欢迎访问华林科纳(江苏)半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829
 
 
 
新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
新闻中心 新闻资讯

紫外光表面清洗技术与UV光清洗机

时间: 2021-04-12
点击次数: 265

一、 紫外光表面清洗和改质的工作原理

低压紫外汞灯发射的双波段短波紫外光照射到试件表面后,与有机污染物发生光敏氧化作用,不仅能去除污染物而且能改善表面的性能,从而提高物体表面的浸润性和粘合强度,或者使材料表面得到稳定的表面性能。根据不同需要,既可以对物体进行紫外光表面清洗,也可以进行紫外光表面改质(或叫表面改善),紫外光表面清洗和改质的机理有相同点,但也有区别。

1.1紫外光清洗工作原理

VUV低压紫外汞灯能同时发射波长254nm和185nm的紫外光,这两种波长的光子能量可以直接打开和切断有机物分子中的共价键,使有机物分子活化,分解成离子、游离态原子、受激分子等。与此同时,185nm波长紫外光的光能量能将空气中的氧气(O2)分解成臭氧(O3):254nm波长的紫外光的光能量能将O3分解成O2和活性氧(O),这个光敏氧化反应过程是连续进行的,在这两种短波紫外光的照射下,臭氧会不断的生成和分解,活性氧原子就会不断的生成,而且越来越多,由于活性氧原子(O)有强烈的氧化作用,与活化了的有机物(即碳氢化合物)分子发生氧化反应,生成挥发性气体(如CO2,CO,H2O,NO等)逸出物体表面,从而彻底清除了粘附在物体表面上的有机污染物。

紫外光表面清洗原理表达式:

紫外光表面清洗技术与UV光清洗机 

1.2紫外光改质工作原理

低压紫外汞灯发射的185nm和254nm波长的紫外光除有清洗去除物体表面的有机污染物的功能外,而且还能够进行表面改质。其基本原理为:光子能量把物体的表层分子键打开的同时拉出H原子和C原子,与空气中的氧气分解出来的活性氧(O)生成极性很强的原子团(OH,CHO,COOH)即羟基等活性基,同时材料表面有机污染物的清洗效果显著,活化的基体表面具有良好的粘合力和键合特性,这些羟基和涂料、粘合剂、电镀材料相结合,形成新的化学键,从而使材料表面得到通常情况下得不到的很强的粘结强度,或者使材料得到稳定的表面性能。

紫外光表面改质原理表达式:

紫外光表面清洗技术与UV光清洗机 

二、紫外光表面清洗和改质技术的先进性

2.1光清洗技术是随着当代光电子信息技术发展起来的,光电子产品的高性能、微型化要求表面洁净度越来越高,常规的清洗方法(如水洗、化学溶液洗、超声波清等)已不能满足要求,UV光清洗能够达到常规的清洗方法难以达到的高清洁度,而且不存在三废处理问题,有利于环境保护。

2.2光清洗是在常温、常压的环境中进行的,是一种非接触式的干法清洗技术。光清洗时被清洗的表面除了光子,不与任何物体发生接触,因为有机物经过紫外光照射发生光敏氧化反应后,生成可挥发性气体(CO2、CO、H2O等)从表面消散,随着排风系统抽走,不可能重返被清洗的表面,不会像溶液清洗时发生二次污染。

2.3一般情况下,光清洗的表面不会受到损伤,由于光子的能量相对比氩等离子体溅射或惰性气体离子轰击的能量小,光清洗后的表面不会受到损伤或发生晶体缺陷的现象。

2.4光清洗对物体表面微细部位(如孔穴、微细沟槽等)具有有效而彻底的清洗效

果。由于紫外光是纳米短波紫外线,能够射入材料表面的极为细微的部位,发生光敏

氧化反应,充分表现出光清洗的彻底性。

2.5世界上先进工业化国家已经开始将光清洗技术由光电产品向金属、光学、塑料、橡胶等相关产品的生产过程发展,光清洗技术的应用范围十分广阔,具有很强的

技术生命力。

二、 光清洗效果实例

曾用自行研制的系列UV光表面清洗机(GQX-LX型、GQX-WF型等)对白玻璃、ITO玻璃、半导体材料、光学玻璃、铬板玻璃、膜块、液晶屏斑马线以及残余的光刻胶和聚酰亚胺等多种材料进行了光清洗试验,均取得了满意效果。经过光清洗后的物体表面清洁度更高,浸润性更好,粘合力更强,可使脏点、黑点、白点、针孔、起皮等影响涂敷的质量问题大大减少,膜层更加牢固。

3.1对ITO玻璃用GQX—LX光清洗机进行光清洗前后对比试验,检测情况如下:

3.1.1采用扫描俄歇微探针仪对LCD用ITO玻璃样片进行光清洗试验的检测结果

紫外光表面清洗技术与UV光清洗机 

a光清洗前

紫外光表面清洗技术与UV光清洗机 

b光清洗后

1ITO玻璃样片光清洗前后的俄歇能谱分析曲线对比图

 

