欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829
 
 
 
新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
新闻中心 新闻资讯

氮化镓外延片制造方法

时间: 2021-04-08
点击次数: 17

多量子阱层和电子阻挡层;

在电子阻挡层上生长高温P型层,高温P型层由多个周期的超晶格结构组成,

每个周期的超晶格结构均包括InGaN层和BGaN层,InGaN层的生长温度小于BGaN层的生长温度,InGaN层的生长压力大于BGaN层的生长压力;在高温P型层上生长P型接触层。

InGaN层的生长温度为800~1000℃。

BGaN层的生长温度为900~1100℃。

InGaN层的生长压力为400~600torr。

BGaN层的生长压力为100~200torr。

InGaN层和BGaN层的厚度相等。

高温P型层的厚度为50~300nm。

高温P型层包括n个周期的InGaN/BGaN超晶格结构,2≤n≤20。

InGaN层为In x Ga 1-x N层,0

BGaN层为B y Ga 1-y N层, 0 . 05

氮化镓外延片制造方法

        图1

氮化镓外延片制造方法

2

1是例提供的一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法流程图;

2是例提供的另一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法流程图。

1是例提供的一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法流程图,

如图1所示,该制造方法包括:

衬底可以为蓝宝石衬底。

步骤102、在衬底上依次生长低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和电子阻挡层。 低温缓冲层可以为GaN缓冲层,厚度为20~50nm。三维成核层可以为GaN层,厚度为400~600nm。二维恢复层可以为GaN层,厚度为500~800nm。未掺杂的GaN层的厚度可以为1~2um。N型层可以为掺Si的GaN层,厚度为1~3um。

多量子阱层可以包括6~12个周期的超晶格结构,0.1

高温P型层由多个周期的超晶格结构组成, 每个周期的超晶格结构均包括InGaN层和BGaN层,InGaN层的生长温度小于BGaN层的生长温度,InGaN层的生长压力大于BGaN层的生长压力。

高温P型层的厚度可以为50~300nm。步骤104、在高温P型层上生长P型接触层。P型接触层可以为重掺Mg的GaN层,厚度为10~100nm。例通过生长由多个周期的InGaN/BGaN超晶格结构组成的高温P型层,InGaN/BGaN超晶格结构能够产生较强的极化电场,使高温P型层的价带发生显著的倾斜,更多的受主能级处在费米能级的下方,能最大程度地提高Mg的电离,从而可以提高高温P型层中的空穴浓度。且InGaN/BGaN超晶格中强烈的极化电场可获得高浓度的二维空穴气,二维空穴气有很高的空穴迁移率,从而可以提高高温P型层中的空穴迁移率,更多的电子和空穴可以在多量子阱层进行辐射发光,最终提高了LED的发光效率。InGaN层的生长温度小于BGaN层的生长温度,低温有利于提高InGaN层中In的并入,高温有利于BGaN层中B的并入,从而可以保证InGaN/BGaN超晶格结构产生较强的极化电场。InGaN层的生长压力大于BGaN层的生长压力,InGaN层生长压力相对偏高,有利于InGaN层偏向三维生长,BGaN层的生长压力相对偏低,有利于BGaN层偏向二维生长。由于InGaN层偏三维生长会使得外延层表面变得粗糙,而BGaN层偏二维生长能够快速填平InGaN层的三维形貌,得到比较平坦的外延层表面。因此,采用提供的制造方法既能保证外延层的表面良率,又能保证高温P型层中In组分和B组分的有效并入,使得InGaN/BGaN超晶格结构能够产生较强的极化电场,提高高温P型层中的空穴浓度和空穴迁移率,最终提高LED的发光效率。图2是例提供的另一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法流程图,如图2所示,该制造方法包括:其中,衬底可采用[0001]晶向的Al 2 O 3 蓝宝石衬底。

