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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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湿法蚀刻制造的半导体微透镜

时间: 2021-11-11
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湿法蚀刻制造的半导体微透镜

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      微透镜及其阵列在光子学中有许多应用的可能性,规模不断缩小。它们因能够在微型尺度上操纵光线并使整体包装简单紧凑而变得流行。因此,预计光子学中的微透镜应用将以各种形式广泛传播。

      我们使用基于Br2溶液的扩散限制化学蚀刻技术制造了折射半导体微透镜。简单的一步湿法刻蚀工艺产生了高质量的GaAs和磷化铟微透镜,这两种半导体材料在光电子学中最受欢迎。标称透镜直径为30 m的球形GaAs微透镜分别具有91和36 m的曲率半径和焦距。经原子力显微镜检查,表面粗糙度测量值低于10。由于加工简单和高质量的结果,这种微透镜制造方法应该易于应用。

      图1示意性地示出了掩模孔内的蚀刻工艺。Br2分子在掩蔽区域不与衬底反应,这些分子必须扩散到开放区域(在我们的例子中是圆孔)进行蚀刻。然而,由于Br2分子的低迁移率,分子在掩模边界附近被消耗的概率高于远离掩模边界的概率。蚀刻窗口上蚀刻速率的这种逐渐的空间变化(其分布在图1的上面板中示意性地示出)在半导体表面上形成球面透镜轮廓。在取决于半导体材料和所需透镜曲线的蚀刻期间,样品需要静止放置在蚀刻槽内以获得良好的再现性,因为对蚀刻物质的自然差异运动的任何干扰都会改变蚀刻过程的细节。

 湿法蚀刻制造的半导体微透镜

1 使用基于Br2的扩散限制蚀刻的半导体微透镜制造工艺的示意图

     湿法蚀刻制造的半导体微透镜

 图2 通过所提出的工艺制造的:(a) GaAs和(b)磷化铟微透镜的扫描电镜图像。刻面形成在InP微透镜中,但仅在蚀刻的侧壁上

      图2显示了的扫描电子显微镜(SEM)图像通过上述方法在GaAs衬底和磷化铟衬底的(001)表面上形成的微透镜。对于GaAs和磷化铟微透镜,氮化硅蚀刻孔的深度保持不变(30 μm),而蚀刻持续时间分别为15和5分钟。如图2(b)所示,InP微透镜沿[110]方向出现小刻面,我们将其归因于所用蚀刻剂和InP的特定组合中的部分反应速率受限蚀刻成分。这种刻面可能导致镜片轮廓的轻微不对称。尽管如此,在镜片本身的表面上没有观察到明显的刻面。

      为了对透镜轮廓进行详细的定量评估,我们采用了原子力显微镜技术。图3示出了根据测量的AFM数据构建的GaAs微透镜的全尺寸透视图像。图4(a)中表示的是沿着穿过透镜中心的线的透镜轮廓,也是从二维原子力显微镜数据重建的。虚线是基于球面透镜近似的理论拟合。根据拟合估计的透镜曲率半径和焦距分别为91和36 m。

      然而,焦距(因此镜头速度)可以很容易地控制,通过下面描述的两种方法中的任何一种。首先是空间控制,其中掩模孔直径被扩大到超过蚀刻物质的扩散长度,使得透镜中心附近的蚀刻速率斜率变小。孔的尺寸越大,透镜轮廓越平坦。我们的方法对孔径大小没有实际限制。我们已经尝试了高达120米的镜头直径,并观察到与30米的情况相当的相位误差。更有用的是时间控制,其中蚀刻时间用作方便的透镜曲率控制参数。随着蚀刻时间变长,透镜边缘和中心之间的蚀刻深度差变得更加显著,导致更清晰的透镜轮廓。

      表面粗糙度也是微透镜的一个重要问题。图4(b)是图4(a)中所示的透镜轮廓的中心区域的放大图——对于适当的缩放,数据在减去拟合的背景轮廓之后呈现。除了零基线周围的逐渐调制(反映球面像差或测量数据和拟合之间的差异),透镜表面的局部粗糙度保持在10以下。Br2蚀刻表面的这种极端平滑性已经被集成了垂直模式转换器的高性能InP激光二极管所证明。

 湿法蚀刻制造的半导体微透镜

4 (a)GaAs微透镜沿着穿过透镜中心的线的表面轮廓(实线),以及球面拟合(虚线)。(b)靠近透镜中心的放大轮廓,以显示表面粗糙度

      我们还检查了整个晶圆上加工微透镜的空间均匀性,以及我们加工的连续再现性。对于周期为250米的30米GaAs微透镜的10×10阵列,焦距的标准偏差估计为1.8米,平均焦距为36米的5%。由于边缘效应的减少,随着透镜阵列的增大,这种偏差预计会进一步改善。另一方面,在同一批蚀刻剂中,间隔3小时的两次连续运行之间的平均焦距差小于1米,证明了我们的方法的良好运行再现性。

      总之,我们将一步扩散限制化学蚀刻技术应用于GaAs和磷化铟,以制造表面粗糙度低于10的高质量微透镜。从各种优点来看,包括制造工艺的简单性和透镜曲率随蚀刻时间的方便的原位控制,我们相信本文提出和展示的微透镜制造方法对于光子器件集成和未来的光子超大规模集成电路器件制造是理想的。


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