对相同的二片ITO玻璃基片,同时进行严格的化学溶液清洗,再把其中一片置于光清洗工作室内进行光清洗,然后把二片基片同时送入扫描俄歇微探针仪中进行分析。图1为ITO玻璃基片光清前后的俄歇能谱分析曲线的对比图。纵坐标为元素能谱能量,横坐标为元素能谱位置,C元素能谱位置为271.5,从能谱图上可知:图1a未经光清洗的ITO玻璃片的俄歇能谱曲线,我们可以看出对应271.5能谱位置上能谱曲线有明显的碳峰,而碳峰是表征碳氢化合物(有机污染物)存在与否的标示;图1b是经光清洗后ITO玻璃的俄歇能谱曲线,此曲线上的碳峰消失了,这表明经过光清洗后,ITO玻璃基片表面上的有机污染物已经清除,达到了原子清洁度。

3.1.2与上述同一试验,采用接触角测试仪对ITO玻璃样片进行光清洗试验的检测结果

紫外光表面清洗技术与UV光清洗机 

2ITO玻璃样片光清洗前后的接触角测试对比图

 

本次接触角测试是在普通工作间进行的,光清洗后的ITO玻璃在空气中会受到二次污染。接触角测试法是一种半定量检测方法。从图2可以看出光清洗后接触角下降了24.23度,表明ITO玻璃表面的洁净度大大提高了。

3.2对OLED用ITO玻璃光清洗前后进行检测结果我们用GQX-WF02UV光清洗机在北京某公司OLED生产线,采用经过化学清洗后的ITO玻璃进行了光清洗前后对比试验,并送清华大学分析中心检测,其俄歇能谱曲线如下:

紫外光表面清洗技术与UV光清洗机 

由图3可知,经过严格的化学清洗后,样品表面依然存在碳峰,再经过光清洗后,碳峰被彻底清除。GQX-WF02光清洗机一年后的反馈报告中指出:「ITO玻璃在涂膜前经过光清洗能够提高表面的洁净度,增加表面润湿性和粘接强度,对提高OLED产品质量是有益的。」

3.3对半导体砷化镓(GaAs)光清洗效果检测结果我们采用由北京某公司提供的GaAs晶片,对经过化学清洗后的GaAs晶片进行光清洗,其对比如下:

紫外光表面清洗技术与UV光清洗机 

4半导体砷化镓(GaAs)光清洗前后俄歇能谱曲线对比

 

由图4可知,砷化镓样品化学清洗后表面碳峰较大,再经过光清洗后,碳峰彻底去除。

3.4对电子膜块进行光清洗结果:2007年6月上海某航天研究所在使用GQX-WF03光清洗机对电子膜块加工工艺后出具的使用反馈报告指出:关于光清洗效果的检测方法较多,例如:水滴检查法、水膜检查法、水蒸气检查法、接触角检测法、扫描俄歇微探针仪和X射线光电子能谱仪检测方法去检查其清洁度。其中扫描俄歇微探针仪和X射线光电子能谱仪检测方法是定量检测,精度最高。

四、光清洗技术的应用范围

光清洗技术的应用范围十分广泛,目前在现代信息技术行业中使用光清洗技术比较普遍,随着我国工业现代化的发展,光清洗和光改质技术还将逐步应用于金属、塑料、橡胶等工业生产领域。

4.1在LCD、OLED生产中,在涂光刻胶、PI胶、定向膜、铬膜、色膜前经过光清洗,可以极大的提高基体表面润湿性,增强基体表面的粘合力;

4.2印制电路板生产中,对铜底板,印刷底板进行光清洗和改质,在导线焊接前进行光清洗,可以提高熔焊的接触面积,大大增加连接强度。特别是高精度印制电路板,当线距达到亚微米级时,光清洗可轻易地去除在线距之间很小的微粒,可以大大提高印制电路板的质量。

4.3大规模集成电路的密度越来越高,晶格的微细化越来越密,要求表面的洁净度越来越高,光清洗可以有效地实现表面的原子清洁度,而且对芯片表面不会造成损伤。

4.4在半导体生产中,硅晶片涂保护膜、铝蒸发膜前进行光清洗,可以提高粘合力,防止针孔、裂缝的发生。

4.5在光盘的生产中,沉积各种膜前作光清洗准备,可以提高光盘的质量。

4.6磁头固定面的粘合,磁头涂敷,以及提高金属丝的连接强度,光清洗后效果更好。

4.7石英晶体振荡器生产中,除去晶体检测后涂层上的墨迹,晶体在银蒸发沉积前,进行光清洗可以提高镀膜质量和产品性能。

4.8在IC卡表面插装ROM前,经过光清洗可提高产品质量。

4.9彩色滤光片生产中,光清洗后能彻底洗净表面的有机污染物。

4.10敷铜箔层压板生产中,经过光照改质,不仅表面洁净而且表面形成十分均匀的保护氧化层,产品质量显著提高。

4.11光学玻璃经过紫外光清洗后,镀膜质量更好。

4.12树脂透镜光照后,能加强与防反射板的粘贴性。

4.13对清除石蜡、松香、油脂、人体体油、残余的光刻胶、环氧树脂、焊剂,以及带有氧化膜的金属表面处理,去除导电聚酰亚胺粘合剂上的有机污染物,光清洗是十分有效的方法。

免责声明:文章来源于网络,如有侵权请联系作者删除。


Copyright ©2005 - 2013 华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋高新区桃金东路90号
电话:0513-87733829
Email:xzl1019@aliyun.com
www.hlkncse.com

传真:0513-87733829
邮编:226500


X
1

QQ设置

3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开