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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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电解的硫酸对于应用清洁硅晶片

时间: 2021-11-15
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电解的硫酸对于应用清洁硅晶片

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引言

      电解是一种能够通过向液体通电,在阴极发生还原反应 ,在阳极发生氧化反应,从而制造新物质的有趣的方法 o特别是在阳极的氧化反应中,由于不稳定,可以通过 电能生成通常存在比率小的过氧化物。例如,如果是硫 酸溶液的话,可以从硫酸生成H9SOs或H9S90g这样的 过硫酸(过氧化物}。其他还有过乙酸、过硼酸、过碳酸 、过磷酸、高氯酸等。

 

实验

      电解硫酸顾名思义就是电解硫酸溶液。电解硫酸后,如式(1)和(2)所示,生成硫酸根离子硫酸氢离子释放出电子,变成过硫酸(HS, Og)。通过使用钳电极的电解法详细说明了反应机理。硫酸浓度从1摩尔/升( 9wt % )变化到13摩尔/升( 76wt % ),过硫酸的生成效率是从4摩尔/升( 32wt % )到12摩尔/升( 72wt % )左右。 在本文中也得到了同样的结果,其理由也是考虑到图1的解离平衡可以接受的。过氧化氢与硫酸反应因为会变成乙酸和水,所以每次添加都会稀释药液中的硫酸,光致抗蚀剂去除能力也逐渐降低。与此相对,电解硫酸只要电解具有所需硫酸浓度的硫酸即可, 并且如式(1)和(2)所示,可以通过电量控制过硫酸浓度。图2总结了SPM及电解硫酸的处理时间和各种浓度的变化示意图。电解硫酸可以使硫酸浓度及氧化剂浓度保持一定。另外,不需要过氧化氢。

 

结果和讨论

      在光致抗蚀剂除去工序中的应用:由于光致抗蚀剂中有很多疏水性的有机物,因此利用d电极 将硫酸浓度在75wt%以上的硫酸电解生成过硫酸,在403K左右 的高温下除去晶片上的光致抗蚀剂是很有效的。与SPM不同,过硫酸会分解光致抗蚀剂,返回硫酸离子,可以通过电解反复生成过硫酸。因此可以实现硫酸的长寿命化,以通过通电量控制过硫酸生成量,可以生成大量过硫酸,可以省略灰化工序。在高温下,过硫酸分解生成硫酸自由基,光刻胶被二氧化碳和水完全氧化分解。

      在无图案的晶圆上涂上光刻胶后,进行剂量,并进行灰化后,用SPM或电解硫酸除去光刻胶。 处理后,用全反射荧光X射线分析仪TXRF(Total Reflection X-ray Fluorescence)测量了附着在晶圆上的金属量。 合格标准为K为10×1010atoms/cm2,其他金属种类均为5×1010(50×109)atoms/cm2。其结果如表1所示,SPM、电解硫酸均具有充分的洗净度。

电解的硫酸对于应用清洁硅晶片 

1 粘附到晶片上的金属成分

      在硅化物残渣去除工序中的应用:系统LSI半导体的大部分采用CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)这种晶体管结构。晶体管具有源极、栅极、漏极3个部位,其栅极材料使用的线宽为32 nm左右的多晶硅,配置在多晶硅下面的绝缘膜材料由low―k的组合转变为栅极材料为TiN等金属(金属栅极)、绝缘膜为high-k的组合。与此同时,为了降低源极及漏极的电阻,NiPt硅化物中的Pt含有率提高。Pt含有率的增高导致其残渣的去除变得困难。并且,在硅化物残渣去除处理中,必须同时抑制金属栅极的损伤。电解硫酸的处理条件,具体来说,由于硫酸浓度、氧化剂浓度、处理温度和处理时间可以分别设定,因此期待能够决定硅化物残渣及金属栅极的最佳蚀刻速度。但是,在各种处理条件下尝试去除电解硫酸的NiPt硅化物残渣,但仅用电解硫酸无法完全去除残渣。因此,尝试与盐酸混合等其他药液并用。另外,为了减小NiPt硅化物的电阻,今后Pt含有率将朝着提高的方向发展。因此,使用纯Pt努力把握其溶解行为及溶解机理)。

      用于锗基板清洗的可能性:目前正在研究Ge在各种常规溶液中的溶解行为。这些研究表明Ge容易被氧化,并且其Ge氧化物容易溶解。因此,希望开发替代常规化学溶液如SPM的处理液。本文阐明了水或硫酸中Ge的溶解现象及机理,找出了抑制Ge溶解的方法,并以将其应用于去除Ge上NiPt硅化物残渣和去除光刻胶为目的。

      其次是存在氧化剂的情况,Ge溶解速度与硫酸浓度成反比。在本方法中,氧化剂(过硫酸)浓度固定。 因此,可以说溶液中水分浓度对Ge溶解速度的影响最大。可知,GeO2的溶解反应式中没有加入氧化剂,没有直接影响。严格地说,虽然与反应本身的发生与否没有关系,但根据Ge的Pourbaix线图),在ORP高的范围内存在H2GeO3,ORP越高,溶解速度就越快。

      从适用电解硫酸这一观点来看,最终目标是在硅化物处理生成Ge化合物后,不损伤Ge化合物,只蚀刻NiPt残渣,以及不损伤Ge化合物或Ge,只去除Ge化合物或Ge上的光刻胶。为了蚀刻NiPt残渣,以及为了去除光刻胶,需要使用含有氧化剂的药液。通过提高硫酸浓度可以抑制Ge的溶解,但是为了适用于实际的半导体制造工艺,必须对硫酸浓度、处理时间等处理条件进行详细调查并决定。

 

总结

      电解硫酸生成的过氧二硫酸(过硫酸)具有高氧化还原电位。这种现象在以前就已为人所知,但在实际的工业中应用还存在几个课题。目前,虽然仅用于半导体业界的光刻胶去除以及NiPt硅化物残渣去除,但也正在着手进一步向铝阳极氧化和PEEK树脂等塑料的表面处理等方面展开。


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