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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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太阳能单(多)晶硅棒检验规范

时间: 2016-03-23
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一、技术参数要求 
    1、单晶硅棒物理参数要求:  

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备注:
      1、质量分类,必须各项指标全部达到A等时,方可标注A等。按照国家和国际标准A等为合格等级;B\C\D等级为公司内部让步接受等级(内部采购和自产可做为合格判定),低于2μs做为不合格判定。
      2、自产、自购单晶硅棒,必须按照寿命等级分类,生产加工工艺单明确注明等级。例如:HRA\HRB….
      3、单晶硅棒的电阻率,头部电阻率ρ,必须大于等于尾部电阻率ρ;(ρ头≥ρ尾)
      4、检验不合格的按照《检验管理流程》执行。
      5、针对外圆滚磨的单晶硅棒,必须进行X射线定向仪检测,判定晶向,确定加工面〔(100)面〕
1.1 电阻率测量判定
    A.留有头尾的单晶圆棒电阻率测量,测试表面电阻率值,测量前做好检测仪器校准;对硅棒表面用测量时必须用0#金刚砂纸打磨表面,见到光亮层,用高纯度酒精擦拭清洁方可测量电阻率。
  

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                                                  单晶棒示意图
    B.截去头尾或已断后的硅棒、硅片电阻率检测
       测量点取中心点测量电阻率(测试时探针旋转180°测试两次取最小值),但中心电阻率超标时,测试边缘约6mm位置的电阻率,若边缘电阻率符合测试范围要求以此点电阻率值为准; 
       判定标准:0.5Ω.cm<ρ≤3Ω.cm和3Ω.cm<ρ≤6Ω.cm 
       示意图 
  

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    1.2 原始硅单晶的直径要求  

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    备注:局部尺寸不符合要求的要在检验报告中备注栏注明直径和长度,并现在硅棒上明确标识出位置。
 
二、太阳能级单晶硅棒检验标准
    1、单晶硅圆棒检验判定标准

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备注: 1、对于超出合格标准的,来料检验依据标准判定不合格。
            2、局部尺寸不符合要求的要在检验报告中备注栏注明直径和长度,并现在硅棒上明确标识出位置。
            3、检验不合格的按照《检验管理流程》执行。
    2、单晶硅棒硅棒截断端面偏差度要求(见示意图)
  

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                                         端面偏差度:    ︱L1-L2︱≤2mm 
                                                   端面垂直度:    90±2°
    3、单晶硅方棒检验参数要求及检验标准
      规格:125*125;103*103;156*156 ;2)
      技术参数要求:(A、B、C、D;见:图D)
3.1  单晶硅方棒检验判定标准 

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备注:
       1、对于超出合格标准的,来料检验依据标准判定不合格;
       2、局部尺寸不符合要求的要在检验报告中备注栏注明直径和长度,并现在硅棒上明确标识出位置。
       3、检验不合格的按照《检验管理流程》执行。
3.2 单(多)晶硅棒表面腐蚀质量要求
      单多晶硅棒腐蚀后,表面目测六面均呈现出光亮面即为合格。在腐蚀操作时,硅棒表面光亮面一出现,停止腐蚀。

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四、多晶硅棒检测要求和参数
    1、多晶硅锭电阻率测试
     1.1 电阻率标准
  0.5Ω.cm<ρ≤3Ω.cm; 3Ω.cm<ρ≤6Ω.cm
      1.2 测试点取样
     在多晶硅锭尾部面采取中心点测量数值确定其材料的电阻率范围,进行记录。取样点见示意图
     仪器在测量前要进行校准;取样点位置要用0#金刚砂纸打磨表面,见到光亮层,并用高纯度酒精擦拭清洁,方可测量电阻率,测试时探针旋转180°测试两次取最小值。

