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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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硅与玻璃晶圆键合的键合能研究

时间: 2021-12-06
点击次数: 22

硅与玻璃晶圆键合的键合能研究

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引言

键合能在晶片键合过程中起着重要的作用,并研究了键能的温度依赖性,以了解各种玻璃在硅/玻璃界面上的物理/化学相互作用。一些主要的玻璃属性,如表面粗糙度、杨氏模量、应变点、CTE和玻璃成分,已被评估为与成键能相关,虽然其他属性已被证明对粘合能不显著,但已经发现了与玻璃表面粗糙度、玻璃的应变点和玻璃中的碱性含量有显著的相关性。

 

实验

6英寸的硅和玻璃晶片制作粘合对进行测量,硅晶片均为优质(100)p型和单侧抛光,一些玻璃晶圆经过抛光,而康宁1737玻璃、鹰XG玻璃和玉玻璃没有抛光,因为它们最初是由康宁专利的融合绘制工艺由薄片形成的,然后编织成晶片。在每两个退火过程之间,重新测量粘合能,直到刀片在测量过程中打破玻璃。

用稀释的HF清洗硅片以去除天然氧化物,去离子臭氧水去除有机物,用稀释的NH4OH/ H2O2混合物去除金属污染物用稀释的NH4OH/ H2O2混合物和去离子臭氧水清洗玻璃晶片一旦晶片被清洗,就遵循晶片粘合过程,形成粘合对粘接过程是在一个受控的环境下,即100级洁净室设施下,在室温下进行的。硅粘合到玻璃上后,粘合对加载到一个定制的大气阳极粘结器上,而不是热板。粘结器由顶部和底部的加热板组成在退火过程中,两个板都以中等的力接触粘合对,这足以保持对。因此,在成键对之间的温度分布非常均匀,温度坡道非常稳定和可控超调温度总是小于目标温度的3%。在退火过程中没有施加任何电压

 

结果与讨论

在用湿化学方法清洗玻璃之前,用非接触式Zygo轮廓仪测量了玻璃的表面粗糙度只有康宁1737年玻璃、鹰XG玻璃和翡翠玻璃是熔合画玻璃其他的眼镜都被抛光了。根据测量结果,石英和Pyrex的表面粗糙度比其他玻璃要高得多(图2)。清洗后,所有玻璃在表面均表现出微粗化效应。换句话说,所有玻璃的表面粗糙度都增加了(图3)。

硅与玻璃晶圆键合的键合能研究 

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硅与玻璃晶圆键合的键合能研究 

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在清洗过程中仍然是最粗糙的,石英仍然是第二粗糙的。清洁玻璃表面的化学成分似乎对吡咯酮有最显著的粗化效应,因为均方根增加了7A。相比之下,石英似乎在清洁过程中保持完整石英表面几乎没有粗糙化。康宁的熔合画玻璃对湿化学清洗过程的耐化学性能优于除石英以外的其他玻璃。

硅和玻璃晶片清洗后,它们在室温下粘合。在100ºC、150ºC、200ºC、250ºC和300ºC退火后,在室温下测量每个键对的键能。对于大多数键对,键能超过了300ºC以下的玻璃弹性能。因此,当两个基片试图裂开时,玻璃基板破裂了在这种情况下,粘合被认为是“有一定的”的玻璃厚度。玻璃的厚度分别为0.5mm或0.63mm,并进行了粘接

 硅与玻璃晶圆键合的键合能研究

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根据键能随温度的变化,钠石灰玻璃在最低温度150ºC时完成了与硅晶片的键能,键能最高(图4)。硼合金玻璃和康宁1737年玻璃的粘合能第二高。然而,硼合金玻璃在200ºC处完成了粘合,而康宁1737玻璃直到250ºC才完成粘合。它们在较低的温度下具有非常相似的成键能,但在150ºC时开始偏离。苏石灰浮法玻璃(即传统浮法玻璃或现代窗玻璃)是碱碱土硅酸盐玻璃家族的成员。这种玻璃没有

含有任何硼化合物。相反,它的碱土含量为12-16%,并且含有更高的碱碱比例(约。15%氧化钠)比硼。在这三种表面粗糙度相似的玻璃中,玻璃中碱性含量越高,结合能越高,键完成温度越低。鹰XG玻璃和玉玻璃的表面粗糙度与前三种玻璃的表面粗糙度大致相同,但粘合能较低。鹰XG玻璃和玉玻璃的粘合能曲线在200ºC以下几乎重叠,但鹰XG玻璃在较高的温度下完成了粘合。众所周知,鹰XG玻璃和玉玻璃的碱性含量都低于苏打水、硼矿和康宁1737玻璃。石英在粘合前的表面比上述玻璃稍粗糙。因此,可以理解石英的成键键合能较低是可以理解的。石英的粘合能曲线实际上与100ºC以下的鹰XG玻璃和玉玻璃的曲线几乎重叠。当温度上升到150ºC时,石英和其他两种玻璃之间的键能差开始变为信号

其他玻璃属性,如应变点、CTE和杨氏模量已经被评估,以证明与键能的相关性。表一列出了正在研究的眼镜的所有三个物理属性。显然,成键能与杨氏模量和CTE之间没有显著的依赖性。在上 另一方面,我们发现玻璃的应变点与粘合能成反比。已知应变点和碱性含量是相互关联的。通常,应变点随着玻璃中碱性含量的增加而降低。Pyrex再次异常,因为表面粗糙度主导着键能。

与硅对硅(Si/硅)晶圆粘合相比,已经观察到硅对玻璃(Si/玻璃)晶圆键合在温度上非常明显的键合动力学。亲水键的Si/玻璃对在较低的150-300ºC温度范围内形成非常强的键,而Si/Si键对直到800ºC才完成键。对杨氏模量和CTE进行了评估,发现它们对成键能没有贡献。另一方面,玻璃的表面粗糙度、应变点和碱性含量显著占键能。众所周知,在硅/硅晶圆键合中,表面粗糙度的贡献是重要的。然而,玻璃中碱性含量增强成键能的机理尚未得到研究。由此可见,获得高粘合能的前提因素是表面光滑,即表面粗糙度低,而玻璃中的碱性含量可以随着温度的升高而进一步增强粘合能。碱金属和/或碱土随着基底温度的升高而被动员起来


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