欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829
 
 
 
新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
新闻中心 新闻资讯

硅蚀刻及其在太阳能电池制造过程中的应用

时间: 2021-12-01
点击次数: 9

硅蚀刻及其在太阳能电池制造过程中的应用

扫码添加微信,获取更多半导体相关资料

引言

随着对世界能源环境问题的关注增加,对可再生能源太阳能发电的期待也越来越高。 在停滞的世界经济中,太阳能电池相关产业备受关注。

作为太阳能电池的评价基准,不仅是制造成本,效率和可靠性(耐久性)也是重点。 综合判断,也有预测称,如果晶体基板的供给体制完备,晶体硅太阳能电池的优势不会轻易崩溃。 晶体硅系太阳能电池已经有很长的实绩,看起来在技术上已经完成,但是通过基板的薄膜化实现的低成本·省资源化、表面反射率降低以及p/n结形成法的改善带来的效率提高等改良现在也在稳步进行。

 

实验

通过湿法工艺对太阳能电池用硅进行表面处理,并通过降低表面反射率来提高高效晶体硅太阳能电池的效率。 为了解决这样的问题,即在400-1100 nm波长范围内,原始硅平坦衬底的反射率非常高,平均约为40%,因此,由于反射而产生大的损失。 为了解决在应用于太阳能电池时的工艺成本问题,尽管可以通过施加折射率不同的多层膜涂层(例如光学部件)来降低反射率。

在这种情况下,采用了在硅表面上施加粗糙形状并施加单层涂层(例如氮化硅膜和二氧化钛膜)的技术。 采用凹凸结构的面,具有光限制效果,称为纹理面。 在单晶硅的情况下,由于(111)面是化学稳定的,因此通过利用该面容易通过化学处理暴露的事实来获得纹理面。 具体地,通过将(100)面的硅晶片浸入碱性液体中,形成由(111)面构成的金字塔结构,如图1所示。

通过这种表面粗糙结构,实现了良好的光限制效果。 作为成本上有利的湿法,存在酸法,但是由此获得的表面的反射率不是足够低。 为了解决这一问题,我们开发了一种使用金属催化剂的新方法此方法的基础是用含有氧化剂的氢氟酸溶液进行蚀刻处理。 此时,如果将金属催化剂施加到硅表面,则在其附近加速氧化/溶解反应。 因此,可以根据催化剂的分布在任何表面上形成不均匀结构,而不管晶面如何。

具体处理如下。 ①在硅表面化学镀银微粒。 将硅衬底在室温下浸入溶解高氯酸银和氢氧化钠的水溶液中约20分钟。 通过该处理,在硅表面上随机沉积尺寸约为30-100 nm的银颗粒。 ②以银粒子为催化剂的蚀刻。 为了解决以下问题:当使用氢氟酸和过氧化氢溶液的混合溶液进行湿法蚀刻几分钟时,当不附着银时,蚀刻几乎不进行,但是当存在银时,在硅中产生孔,通过银的催化作用进行蚀刻。 ③碱处理。 ④硝酸处理。 这是为了溶解和去除银颗粒而进行的。 在这一连串的工序中,最重要的是②和③工序。 在使用银作为催化剂的蚀刻工艺中,过氧化氢的还原反应通过催化剂的作用在银上进行,并且电子从硅中提取。 结果,硅被氧化并溶解在氢氟酸中。 这是以银为催化剂形成织构结构的基本反应。

通过以上处理形成的纹理结构的SEM图像如图2所示。 由于暴露表面的晶体取向因多晶晶粒而不同而形成的不规则形状尽管在形状上存在差异,但是可以在整个表面上形成不规则结构。

 硅蚀刻及其在太阳能电池制造过程中的应用

3

如图3所示,银作为催化剂,电子从硅转移到过氧化氢,在与银接触的部分发生硅的氧化和溶解。最近,我们进一步发展了这种方法,用聚合物珠的自排列单分子膜做掩膜,中间加催化剂的方法,也成功地形成了规则的纹理结构。 通过该方法获得的表面表现出比随机不规则结构的表面更低的反射率。

 硅蚀刻及其在太阳能电池制造过程中的应用

4

如图4所示,形成了细孔,在细孔的顶端可以看到银颗粒[2,3]。 在这种蚀刻过程中,如图3所示,通过使用银作为催化剂,在与银接触的部分中发生硅的氧化和溶解。 孔的形成意味着银颗粒和硅在该过程中保持接触。 这里有趣的是,将银细粉浸泡在氢氟酸和双氧水的混合液中,很快就会溶解。  

通过观察存在于如图4所示的直孔底部的颗粒,明确了使用球形颗粒来形成直孔的重要性。 当使用与银相同的方法在硅上沉积铂颗粒时,如图5(a)所示,由小颗粒组成的颗粒沉积在硅上。 在这种情况下,如果用氢氟酸和过氧化氢的混合液体处理,则在硅中形成孔。 从这种情况下的截面SEM照片可以看出,形成了如图5(b)所示的螺旋孔,这表明铂颗粒在螺旋旋转的同时沉入硅内 螺旋孔的形成被认为是由于铂颗粒上的局部结构的差异,导致硅的氧化和溶解速度的差异,从而产生旋转运动。为了解决在晶体硅基太阳能电池的制造中需要从晶锭切割(切片)衬底的步骤的问题。

在该方法中,使用使用磨料颗粒的线切割,但是由于该方法是机械加工,因此产生大的切割余量(卡洛斯),并且难以将诸如多晶的易碎基材切割成200μm或更小的厚度。

如上所述,我们发现只有在与贵金属接触的部分才会发生硅的溶解,因此我们想到如果让线状贵金属接触,是否可以应用于硅的切片呢? 出于这种想法,我们还致力于电化学硅切片的研究[5]。 虽然到目前为止还没有达到切割衬底的程度,但是已经成功地在硅锭上形成了细槽。

沟槽形成的例子如图6所示。 根据这个结果,可以确认以下两个特征。 通过使用超细贵金属线作为催化剂获得约50μm的切割线。有可能用卡洛斯切片。 可以通过同时使用多个催化剂丝来进行切片

目前,凹槽形成速度约为0.4-0.6 mm/h,与实际使用水平(约15 mm/h)相比相当慢。 用我们的方法形成凹槽速度慢的主要原因是细凹槽内蚀刻溶液的交换速度慢。 在目前的情况下,在液体和金属丝都保持静止的状态下进行处理,并且考虑到如果通过改进这一点使得能够更换孔中的液体,则可以实现高速处理,并且已经开始进行处理。

 

讨论和总结

在以开发硅表面纹理技术为目标的研究过程中,发现了贵金属沉入硅内的意外现象。 这一发现对我们来说也是一个巨大的惊喜。 作为将该现象应用于太阳能电池的研究,如上所述,已经发展到更先进的纹理结构的形成和切片技术的应用。 催化剂颗粒和导线对硅的溶解现象可能应用于太阳能电池以外的领域。 如果能够将金属填充到硅中形成的线性细孔中,半导体内部的电气布线将成为可能,有望有助于半导体元件的三维安装。

此外,如果螺旋孔可以填充有金属,则可以将电线圈结合到半导体元件中,并且可以预期将其应用于新的半导体器件。 还有很多其他的似乎有这样的可能性。 孔形成的现象可以看作是最近备受关注的各种金属和半导体材料的纳米线和纳米线圈形成的逆过程,现象本身就很有意思。 


Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开