步骤201还可以包括:将衬底在氢气气氛中退火1~10min,以清洁衬底表面,将衬底放置到MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition,金属有机化合物化学气相沉淀) 设备的反应室内 ,然后在氢气气氛中退火处理1~10min,清洁衬底表面,退火温度在1000℃~1200℃之间,压力在200torr~500torr之间。需要说明的是,例提供的外延层包括低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、应力释放层、前级多量子阱层、多量子阱层、电子阻挡层、高温P型层以及P型接触层,外延层中的各层均可以采用MOCVD法生长。在具体实现时,通常是将衬底放在石墨托盘上送入MOCVD设备的反应室中进行外延材料的生长,因此上述生长过程中控制的温度和压力实际上是指反应室内的温度和压力。具体地,采用三甲基镓或三甲基乙作为镓源,三乙基硼作为硼源,氨气作为氮源,三甲基铟作为铟源,三甲基铝作为铝源,N型掺杂剂选用硅烷,P型掺杂剂选用二茂镁。

步骤202、在衬底上生长低温缓冲层。其中,低温缓冲层可以为GaN缓冲层。

将反应室内温度调整至400℃~600℃,压力调整至100~300torr,生长20~50nm的低温缓冲层。

步骤203、在低温缓冲层上生长三维成核层。在本例中,三维成核层可以为GaN层。将反应室温度调节至1000~1080℃,反应室压力控制在250~550torr,生长厚度为400~600nm的三维成核层,生长时间为10~30min。步骤204、在三维成核层上生长二维恢复层。在本例中,二维恢复层可以为GaN层。将反应室温度调节至1050~1150℃,反应室压力控制在100~500torr,生长厚度为500~800nm的二维恢复层,生长时间为20~40min。步骤205、在二维恢复层上生长未掺杂的GaN层。将反应室温度调节至1050~1200℃,反应室压力控制在100~500torr,生长厚度为1~2um的未掺杂的GaN层。步骤206、在未掺杂的GaN层上生长N型层。

将反应室温度调节至1050~1200℃,反应室压力控制在100~500torr,生长厚度为1~3um的N型层。步骤207、在N型层上生长应力释放层。

应力释放层可以由2~8个周期的GaN/InGaN超晶格结构组成。其中,GaN层的厚度可以为10~20nm,InGaN层的厚度可以为1~2nm,InGaN层中的In含量可以为5%~40%。

将反应室温度调节至750~920℃,反应室压力控制在100~300torr,生长应力释放层。步骤208、在应力释放层上生长前级多量子阱层。其中,前级多量子阱层可以由5~10个周期的In a Ga 1-a N/GaN和超晶格结构组成,0

具体地,步骤208可以包括:

将反应室温度调节至770℃ ~835℃ , 反应室压力控制在100~300torr,将反应室温度调节至820℃~920℃ ,反应室压力控制在100~300torr,生长GaN

层。步骤209、前级多量子阱层上生长多量子阱层。

 多量子阱层可以包括6~12个周期的超晶格结构,每个超晶格结构均包括

In b Ga 1-b N阱层和GaN垒层,0.1

具体地,步骤209可以包括:

将反应室温度调节至750~830℃,反应室压力控制在100~500torr,生长In b Ga 1-b N阱层。

将反应室温度调节至850~900℃ ,反应室压力控制在100~500torr,生长GaN垒层。步骤210、在多量子阱层上生长电子阻挡层。

电子阻挡层可以为P型Al z Ga 1-z N层,厚度可以为15~80nm,0. 1

将反应室温度调节至900~1000℃,反应室压力控制在100~500torr,生长电子阻挡层。步骤211、在电子阻挡层上生长高温P型层。

高温P型层由多个周期的超晶格结构组成, 每个周期的超晶格结构均包括

InGaN层和BGaN层,InGaN层的生长温度小于BGaN层的生长温度,InGaN层的生长压力大于BGaN层的生长压力。

由于InGaN层中的In含量和BGaN层中的B含量越多,InGaN层和BGaN层之间的极化效应越强,高温P型层中Mg掺杂效率就会越高。但是InGaN与BGaN之间的晶格失配也会更大,会导致更多的位错产生,使高温P型层的晶体质量下降更严重。因此,需将InGaN层中的In含量和BGaN层中的B含量限制在一定范围内。

