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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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颗粒对单晶SiC衬底紫外辅助抛光性能的影响

时间: 2021-12-07
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颗粒对单晶SiC衬底紫外辅助抛光性能的影响

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引言

本文报告了对SiC单晶使用各种颗粒进行紫外光辅助抛光,通过评价抛光表面性质和加工效率来选择最佳颗粒。

 

实验

为了在不对硬度高、热、化学极其稳定的SiC单晶造成损伤的情况下,在原子水平上高效地进行加工,仅通过机械作用进行加工是不可能的。因此,认为有必要有效地利用某种化学作用,提出并开发了利用紫外光的化学反应的SiC基板的新加工法。

实验中使用的横型高速研磨装置的外观照片在使紫外光透过的合成石英表面板上以任意负荷压入SiC基板的同时, 表面板使用紫外光透过率在90%以上的合成石英紫外线可以从石英表面盘的背面直接供给加工点进行配置。另外合成石英表面盘的尺寸为直径50毫米加工时事先进行了手工包裹处理,表1表示, 紫外光支援研磨的实验条件。加工用的样品, 通过聚氯乙烯表面板使用1 a m金刚石浆料进行抛光, 将表面粗糙度定义为Ra: 使用1nm的6H―SiC(0001), 选择了与C终端面相比研磨效率较低的Si终端面转数在基板侧为750rpm, 石英表面板侧以625rpm旋转,进行了30分钟的加工。

在石英表面板上的各种磨粒的固定是通过制作20wt%的浆料,使用的粒子有氧化钛TiO₂),氧化锆(ZrO₂),二氧化硅(SiO₂),氧化铈(CeO₂)4种。TiO₂以及ZrO₂是光催化剂的代表例子,通过紫外光的光催化作用,可以期待SiC表面的氧化被促进。SiO₂作为半导体基板的研磨剂被一般使用。CeO₂作为玻璃(成分主要是SiO₂)的研磨剂而广为人知,在SiC表面上形成。

颗粒对单晶SiC衬底紫外辅助抛光性能的影响 

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在进行使用各种粒子的紫外光支援研磨加工实验时,首先,验证了在没有粒子的状态下紫外光对删除率产生的效果。比较删除率的结果如图2所示测定精度为0.013 a m/hr左右。实验的结果是,通过紫外光照射可以得到约10倍的删除率,通过紫外光的光化学反应可以促进氧化膜的生成,在SiC单晶的加工中紫外光有效地起作用。

 颗粒对单晶SiC衬底紫外辅助抛光性能的影响

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使用TiO₂进行紫外光支援研磨加工的SiC单晶表面的光干涉式粗糙度测定装置的测定结果如图3(a)所示。研磨面存在非常大的凹凸没有发现划痕状的划痕,主要是脆性破坏痕迹这样的缺陷由于SiC和TiO₂有近3倍的硬度差,所以很难认为脆性破坏会产生图3(a)那样的深划痕。因此,可以认为TiO2的非常强的光催化作用的化学作用使表面恶化。图3(b)是使用ZrO₂进行紫外光支援研磨加工的SiC单晶表面的WYKO的测定结果。

ZrO₂的研磨面上发生了许多划痕状的划痕但是, 这些伤口都是凸状的, 可以看出,不是磨粒的切削作用产生的。由于ZrO₂也具有光催化作用, SiC表面上通过的ZrO₂粒子被局部氧化,有发生凸状划痕的可能性。图3(c)是使用SiO₂进行紫外光辅助研磨加工的SiC单晶表面的WYKO的测定结果使用SiO₂的情况下,产生了很多划痕,可以看出是以机械材料去除为主的加工。图3(d)是使用CeO₂进行紫外光辅助研磨加工的SiC单晶表面的WYKO的测定结果与图3(a)~(c)不同,可以得到非常光滑的研磨面。可以认为,由于比较软的CeO₂粒子的机械化学作用,在SiC表面没有发生大的划痕的情况下进行了加工。

接着,从删除率的观点选定了最合适的磨粒种类。实验的结果,删除率中CeO₂也是最高的。这可以认为是有效地进行了紫外线的氧化反应以及CeO₂的催化作用的氧化反应和CeO₂的氧化膜(SiO₂)的除去的结果。根据以上的结果,在研磨面性状以及删除率的任何一个方面,CeO₂粒子都适合于SiC单晶的紫外线辅助研磨。

根据上述结果,明确了CeO₂在SiC单晶的紫外光辅助研磨中是有效的。在此,着眼于作为CeO₂催化氧化力指标的比表面积,对使用比表面积不同的2种CeO₂粒子进行研磨的表面以及删除率进行了比较。使用的CeO₂粒子的比表面积,在比表面积测定法之一的BET法中有3.9 m2/g,56.4 m2/g 2种。如果是相同物质,比表面积越大催化活性越高,因此通过比表面积大的CeO₂粒子(BET:56.4 m2/g),SiC表面的氧化反应变得活跃,删除率有望提高。

5显示了研磨面的WYKO测定图像为了特定该划痕的原因,用扫描型电子显微镜对粒子进行了观察虽然两个粒子的平均粒径都约为1 a m,可以看出混合了超过5 a m的粒子可以认为,压力集中在这些非常大的粒子上,机械地作用于SiC表面,从而产生了划痕。其次,比较删除率与比表面积的差无关,通过紫外光照射可以得到约1.4倍的删除率。而且,看出比表面积大的粒子的删除率大因此,可以说CeO₂粒子的比表面积大的比较适合。

根据上述结果, 为了实现无划痕的镜面加工,平均粒径小,制作了比表面积大的CeO₂粒子,利用SEM对该粒子的观察结果没有2种CeO₂那样超过5 a m的大粒子可知粒径的偏差也很小,根据这个结果,明确了使用了粒径小比表面积大的CeO₂粒子的紫外光支援研磨面,表面的原子构造上没有混乱,是结晶性非常优异的表面。以上的结果明确了通过减小CeO₂粒子的粒径,并且抑制粒径的分散,可以大幅度改善研磨面的性状,可以得到表面的原子结构没有混乱,结晶性优良的研磨面。今后,通过进一步细化CeO₂粒子的粒径,可以得到完全无划痕的研磨面。

在本研究中,为了选定单晶SiC基板的紫外光辅助研磨加工中的最佳粒子,TiO₂,ZrO₂,SiO₂,CeO₂进行了使用这4种粒子的研磨实验,对得到的研磨面的表面性状以及删除率进行了评价。以下,总结了本研究中得到的成果以及见解:1.使用4种粒子进行单晶SiC基板的紫外光支援研磨加工的结果表明,无论在表面粗糙度还是删除率方面,CeO₂都是有效的。通过使用CeO₂,表面粗糙度为Ra:0.15 nm,Rz:3.86 nm,删除率为1.81 jm/hr;2.在使用了比表面积不同的CeO₂的单晶SiC基板的紫外光支援研磨加工中,明确了比表面积越大删除率越高,但是研磨面性状都出现了划痕较多的结果。根据SEM对粒子的观察,可以判断其原因是使用的粒子的粒径较大以及由于粒径的偏差导致的对粗粒的压力集中;3.使用粒径小、偏差小、比表面积大的CeO₂进行研磨加工时,得到了非常光滑的研磨面,通过AFM测定的表面粗糙度为Ra:0.12 nm,Rz:1.82 nm,可以进行原子水平的加工。并且,从研磨面的截面TEM像中,确认了可以得到原子结构没有混乱、结晶性优异的研磨面。


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