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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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抛光片IPA干燥技术研究

时间: 2021-04-12
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1Marangoni干燥机理分析:

Marangoni干燥原理如图1所示,晶片在IPA气氛下与水分离(可通过晶片提拉或水慢排的方式实现),完全分离后,流体慢排使花篮干燥,开启排风将IPA蒸汽抽掉,同时通入氮气吹干晶片表面残留的IPA。

抛光片IPA干燥技术研究 

IPA蒸汽存在的环境中,由于IPA的表面张力比水小得多(25℃,IPA表面张力为20.9×10-3N/m:水的表面张力为72.8×10-3N/m),所以会在坡状水流表层形成表面张力梯度,产生Marangoni对流,使水更容易从晶片表面脱离。

抛光片IPA干燥技术研究 

1中的第2个步骤“晶片缓慢提拉”是Marangoni干燥的核心环节.提拉过程中,晶片表面的水会呈坡状流下,如图2所示,如果两片晶片距离很近(例如处在花篮的相邻槽中),这种坡状水流会相连为弯月形[1].这种坡状水流的最高点与晶片接触,主要受到4种力的作用,即水的重力G,晶片/水的界面张力γls,晶片的表面张力γs和水的表面张力γl,θ为水与晶片的接触角,如图3所示。

2实验部分

利用100mm(4英寸)硅抛光片进行IPA干燥,分两组实验,干燥后利用光散射测试系统检测水痕缺陷。

A组:分别在提拉速率1mm/s、2mm/s和3mm/s下进行不同IPA流量的Marangoni干燥,减压排风阶段氮气流量80L/min。B组:提拉速率1mm/s、IPA流量20L/min下进行Marangoni干燥减压排风阶段氮气流量设置为(10~100)L/min,每次增幅10L/min。C组:调整提拉高度,造成晶片与花篮的不同程度脱离。

3结果与讨论

3.1Marangoni干燥的影响因素Marangoni对流的形成本质是IPA浓度梯度,而水从表面的脱离效果又与晶片提升速度密切相关。图4给出了不同提拉速率下IPA流量与水痕比例的关系。从图4中可以看出,在没有IPA供给时,晶片水痕的出现比例是100%,随着IPA流量的增加,水痕比例有明显的下降趋势,当流量增加到一定范围时,水痕比例又出现平缓增长的趋势。图5显示了几种IPA流量下的典型水痕缺陷。

抛光片IPA干燥技术研究 

抛光片IPA干燥技术研究 

在没有IPA蒸汽的情况下,晶片表面的水主要受到重力和水表面张力的作用向下流动,当晶片露出水面1/2后,晶片与水面的交界线开始收缩,晶片表面的水受到的宏观向下的力开始变小,当晶片完全脱离水面后,晶片下半部分仍有大量水存在,这些表面附着的水在氮气中被吹干,形成了颗粒群和氧化物构成的水痕缺陷,如图5(a)所示,这表明单纯依靠慢速提拉难以获得良好的干燥效果。如果在晶片提拉过程中,通入IPA蒸汽,产生Marangoni效应,可使干燥效果大幅度提高,水痕缺陷变少变小,如图5(b)和图5(c)所示。但是。绝非IPA蒸汽流量越大越好,实验中IPA流量超过60L/min后,晶片表面会呈现无规则缺陷,如图5(d)所示,这是因为IPA蒸汽在腔体内积聚,在晶片表面冷凝形成液体薄层,在减压排风后挥发掉,残留下各种形态的干燥缺陷。从图4中还能发现提拉速率对干燥效果有着明显影响,低速提拉更容易获得良好的干燥效果,但过低的提拉速率会降低干燥效率,并使得干燥效果变得不稳定。另一个非常重要的现象是:即使在IPA蒸汽存在的情况下,无论如何设置蒸汽流量或提拉速率,当晶片脱离水面后,底部仍会有少量水存在,难以完全消除。事实上,Marangoni干燥产生的水痕大多出现在晶片底部,其直接原因即是晶片完全脱离水面后底部仍有残水。如何不留痕迹地消除底部残水,是IPA干燥的另一个核心环节。3.2底部残水的去除晶片完全脱离水面后,底部的残水只能通过蒸发去除,所以此部分的核心内容是营造合适的蒸发环境。为获得良好的蒸发效果,此步骤进行减压排风是必要的,同时还要持续供给氮气,使其在去除腔体内的IPA蒸汽的同时形成流动气流,加快底部残水的蒸发。根据伯努利原理,氮气的流量对残水的蒸发效果有着重要影响,图6是不同氮气流量下的晶片干燥状况,表明氮气流量越大,晶片的干燥效果越好。

抛光片IPA干燥技术研究 

6同时表明,单纯依靠氮气吹拂,会有相当一部分晶片底部的残水不能被完全去除,这是生产工艺所不能容忍的,并且氮气吹拂下水的蒸发速率很慢,水与晶片界面长时间存在并暴露在气体中,较容易发生氧化反应,形成局部氧化缺陷。实验表明,此步骤如果通入适量的IPA蒸汽,可以帮助残水尽快在晶片表面铺展开来,其原理如图7所示,以加快残水的蒸发。必须指出的是,虽然同样是IPA的作用,但此步骤已不再是Marangoni效应范畴,对IPA流量和供给时间有了不同的要求。

抛光片IPA干燥技术研究 

3.3干燥过程中花篮对晶片的影响在多片干燥过程中,花篮对晶片干燥效果的影响是不能回避的。花篮是承载晶片的容器,需要与晶片一并被干燥,但是其结构远比晶片复杂得多,在干燥中需要进行专门讨论。晶片与花篮具有面接触,二者同时进行IPA干燥时,面接触部位(通常为沟槽)的水难以在Marangoni干燥步骤完全消失,而长时间存留在沟槽内,最终导致氧化性缺陷。片、篮在干燥中的分离设计有助于降低水痕缺陷的比例,如表1所示,当片、篮处于半分离状态时,二者的接触面相对下降,晶片两侧的水流到晶片底部,造成底部水痕缺陷比例增加;当片、篮处于完全分离状态时,接触面的影响被消除,水痕比例有明显下降,但是随着片、篮分离程度的增加,整体干燥时间也会增加。

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