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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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低温TFT-LCD工艺介绍

时间: 2016-03-23
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       低温多晶硅薄膜晶体管(多晶硅TFT)技术对高清晰度LCD仍抱有希望,但只是工程师们要对工艺结构和驱动方法加以改进才行,当今,韩国的一个公司发明了一种技术,能加快比以往更明亮,分辩率更高的显示器的推出。

       在传统的主动矩阵LCD的设计中,薄膜晶体管是由无定形硅(a-Si)形成的。生产出来的晶体管用作各个像素的开关。这些设计都需要能把个人电脑的信号转换成适合于显示器和像素控制的幅度的附加电路。因为传统的晶体管无法用来驱动这些象素开关,厂家必须把客户的IC加到驱动和扫描功能的屏上。无定形硅晶体管的尺寸和功能也限制了每平方英寸能被照明的像素的数量。结果,当今个人电脑用a-Si TFT LCD具有每平方英寸从60-90个像素(PPi)的范围的像素密度。虽然能获得200PPi左右的高分辩率的a-Si TFT-LCD一直没有几个,只要使用了外部驱动IC,就会有生产约束来限制这些显示屏的商用可能性。 
       另一方面,已能生产出分辩率超过200PPi的低温多晶硅(LTPS)TFT-LCD来。为了进行比较起见,考虑典型的用人眼能分析的最高分辩率是大约350PPI。更好的是因为该工艺可消除掉驱动器IC和显示屏间几千个差带式自动接合,这可减低成本并能提高显示屏的可靠性。三星电子公司一直在使用该项技术并增加了改进后的设计。

 

工艺

       多晶硅显示器是通过转换无定形硅而制造出来的。就是用准分子激光器将无定形硅熔化并重结晶。这项激光技术将电子的迁移率提高了100左右的象素,使屏幕晶体管比平常小。

       由于所有这些原因,LTPS TFT-LCD是高分辩率显示器一项大有希望的技术,正吸引着移动和个人电子产品OEM包括移动电话、个人数字助理(PDA)和笔记本型小的电脑的许多厂家在内的注意。由于集成门驱动IC和一个小的形式因素,为这些目的的LTPS TFT-LCD的优点包括了LCD的对称性。也就是说,显示屏厚度薄而量轻。另外,LTPS TFT-LCD还具有功耗低的特性。此外,LTPS TFT-LCD产生的漏电较较小并且有轻微的掺杂漏电结构和高的储存能力。

       即使目前LTPS TFT 技术有了显著的进步,一些关链工艺、结构和驱动方法,如果要满足其商业预测的话,就需要进行优化。特别是紧接着的是准分子激光晶体化(ELC)工艺,因此,a-Si沉积就需要加以改进。

 

TFT的结构和工艺

       除了几个公司外,大多数LTPS TFT的厂家都给驱动电路使用了高级门结构和CMOS。使用传统的技术,复杂的TFT和CMOS工艺需要约9个光掩模,为了进行包括LPCVD沉积和激活掺杂剂的炉子淬火在内的一些中温工艺,玻璃必须是昂贵的淬火或预先压密的。

       在LTPS TFT中,稍有掺杂的漏电结构使器件允许无电流的像素的随机无效率(能),这也能把驱动器的非稳定性减到最小。无定形硅薄膜原是在阻塞层的顶部由LPCVD或PECVD沉积的,厚度仅几千微米。这些绝缘材料的厚度和质量可能影响到TFT的传输性能。沟道掺杂是最常用的,而且是控制n-TFT和TFT两者的VTH的最准确的方法。这可能需要另外的光掩模和离子掺杂艺。不像a-Si TFT工艺中的a-Si沉积,活动层形成前后的清洗过程对TFT的性能和一致性也是很关键的。最通常的是,从四羟乙基氮硅烷(TEOS)衍生的二氧化硅(Si02)用于门电介质材料。为了减少步骤和简化电源及漏电的形成,三星将离子流和门形成步骤同时进行。三星称此项技术为半门(HG)法。

       如今,低能掺杂技术似乎没有被广泛采用是由于工艺复杂性造成的。内层电介质和钝化层在减少寄生电容和多种线缺陷方面起着重要的作用。钝化电介质的选择在显示器分辩率提高时显得更重要了。对反射式LCD来说,广泛采用的是有机钝化。

 

半门结构

       半门结构的出现,对LTPS TFT来说是一个极有吸引力的解决方案。有一段时间,三星一直在生产LTPS TFT LCD。当今,该公司正在使用其LTPS TFT-LCD的半门技术。该工艺需要的光掩模比之传统的方法要少。离子掺杂掩模用于门的定义可把掩模从三个减少到二个,包括轻微的掺杂漏电工艺在内。依结构的详细情况,也可能产生一个没有光刻蚀和燃烧的结构。最重要的是,该工艺可产生自对准并且是稍有掺杂的漏电的对称结构。这种结构可为LCD的充放电产生反向的低电压和对称性能。还可准确控制轻微掺杂漏电的持结时间,以便生产出稳定而可靠的器件。

 

准分子激光器

       准分子激光结晶的物理现象是很容易为人们所理解的。特别是哥伦比亚大学的一个小组发现了一个窄的实验窗口可产生增益很大的多晶硅并稳之为超级侧面生产(SLG)。即使需要麻烦的脱氢过程,许多LTPS TFT-LCD开发人员都在使用PECVD a-Si作为产物母体,脱氢的问题采用得比准分子激光结晶还多。准分子激光晶化工艺的微结构,会对TFT的性能和一致性产生直接影响的,合肥市大地取决于准分子激光器的状况。产物母体的初始条件是关键的。用LPCVD,爆炸性的结晶总是随着激光器的第一个脉冲而产生。

       许多能独特产生大型多晶硅膜的新技术已根据SLG现胆提了出来,哥伦比亚大学的詹姆斯·英等人开发了连续侧面固化(SLS)法,产生了大增益、直接固化的、并且是定位控制的单晶区域。也是在哥伦比亚大学一个小组在硅a-Si膜上端使用定型的二氧化硅作防反射复层,已开发了增益边界——定位控制(GLS)多晶硅。东京一个科技集团协会提出了使用i相移掩膜的多晶硅粒度侧面生长。富士通的一个小组使用a-Si岛和背面准分子激光结晶法,演示了多晶硅新的侧面生长法。意大利的一个小组也实现了成核位置的定位控制,形成了控制的侧面生长多晶硅。

       多数方法都使用了SLG现象。虽然这些方法能产生大的受控的颗粒多晶硅微结构,要将这些技术应用于生产还需要工程师们解决关于玻璃基板上多晶硅的一致性、设备兼容性和工艺简化的诸多问题。

 

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