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    2、少子寿命测试
    2.1 多晶硅锭少子寿命判定标准和氧碳含量数值
       少子寿命:τ≥2μs ; 间隙氧含量(Oi):<8*1017 atoms/cm3;代位碳含量(C):<1*1018 atoms/cm3;
     2.2 检测操作要求
       多晶大方锭必须经过破方成6寸或8寸小多晶方棒,经过表面处理(腐蚀或机械抛光)去处损伤层,利用WT-2000寿命测试仪,按照《操作规程》要求进行测试,测试完成后按照寿命标准进行划出晶体寿命线,并记录参数和长度尺寸。(注意:要轻那轻放,防止损伤)
     3、多晶硅棒尺寸要求(见示意图D)
  

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五、单晶硅棒检验操作要求   
        a、拉晶完成后,硅棒存放于待检仓库,检验员准备检测器具、记录表和记号笔等工具。
        b、首先,确认带有头尾单晶硅棒的电阻率范围,根据电阻率标准和实际测量点进行划线,同时确定整根硅棒的型号。
        c、截断按照划线要求进行截断,头部截去帽盖(确保直径达到153毫米),分别截取头、尾样片,并按照头、尾顺序进行编号刻标记。(截取头、尾2毫米左右厚度的测试样片)
        d、测量硅棒极性型号,为P型合格;N型不合格。
        e、测量硅棒表面电阻率,以尾部起向上每间隔200毫米,测量硅棒电阻率(测量时必须用0#金刚砂纸打磨表面,见到光亮层,方可测量电阻率),并按照顺序做好电阻率测量记录;但是对于电阻率处于合格范围极限值时,按照10mm距离前后移动进行测量,找到极限点进行划线确认极限点位置。
        f、根据测量电阻率范围和分布长度,按照0.5Ω.cm<ρ≤3Ω.cm和3Ω.cm<ρ≤6Ω.cm 范围用记号笔进行划线,同时做好记录表位置记录。生产截断根据划线位置进行截断。(若在同一范围长度超过300毫米的,由生产截断人员按照工艺规定进行截断,截断后通知检验人员进行编号、标识、记录)
        g、对样片进行腐蚀处理,测量少子寿命和氧碳含量,并根据晶棒号做好测量数据记录。
        h、参照少子寿命范围分布等级,进行记录和实物标识。同时根据尾部样片测量的少子寿命数据值,按照等级要求进行标识。明确尾部料的等级,仓库和生产人员根据等级要求分类保管。
        i、生产过程、检验过程中的边皮料和碎裂硅片,必须按照少子寿命范围等级进行标记和分类。
             (外协料除外,若外协边皮料留用,必须进行少子寿命测量分类)
 
六、检验检测环境、设备、方法
    1、检测场所环境要求
        i. 检验场所,非检验相关人员不得入内。与检验相关人员入内,必须遵照检验场所管理规定执行。
        ii. 检验场所必须保持干净、整洁,满足检测环境要求的洁净。
        iii. 检测环境温度23±2℃;相对湿度<55℃;有良好的照明。
        iv. 非检验或必要操作相关人员,入内必须征得当班人员同意。
    2、检测设备
        长度类:游标卡尺、千分尺、钢直尺、钢卷尺
        关键特性测量类:SDY-4四探针测试仪、SemilabWT-1000或1000B、SemilabWT-2000、光学显微镜、DLY-2  P-N导电类型鉴别仪、WQF-410红外光谱仪、YX2HB晶向测试仪、测厚仪   RT-100 电阻率测试仪
        设备操作:按照相关的检测设备操作规程进行。
    3、测试方法
        参照相关国家或行业标准执行。
 
七、包装、储存和运输要求
    1、包装要求
        需要提供明细装箱单、产品合格证,包装上必须注明单晶编号、电阻率、规格型号、合格品等级。
     2、储存要求
        产品储存在清洁、干燥的环境中,温度10-40℃;湿度≤60℃;避免酸碱腐蚀性气氛,避免油污、灰尘颗粒气氛。
     3、运输要求 
        产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷,且采取防震、防潮措施。

 

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