-1﹑SC-2一样对硅片表面的硅氧化膜都没有去除作用。因此采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时,首先需用HF稀溶液浸泡硅片,将硅片表面的自然氧化膜去掉,以利于包埋于氧化层内的金属和有机污染物的去除。

Ishizaka证明了标准RCA清洗工艺在对半导体表面清洗的同时,在硅片的表面生成了一层厚度1~1.5nm的二氧化硅钝化膜[9]。比较用标准RCA清洗工艺和用DGQ系列清洗工艺清洗的硅片的红外透过吸收谱,二者除了硅衬底的吸收外,也都有二氧化硅的吸收,而且吸收峰的高度基本相同。这表明用DGQ系列清洗工艺清洗硅片同样在硅片表面生成了一层厚度1~1.5nm的二氧化硅钝化膜。

氢氟酸在新型清洗工艺中的作用

2.2清洗后硅片表面的润湿性能

硅片经不同的清洗工艺清洗后其表面的润湿性能各不相同。为了测定硅片表面的润湿性能,实验中采用了XZD-3型全量程界面张力﹑接触角测试仪,它是利用旋转滴法测量接触角而确定硅片表面润湿性的。接触角示意如图2,根据角度的大小即可判定硅片的润湿状况。

氢氟酸在新型清洗工艺中的作用

2给出了硅片经常规酸碱清洗﹑DGQ系列新型清洗剂清洗和仅用稀HF浸泡20秒后高纯水冲洗的硅片表面的接触角。

氢氟酸在新型清洗工艺中的作用

由图2我们知道,角度越小,表明高纯水从硅片表面排开气泡的能力越强,高纯水与硅片的接触面积也就越大,硅片表面的润湿性也就越好。从表2中可以看到DGQ系列新型清洗剂清洗后的硅片表面的接触角的平均值最小(9.8°),因而润湿性也就最好。

3结论

红外吸收谱测量的结果表明:无论是常规的酸碱清洗还是DGQ系列清洗剂的清洗,在没有HF稀溶液浸泡的情况下,1108波数处的吸收都是不同价态硅氧化物的复合吸收,用HF稀溶液浸泡后清洗的硅片,复合吸收变成仅有二氧化硅的吸收。因此,无论是用标准RCA清洗工艺,还是采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时,首先需用HF稀溶液浸泡硅片,将硅片表面的自然氧化膜去掉,以利于包埋于氧化层内的金属和有机污染物的去除。

采用XZD-3型全量程界面张力﹑接触角测试仪测量接触角表明,DGQ系列新型清洗剂清洗后的硅片表面的接触角为最小,因而润湿性也最好;标准RCA清洗剂清洗的硅片表面的接触角稍大一点,润湿性稍差一些;而仅用HF稀溶液浸泡20秒后高纯水冲洗的硅片接触角为最大,因而润湿性最差。


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