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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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制绒设备工序流程

时间: 2016-03-23
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 单晶制绒操作工艺
       单晶硅片制绒工艺流程,主要包括以下几个方面。


  1.装片
       ①戴好防护口罩和干净的橡胶手套。
       ②将仓库领来的硅片从箱子中取出,以2o0片为一个生产批次,把硅片插入清洗小花篮,在装片过程中,由于硅片易碎,插片员需轻拿轻放;来料中如有缺角、崩边、隐裂等缺陷的硅片,不能流人生产线,及时报告品管员,将这些硅片分类放置、集中处理;有缺片现象时,要在缺片记录上记录缺片的批号、厂商、箱号和缺片数。
       ③在“工艺流程卡”上准确记录硅片批号、生产厂家、电阻率、投入数、投入时间和主要操作员。
       ④装完一个生产批次后,把“工艺流程卡”随同硅片一起放在盒架上,等待制绒。


  
2.开机
       ①操作员打开工艺排风,打开压缩空气阀门,打开设备进水总阀。
       ②操作员打开机器电源,待设备自检完成并显示正常后,在手动操作界面下手动打开槽盖,检查槽盖的灵活性,检查机械手运行是否正常。
       ③操作员将装好硅片的小花篮放在花篮承载框中,然后将承载框搬到上料台上。
       ④操作员在“手动”模式下检查单晶制绒工艺参数是否正常,按照工艺参数,计算出
所含有naoh、na2sio3、(ch3)2choh和酒精的量,配溶液之前先清洗好制绒槽。关闭排水阀,打开进水阀门,向制绒槽中缓慢加入78℃的纯水,然后向槽中加人naoh,打开循环泵,充分搅拌均匀,(ch3)2choh和添加剂在上料时加入制绒槽(化学药品的添加顺序不能混淆),按照要求向氢氟酸槽和盐酸槽中加入hf和hcl。
       ⑤操作员将运行模式设置为“自动”,按“启动”键启动程序。


   3.生产过程
       ①将装好硅片的小花篮放在花篮承载框中,然后将承载框搬到上料台上。
       ②工艺槽温度设定和启动加热。根据参数设定工艺温度,启动加热器使槽内液体升温。要特别注意:槽内没有水或溶液不能开加热器,否则会烧坏加热器。每次只能启动3个槽同时加热,待恒温后,再启动另外3个槽。
       ③加热制绒液体到设定温度以后,根据本班目标生产量在控制菜单上进行参数设置(包括粗抛、碱蚀、喷淋、鼓泡漂洗时间和产量的设置)。
       ④参数设置完毕,在手动状态下按“复位”键,运行模式拨到“自动”状态,按“启动”键,机器进行复位,待机械手停止运动后即可上料生产。若不立即生产,则暂时拨回“手动”状态。
       ⑤配制溶液
       a.浓度要求  粗抛液的浓度要求为:粗抛液中naoh:h2o=11.8%(质量比);粗抛液自动补碱箱中naoh:h2o=15%(质量比);制绒液中naoh:h2o=1.76%(质量比),na2sio3:h2o=1.26%(质量比),c2h5oh:h2o=5.0%(体积比)。
       b.溶液配置过程
       粗抛液配置过程  清洗好粗抛槽,关闭排水阀门,打开进水阀门,向槽中缓慢放水,同时向槽中倒入naoh粉末,控制速度,在槽中约放入2/3槽水的同时加入10kg naoh,关闭槽盖,在控制面板上打开加热开关,对槽中液体开始加热。待温度升至70℃时,打开槽盖,再向槽中倒人10kg naoh粉末并注水,同时用水瓢对溶液进行搅拌,以使naoh充分溶解,液面升至溢水口下方2cm处时停止注水。
       制绒液配置计算出170l制绒液所含有的naoh、na2sio3和无水乙醇的量,清洗好制绒槽,关闭排水阀门,打开进水阀门,向槽中缓慢放水,同时向槽中倒入naoh、na2sio3和无水乙醇,过程中用水瓢不断搅拌溶液,待加完naoh、na2sio3和无水乙醇后,放水调整液面至溢水口下方2cm处,关闭槽盖,在控制面板上打开加热开关,对槽中液体开始加热。生产时再向槽中加入1l无水乙醇。
       c.参数设置。
       ⑥生产过程
       a.运行模式设置为“自动”,按“启动”键启动程序,按照制绒机设定好的参数进行生产。
       b.机械手将承载框平移,依次送到各处理工位,对硅片进行超声预清洗、制绒、盐酸中和、氢氟酸去氧化层等,经过11个处理工位全过程处理后,承载框由自动机械手移到出料工位,再由操作员将小花篮取出。
       11个处理工位具体为:超声预清洗→温水漂洗→腐蚀制绒→喷淋→漂洗→hcl处理→漂洗→hf处理→漂洗→喷淋→漂洗。
       c.每制绒一篮,粗抛液、制绒液内都要补充naoh,补充量根据消耗量确定,并适当补充去离子水。
       注意  整个自动运行过程中,操作员不能离开,需时刻监视设备运行情况。
       ⑦甩干
       a.将装满硅片的小花篮放入甩干机中,启动设备,甩干。注意每班开机后先空甩一次。
       b.操作员将花篮承载框放人传递窗中,上料员从传递窗中取出花篮承载框,并放到指定地点。
       c.记录甩干后合格的硅片,并通过传递窗流向下一道扩散工序。
       ⑧自检
       a.在制绒过程中和甩干后,各操作过程的操作员需对每一批次硅片进行自检,符合工艺、质量要求才能流至下道工序,不符合要求的及时通知品管员。
       b.自检时,主要观察是否有裂痕、缺角、崩边、指纹印、污渍、药液水珠、明显发白及发亮,均无的为制绒合格,正常往下流。将无法继续生产的硅片取出,并填写出片数,记录好流程卡。
       ⑨关机在长时间不进行生产的情况下,停止设备运行,关闭电源,锁上电锁,关闭气体阀门,关闭总电源,锁好电柜。清洁、维护设备。


