欢迎访问华林科纳(江苏)半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829
 
 
 
新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
新闻中心 新闻资讯

DHF在氧化后CMP清洗工艺中的应用

时间: 2021-11-08
点击次数: 107

DHF在氧化后CMP清洗工艺中的应用

扫码添加微信,获取更多半导体相关资料

引言

      晶圆-机械聚晶(CMP)过程中产生的浆体颗粒对硅晶片表面的污染对设备工艺中收率(Yield)的下降有着极大的影响。

      为了去除氧化后CMP晶片表面的颗粒,通过与DHF(稀释HF)、非离子表面活性剂PAAE(聚氧乙烯烷氧芳基醚)、DMSO(二甲基亚砜)和D.I.W.混合制备了新的清洗溶液。硅酮晶片故意被硅、氧化铝和PSL(聚苯乙烯乳胶)污染。与传统的AMP(氢氧化铵、过氧化氢和D.LW的混合物)相比,这种大气辐照下的清洗溶液可以在室温下同时去除颗粒和金属,而不会增加微粗糙度、金属线腐蚀和有机污染物沉积等副作用。这表明这种清洗溶液在铜刷清洗工艺和传统的铜刷后清洗工艺中具有广阔的应用价值。

 

实验

      本方法采用直径在0.1 nm~0.5 im之间的二氧化硅颗粒、铝矾土颗粒和polystylene latex(PSL)颗粒。 在人为污染的清洁槽中加入晶片,吸附量调整到表面约30000个左右,该数值在本实验期间保持恒定使用。 所用超声波采用的是间接方式的1000 KHz/600 W,本方法研究的清洁液A-HF(DHF,Polyoxyethylene Alkyl Aryl Ether和Dimethylsulfoxide的混合物)的组合物采用了如下提纯: 表面活性剂(Polyoxyethylene Alkyl Aryl Ether:非离子表面活性剂)和DMSO(KANTO Chemical)通过微粒颗粒过滤后使用,颗粒尺寸为0.05。 另外,用于配合它们的超纯水是电阻为18.3 MQ的超纯水,经过0.02 er。 表1是表面活性剂PAAE的数据。

 DHF在氧化后CMP清洗工艺中的应用

1 PAAE表面活性剂的HLB数和云点

      其他用于本实验的分析设备包括:Dynamic contact angle analyzer(Cahn DCA-312)用于测量添加了MAE的A-HF的接触角和表面张力;ElHpsometer用于测量氧化膜的厚度; 用Wafer-T进行最小载波生命周期分析,用Perkin-Elmer Autosystem XL-Turbomass(GC-MS)进行晶片表面吸附的PAAE分析。

 

结果和讨论

      颗粒去除效率:HF如图1所示,它有效地消除了晶片表面存在的二氧化硅、铝矾土和PSL颗粒。 此时,颗粒去除效率受HF浓度影响不大,取而代之的是表面活性剂和溶剂的浓度。 此时使用的非离子表面活性剂(RXAE)与非质子性溶剂(DMSO)一起提高了清洁剂对晶片表面的润湿能力,从而提高了已吸附颗粒的脱附能力,使脱附颗粒不再被吸附。 把它看成是一种避免的方式。

 DHF在氧化后CMP清洗工艺中的应用

1 A-HF溶液的颗粒去除效率

      其作用也可以看做是降低A-HF清洁剂的表面张力,使晶片从清洁剂中取出时可能产生的颗粒吸附降到最低,这是最容易吸附颗粒的过程。表3是对添加AE后硅烷晶片的湿滑能力和清洁液表面张力的调查结果。人们普遍认为阴离子表面活性剂比非离子表面活性剂更能防止颗粒的再吸附。但在表面活性剂的选择过程中,我们已经证实了这一点。在对吸附粒子进行脱附反应的情况下,反而发现阴离子表面活性剂的应用比非离子表面活性剂差很多。

      这可能是因为阴离子表面活性剂将阴离子涂在晶片表面,从而阻碍SiO2表面受到蚀刻用最重要的化学种类离子的攻击,增加边界层的厚度,从而导致超声波对粒子的脱附。可以认为是因为降低了能力。另外,对于晶片中以氧化膜存在的SiO2表面相同的SiO和A12O3>以及PSL粒子,在pH小于5的情况下,其绝对值虽然差异较大,但具有相同符号的Zeta势垒,因此仅非离子表面活性剂的使用就可以。可见其抗再吸附能力明显好转(如图2)。

      金属离子的去除效果:在传统的RCA洗脱工艺中,对金属离子的去除机理是HPM(HC1, HQ和D.I.W.的混合物)内由金属离子和过氧化氢起因的活性氧Grego HC1间的氧化还原电位差所描述的复杂化学反应或最基本反应是由金属离子和HC1。这是金属氯化物形成的反应。另一方面,A-HF清洁剂通过F蚀刻去除含有金属离子的氧化膜,从而去除存在于晶片表面的金属离子。使用这种清洁剂的优势在于排除了过氧化氢的使用,使用了实际浓度0.1%以下的极低浓度HF,并在常温下使用。

      对金属布线的腐蚀性:在采用传统RCA清洁技术的Post CMP清洁部分,还有一个重要的问题是对金属布线的腐蚀和dishing问题。特别是,我们预计这些问题将在今后备受关注的Cu CMP部分成为更为严重的问题,而不是在以W和A1为代表的现有CMP技术中。 原因是在Post CMP洗脱过程中,用于颗粒去除的APM(SCl)过氧化氢在3d后具有被转移元素(eg,Fe2+,C“)急剧分解的特性。

      为了提高对磁体的去除效率,在60-80°C之间的较高温度下使用,因此过氧化氢的分解更促进了激振,结果颗粒去除能力显著降低,对金属布线的腐蚀迅速进行。但A-HT清洁剂中没有使用过氧化氢,H浓度也极微,对金属布线的腐蚀问题与SCI相比,仅为可以忽略不计的水平(见图5)。 低腐蚀性的同时,本洗涤剂将SCI的颗粒洗涤剂和SC2的金属离子洗涤剂融为一体,可以最大限度地减少可能引起腐蚀的洗涤剂工序,在腐蚀问题上更具优势。 有。 图5是对SCI和A-HF清洁剂产生的CMI用金属布线材料蚀刻率的比较。SCI对Cu的腐蚀试验是在常温下进行的,而不是在65°C下进行,如W和A1。原因是在65(2)的高温下,过氧化氢的分解过于剧烈,丧失了作为清洁剂的意义。

 

总结

      为了提高CMP洗脱过程中浆体颗粒的去除效率,本方法在DHF上制备了非离子性表面活性剂PAAE、非质子性溶剂DMSO和超纯水的混合物新型洗脱液A-HJ。超声下A-HF的性能评价结果表明:本洗脱技术可以显著降低含有超纯水的化学药品的用量,并能有效应用于Post Oxide CMP洗脱的颗粒的洗脱能力和对金属离子的洗脱。显示了清洁能力,即与传统的APM不同,在常温下可以清洁,清洁过程缩短,通过使用低浓度的HI,可以通过最小的蚀刻来防止表面粗糙。 同时,对主流CMP金属布线材料的低腐蚀力,不仅适用于传统的CMP后清洁工艺,更成为新一代CMP工艺备受瞩目的Brush清洁工艺的E调清洁工艺。 确认本洗涤剂有适用的可能性。


Copyright ©2005 - 2013 华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋高新区桃金东路90号
电话:0513-87733829
Email:xzl1019@aliyun.com
www.hlkncse.com

传真:0513-87733829
邮编:226500


X
1

QQ设置

3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开