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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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窄带滤光片的分析与设计

时间: 2021-03-02
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窄带滤光片是用于密集波分复用光纤通信系统,是其关键器件之一,它通常是全介质滤光片,也就是间隔层与反射层都是由镀制介质薄膜形成,其特点是镀制难度高,成品率低,成本高等。所以首先由电磁场传播的麦克斯韦方程出发,理论分析了薄膜的光学特性系统。然后考虑了间隔层厚度、反射层的反射率对滤光片光谱特性的影响。结合给定的技术指标,按照法布里-珀罗多层介质薄膜滤波器的原理,设计出一种可用于光通信密集波分复用系统的窄带滤光片,并利用离子束溅射镀膜机在玻璃基片上完成滤光片的镀制,并且所镀制出的滤光片符合设计指标的要求。

一、窄带滤光片的研究现状

为了适应我国光通信业高速发展的实际需求,通过对窄带干涉滤光片的优化结构、设计、分析和修正技术进行深入研究,在滤光片的主膜系镀制工艺技术方面有所突破;实现了改造进口设备性能,完成了镀膜材料的部分国产化;了解了高致密性、低损耗膜层的制备技术,还有高精度实时监控技术;生成提高了镀制后的减薄、抛光和划片工艺;建立完善了检测系统。同时还形成了一套较为完整的光通信,用于窄带干涉滤光片产业化生产技术。并实现了100GHz200GHz产品批量化生产,经检测产品质量稳定,通过国内外用户试用,窄带干涉滤光片产品的总体性能及生产技术均已达到国际先进水平。

二、窄带滤光片在WDM系统中的应用

作为波分复用系统的核心器件,复用/解复用器是将不同波长的光信号汇集到一根光纤输出的器件,称为复用器,而将一根光纤中的多路波长信号分离到各输出口的器件,称为解复用器。介质薄膜窄带干涉滤光片主要应用就是复用/解复用器。而插入损耗、隔离度、温度稳定性、工作波长范围、偏振相关损耗、各通路插入损耗的最大差异等是其主要性能指标。

目前,在DWDM光纤通信系统中应用的窄带滤光片,一般多采用全介质窄带滤光片,这种滤光片的镀膜层数很多,通常有一两百层,所以对于镀膜时的监控精度要求极高,尤其是对于镀制间隔层的精度就要求更高,要达到要求的光谱特性,其误差必须低于0.01%,甚至更低,因此选用控制精度极高的镀膜设备是必要的。

三、窄带滤光片的理论依据

1.光波中的电磁波理论

从理论上讲,窄带滤光片的光学特性研究,就是电磁波通过多层介质薄膜间传播的研究。因此,麦克斯韦方程组是处理光学薄膜系统问题的最基本的方法。

2.在介质界面上光波的反射与折射

有若干介质界面存在于光学膜系中,各介质界面上的反射和折射规律关系到膜系的光学性质与光波。须考虑光波从复折射率的介质入射到该介质时,与另一介质的复折射率界面的反射和折射过程。

3.光学薄膜的特征矩阵

对于无吸收的介质光学薄膜,其特征矩阵的显著特点从三方面考虑:行列式值为1,即单位模矩阵;对角元素或者是实数,或者是纯虚数;最重要的是主对角线上的元素相等。在有效的光学厚度为四分之一波长的整数倍时,特征矩阵变得非常简单。

四、窄带滤光片的设计

1.法布里-珀罗滤光片

法布里-珀罗滤光片分有单腔与多腔之分,在法布里-珀罗干涉仪的基础上改进了单腔法布里-珀罗窄带滤光片。从单腔滤光片的分析可以看出,三角形的带通不能满足DWDM系统中对通带陡降特性和相邻信道隔离度的指标要求。多腔滤光片是将多个单腔滤光片串置起来,中间用耦合层连接得到的,和单腔滤光片相比,多腔窄带滤光片的通带形状更接近于矩形,透射带不再是一个尖峰,这样可以使稍稍偏离中心波长的光也能透过滤光片而不引起大的损耗;同时加快了透射率在透射带边缘下降的速度。

2.设计方法

通过对多腔窄带滤光片结构研究可以得出,在镀膜材料确定后,串接的单腔窄带滤光片的个数p,各单腔反射层HL的对数n,各单腔的干涉级次m,间隔层的特征t,共同决定了多腔窄带滤光片的基本光谱特性。也可以说是,通过利用最优化原理,把p,n,m,t作为自变量,由计算机自动寻优来找到适合通信系统要求,同时还求到满足工艺条件的解。

这样,窄带滤光片由多个单腔串接而成,其中每个单腔窄带滤光片的特征参数都是正整数。可以将寻优问题归结为整数规划问题,其函数就是组成多腔窄带滤光片所串接单腔的个数p,各单腔窄带滤光片的膜结构参数、看作是可寻优的整形变量以及评价函数。

窄带滤光片若是WMS-15玻璃上的两种镀膜材料的和,一般用多个单腔串接,配以适当的参数就能满足光谱要求。间隔层多数选择低折射率材料,其原因有三个:在满足工艺要求的前提下,同样一个四分之一光学厚度的材料,镀制蒸发速率低;价格较高材料比;若材料镀得太厚,镀膜层易龟裂。

综上所述,制备的滤光片虽然满足技术指标要求,但中心波长与理论设计曲线相比仍然有少量漂移,实现中心波长的零漂移以及提高峰值透过率将是日后研究和改进的方向。


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