  4.设备操作规程运行需满足的条件
       ①电源启动。
       ②压缩空气0.5mpa。
       ③氮气0.3mpa。
       ④水阀打开并调制规定流量。
       ⑤所有槽液位达到上限。
       ⑥机械臂在上料台上限位。
       ⑦加热器温度达到设定值。
       ⑧净化送风排风通畅微正压。


    5.工艺卫生要求
       ①不允许用手直接接触硅片,插片时戴好一次性手套。插完硅片后,应立即更换,不得重复使用。
       ②制绒车间要保持清洁,地面常有碱液或干碱,要经常打扫。
       ③盛过碱液或乙醇的塑料桶要及时刷洗,不可无标识长时间用桶盛碱液或乙醇。
       ④物品和工具定点放置,用过的工具要放回原位,严禁乱放,保持硅片盒和小花篮清洁。
       ⑤每班下班前要对制绒设备进行卫生清理,擦掉机器上面的碱,擦掉槽盖上的硅胶。


   6.注意事项
       ①停做滞留的硅片要用胶带封好箱,标签注明材料批号、供应商和实际数目。
       ②每批投片前要检查化学腐蚀槽中的液位,不合适的要及时调整。
       ③小花篮和承载框任何时候不能放在地上。
       ④严格按照工序控制标准检查绒面质量,绒面不合格的硅片要按照检验卡片和工序控制点操作指导卡规定的程序进行处置。
       ⑤硅片在制绒槽时,绝不能拿出硅片检查绒面情况,要进入漂洗槽后再查看绒面情况。
       ⑥操作化学药品时,一定要戴好防护面具和防护手套。
       ⑦制绒设备的窗户在不必要时不要打开。机器设备在运行时,不得把头、手伸进机器内,以防造成伤害事故。
       ⑧制绒机卫生保养时,要防止电线浸水短路,擦洗槽盖时要防止溶液的污染。
       ⑨在正常生产运行过程中,设备出现任何异常或报警,应及时通知设备、工艺、品质人员,生产现场留守1人观察,禁止操作。

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