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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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低K-CMP后清洗技术

时间: 2021-11-22
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低K-CMP后清洗技术

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引言

      为了使器件动作高速化,尽可能地抑制布线延迟变得很重要。为此,需要使用布线电阻低的Cu布线和降低布线间容量的低介电常数层间膜。最近,Cu布线搭载的器件相继发表,层间膜使用通常的氧化膜的结构的产品已经上市,全世界Cu布线的开发急速加速。而且,Cu布线被认为只有与低介电常数层间膜(Low―K)相结合才有高速化的意义,关于Cu/Low―K的发表也在增加。

      为了实现Cu布线,必须使用Cu―CMP来形成沟槽布线结构,并且在CMP之后,由于大量的颗粒和金属污染残留在晶片上,因此需要在CMP之后进行清洗。在Cu膜和Low―K膜中被认为是有希望的HSQ膜的英特化结构的CMP中,由于Cu膜和HSQ膜的耐药液性低,因此很难用传统上在硅工艺中使用的清洗液进行清洗。此外,在使用清洗液时,必须考虑环境负荷。因此,在不损坏金属布线和Low―K膜的情况下,作为环境负荷低的清洗液,进行电解离子水和有机酸的研究。

 

Cu/HSQ-CMP后清洗的课题

      Cu―CMP之后的Cu/HSQ沟接线构造如图1所示。不仅是氧化铝和二氧化硅等的研磨粒子,Cu等的金属污染也大量残留在晶圆的表面。一直以来用于CMP后清洗的利用氨水的粒子除去和利用稀释氢氟酸的金属污染除去,难以用于蚀刻或损伤Cu膜和HSQ膜。因此,在CMP后清洗中,不会损伤表面露出的Cu配线和HSQ膜。

 

开发的Cu/HSQ-CMP后清洗

      如图2所示,这次开发的清洗程序是为了除去残留颗粒,在第1阶段用纯水电解阴极水进行刷擦洗清洗,在第2阶段用草酸进行除去金属污染的自旋清洗。

为了除去残留在晶圆表面的粒子,需要用刷子擦洗使粒子从表面脱离,为了不使脱离的粒子再附着,将粒子除去到晶圆外的过程。为了抑制粒子的再附着,起表面电位的排斥作用的碱性溶液是有效的,W―CMP后清洗,氨但是氨水如表1所示蚀刻Cu膜,使HSQ膜劣化。由于Cu膜容易与氨水形成氨络合物,因此容易被蚀刻,而对于HSQ膜,由于氨水的OH基,膜中的Si―H键变化为Si―OH键,因此即使是稀释氨水(3×10―5%),相对介电常数也从2.9增加到4.2。因此,这些洗涤液很难作为Cu/HSQ―CMP后的洗涤液使用。因此开发出的清洗液是用图3所示的装置电解超纯水,从阴极侧得到的纯水电解阴极水。纯水电解阴极水如图4所示,pH为中性,是具有还原电位的清洗液。

 低K-CMP后清洗技术

4 电解水的PH-电位图

      一般用于CMP后去除金属污染的稀释氢氟酸(DHF),由于对HSQ膜的蚀刻速度极快(DHF:0.5%时250nm/min以上),不能使用。此外,DHF还存在对布线和插头上的金属污染的去除性低的问题。此外,纯水电解阴极水在去除颗粒方面很有效,但对金属污染的去除能力不高。因此,开发了使用草酸(COOH)2的清洗方法,该草酸(COOH)2可以蚀刻HSQ膜和Cu膜,并在不劣化的情况下去除Cu等污染。图8显示了各种有机酸洗净对Cu及Fe污染的去除性。评价样品是将Si基板浸泡在含有Cu或Fe的氨过氧化氢水溶液中进行强制污染,因此表面呈亲水性。将被污染的基板在各种有机酸水溶液(5w%)中进行3分钟的浸泡洗净处理的结果,如图8所示,在各种有机酸中草酸去除Cu及Fe的金属污染的效果很高。这是因为草酸的化学结构与其他有机酸相比较简单,可以容易地与Cu及Fe形成螯合络合物。

 低K-CMP后清洗技术

8 通过各种有机酸清洗的Cu、Fe污染去除效果

      众所周知,Cu在Si中的扩散速度非常快,但也有报告指出,等离子氧化膜中也是通过热处理和电场扩散的11)。HSQ膜等Low―K膜与等离子氧化膜相比,由于结构疏松,因此更担心Cu在膜中的扩散。在此,调查了Cu污染对HSQ膜的漏电流的影响。

      清洗药液的开发,不仅能够在不损伤构成装置的材料的情况下进行有效的清洗,而且能够降低对环境的负荷,近年来也变得非常重要。纯水电解阴极水的基本组成是纯水,废液处理非常容易。另外,由于草酸是具有螯合效果的有机酸中结构最简单的,每分子的碳数最少,只有2个(柠檬酸为6个)。因此,与其他有机酸相比,可以降低废液中所含的碳浓度。像这样,这次开发的清洗水,无论哪一种都容易进行废液处理,降低了对环境的负荷。

 

总结

      作为Cu/HSQ―CMP后清洗工艺,开发了使用纯水电解阴极水和草酸水溶液的清洗技术,能够在不损坏Cu膜和HSQ膜的情况下有效地去除残留的颗粒污染和金属污染。今后,在使用Cu布线和低介电常数层间膜的高速逻辑器件的实用化上,像这样不损坏器件构成材料的清洗方法将变得越来越重要。此外,还需要环境负荷小的清洗方法。


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