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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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半导体系列之十步图形化工艺流程

时间: 2021-03-01
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同刻蚀一样,干法等离子体工艺也可用于光刻胶去除。将晶圆放置于反应室中.并通入氧气。等离子体场把氧气激发到高能状态,因而将光刻跤成分氧化为气体由真空泵从反应室吸走。术语灰化(ashlng〕用来说明那些设计成用来只去除有机残留物的等离子体工艺。等离子去除需要去除有机和无机两种残留物的工艺。在干法去除机中,等离子体由微波,射频和UV臭氧源共同作用产生。

半导体系列之十步图形化工艺流程

等离子体光刻胶去除的主要优点是消除了液体槽和对化学品的操作。缺点是对于金属离子的去除没有效果。在等离子体场中没有足够的能量使金属离子挥发。需要对等离子体去胶的另一个考虑是高能等离子体场对电路的辐射损伤。采用将等离子体发生室从去除反应室移开的系统设计来减小这个问题。因而称其为下游去除机(downstream strip,这是因为等离子体在晶的下游产生。MOS晶圆在去胶中对辐射影响更加敏感。

工业对干法等离子体工艺取代湿法去除期待已久。然而,氧等离子体不能去除移动离子的佥属污染.并且有一定程度的金属残留和辐射损伤,这使得湿法去除或湿法/于法结合继续保持着光刻胶去除工艺的主流。等离子体去除被用于硬化的光刻般层,然后以湿法来去除未被等离子体去掉的残留物。有专门的湿法去胶机处理这些硬化的光刻胶层。

两个有问题的地方是离子注人后光刻胶的去除和等离子体去除之后,离子注人导致强烈的光刻胶聚合并使表层崆化。一般地,用十法工艺来去除或减少光刻胶,然后再加以湿法上艺。等离子体刻蚀后的光刻餃层同样难以去除。另外,刻蚀可留下残留物,如AlCl3,和/或AlBr3„它们与水或空气反应形成混合物腐蚀金连线。低温等离子体可在这些有害混合物生成腐蚀性化学物前将其去除。另一种途径是在等离子体环境中加人卤元素把不可溶解的金属氧化物降至最低。这是设置工艺参数来完成高效处理(光刻胶去除)而又不引人晶圆表面损伤或金属腐蚀的另一种情况。

最终目检

在基本的光玺工艺中最终步骧是目检。实际上与显影目检是一样的規程.只是大多数的拒收是无法挽回的(不能进行重新工艺处理)-

一个例外是受到污染的品刿可能会被重新清洗并重新目检。最终目檢证明送到下一步晶员的质量,并充当显影目检有效性的一个检验。在显影目检中本应该已被区分,并从本批中拿出的晶称为“显影目检漏检”(developinspectescape)。

半导体系列之十步图形化工艺流程

晶圆在人射白光或紫外线下首先接受表面目检,以检查污点和大的微粒污染。之后是显微镜检验或自动檢验来检验缺陷和图形畸变。对于特定层淹模版的关腱尺寸的洮量也是最终目检的一部分。主要针对的是刻蚀过的图形质量,欠刻蚀和钻蚀是两个核心参数。有很多最终目检中一系列在最终检验中被拒收晶圆的拒收原因。

掩模版制作

之前我们详细说明了电路设计步骤。本章对用于制成掩模版使用的工艺加以了解。最初淹模版由涂上感光乳剂的玻璃板制成。感光乳剂与在照相机胶卷中使用的感光材料相似。这些掩模版容易划伤,在使用中变质,且不能分辨3以下图形“现代最常使用的掩模版使用玻璃涂敷铬技术。这种掩模版制作技术几乎与晶罢一图形复制操作一致(参见图9.30)。实际上目标是相同的。在玻璃掩模版表面的锗薄膜上形成一个图形。首选的模版制作材料是硼硅酸盐玻璃或石英,它们有良好的尺寸稳定性和罎光波长的传播性能。铬涂层的厚度在1000埃的范围内,用溅射法淀积在玻璃上。先进的掩版使用铬、铬氧化物、铬氮化物渡层”。

 

半导体系列之十步图形化工艺流程

掩模版/放大的庵模版制作依据最初的曝光方法(图形产生,激光,电子束)和最后的结果(放大的掩模版或掩模版)有许多不同的方法。有一种使用图形发生器的方法制作掩模版的工艺,这是一个较老的技术方法。图形发生器由一个光源和一系列的电机驱动的快门。带有光刻胶的镀铬掩模版/放大的掩模版在光源下随着快门的打开而移动,来使光形成的精确图形照射到光刻餃上产生预期的图形。放大的掩模版图形以一种步进一重复的工艺被转移到涂有光刻胶的空白掩模版来形成一一个母版。母版用来在一个接触复印机上制作多重工作掩模版。这种设备将母版与涂有光刻胶的空白掩模版接触并有一个用于图形复制的UV光源。每个曝光步骤完成后(图形产生,激光、电子束.母版曝光和接触复印).放大的淹模版/掩模版通过显影.目检,刻蚀.去光刻胶和目检而最终把图形永久地复制到镀铬层上。目检十分关,因为任何朱探测到的错误或缺陷将会潜在造成数千个晶圆报废。这种用途的放大的掩模版一般是在光刻掩模版上的最终镀铬的5-20倍。

具有非常小几何形状并有很窄定位裕度的高端产品要求高质量的放大的淹模版和/或掩模版。用于这种工艺中的放大的掩模版和淹模版是由激光或电子束直接曝光写人方式而制成的(A流程和B流程)。激光曝光使用波长364 nm的I线系统。它可使用标准的光学光胶并且比电子束曝光更快。用一个声波一光学调制器〔AOM)“控制貞接写人激光源的开和关。在所有这些情况中,放大的掩模版或掩模版被加工处理,以在其镀铬层上刻蚀出图形。

 

半导体系列之十步图形化工艺流程

也可以用其他的掩模版/放大的掩模版工艺流程。在A流程中的放大的掩模版可以用激光/电子束制作,或母版可以用激光/电子束制作。VLSI和ULSI级的电路实际上要求无缺陷及尺寸上完美的掩模版和放大的淹模版。从各个方面上的关键尺寸(CD)裕度为10%或更好,留给放大的掩模版4%的错误余量。有一些方法用激光“跳过”的技术来消除不期望的铬点和图形伸出。对于小图形的掩模版和放大的掩模版,聚焦离子束(FIB)是通常首选的修复技术。没有或部分图形丢失可用碳沉积的方法来填补。不透明的或不想要的铬区域以离子束溅射来去除。

对于VLSI和ULSI,分辨率和对准要求非常严格。在1977年,最小特征图形尺寸是3um。到了20世纪80年代中期,突破了1 um障碍。20世纪年代0.5 um已很普遍,并有0.35um的技术计划用于生产电路。电路设计的预期要求在2016年最小栅条尺寸是10-15nm。

半导体系列之十步图形化工艺流程

芯片制造商对于每个电路产品计算要有几个预留量。关踺尺寸(CD)预留量是计算晶员表面形尺寸可允许的变化量。对于亚微米最小特征图形尺寸的产品,CD的余量是10%-15%。另外一个关注是相对于最小特证图形尺寸的关键缺陷尺寸。这两个参数被一起放在一个为产品计算好的误差预留量中。套准(overlay)预留量是整套掩模版可允许的累计定位误差。一个单凭经验的方法是微米或亚微米特征尺寸的电路必须符合最小特征三分之一的标注公差。0.35um的产品,允许的套准预留量大约是0.1um。

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