InGaN层为In x Ga 1-x N层,0

BGaN层为B y Ga 1-y N层,0. 05

InGaN层的生长温度为800~1000℃。若InGaN层的生长温度低于800℃,则会导致形成的InGaN层的晶体质量较差。若InGaN层的生长温度高于1000℃,则不利于InGaN层中In的并入。InGaN层的生长温度为900℃。

BGaN层的生长温度为900~1100℃。若BGaN层的生长温度低于900℃,则不利于BGaN层中B的并入。若BGaN层的生长温度高于1000℃,则会导致InGaN层中的In组分析出,从而会减弱InGaN/BGaN超晶格产生的极化电场。BGaN层的生长温度为1000℃。

 InGaN层的生长压力为400~600torr。 若InGaN层的生长压力低于400torr, 则不利于InGaN层的三维生长。若InGaN层的生长压力高于600torr, 则会使得InGaN层表面变得过于粗糙,后续不易填平,从而导致外延层的表面过于粗糙,影响外延层的晶体质量。

BGaN层的生长压力为100~200torr。若BGaN层的生长压力低于100torr,则会导致BGaN层的生长速率过快,在填平InGaN层时可能会产生更多的位错,影响晶体质量。若BGaN层的生长温度高于200torr,则不利于BGaN层的二维生长。InGaN层和BGaN层的厚度相等,以便于生长控制。

InGaN层和BGaN层的厚度均为3~5nm。高温P型层的厚度为50~300nm。若高温P型层的厚度小于50nm,则外延表面会较为粗糙,外延层的晶体质量较差。若高温P型层的厚度大于300nm,则高温P型层的吸光会较为严重,从而导致LED的出光效率下降。

高温P型层包括n个周期的InGaN/BGaN超晶格结构,2≤n≤20。步骤212、在高温P型层上生长P型接触层。其中,P型接触层可以为重掺Mg的GaN层,厚度为10~100nm。将反应室温度调节至850~1000℃,反应室压力控制在100~300torr,生长P型接触层。

在上述步骤完成之后,将反应室的温度降至650~850℃,在氮气气氛进行退火处理5~15min,而后逐渐降至室温,结束发光二极管的外延生长。

通过生长由多个周期的InGaN/BGaN超晶格结构组成的高温P型层,InGaN/BGaN超晶格结构能够产生较强的极化电场,使高温P型层的价带发生显著的倾斜,更多的受主能级处在费米能级的下方,能最大程度地提高Mg的电离,从而可以提高高温P型层中的空穴浓度。且InGaN/BGaN超晶格中强烈的极化电场可获得高浓度的二维空穴气,二维空穴气有很高的空穴迁移率,从而可以提高高温P型层中的空穴迁移率,更多的电子和空穴可以在多量子阱层进行辐射发光,最终提高了LED的发光效率。InGaN层的生长温度小于BGaN层的生长温度,低温有利于提高InGaN层中In的并入,高温有利于BGaN层中B的并入,从而可以保证InGaN/BGaN超晶格结构产生较强的极化电场。InGaN层的生长压力大于BGaN层的生长压力,InGaN层生长压力相对偏高,有利于InGaN层偏向三维生长,BGaN层的生长压力相对偏低,有利于BGaN层偏向二维生长。由于InGaN层偏三维生长会使得外延层表面变得粗糙,而BGaN层偏二维生长能够快速填平InGaN层的三维形貌,得到比较平坦的外延层表面。因此,采用本发明提供的制造方法既能保证外延层的表面良率,又能保证高温P型层中In组分和B组分的有效并入,使得InGaN/BGaN超晶格结构能够产生较强的极化电场,提高高温P型层中的空穴浓度和空穴迁移率,最终提高LED的发光效率。


Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开