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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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太阳能电池硅晶片低反射纹理表面的湿蚀刻

时间: 2021-12-07
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太阳能电池硅晶片低反射纹理表面的湿蚀刻

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一般的晶系硅太阳能电池的结构概略如图1所示,在兼顾经济性的同时,为了提高太阳能电池的转换效率,进行了很多努力其中降低硅晶圆表面反射率、降低光反射损耗的技术是提高效率的关键平坦的硅晶圆的反射率在波长400~1100nm下平均为40%左右,非常高,产生了很大的损耗为了降低这种表面反射率,太阳能电池的表面涂覆有折射率小于硅的透明薄膜作为抗反射膜具体来说,使用的是二氧化钛(单晶太阳能电池的情况)和氮化硅(多晶太阳能电池的情况)等薄膜。

 太阳能电池硅晶片低反射纹理表面的湿蚀刻

1 普通晶系硅太阳能电池的结构

另一项降低表面反射率的重要技术是在硅晶圆表面形成具有细微凹凸形状的结构(称为纹理结构)。 一般的纹理结构是几μ~几十μm大小的凹凸。 作为这样的纹理结构的效果,已知有以下3个(图2为模式图)。①表面多次反射导致表面反射率降低:通过凹凸使表面反射一次的光再次入射。 ②光路长度的增大:由于凹凸,光的行进方向倾斜,其结果是光在硅内部行进的距离变长。 对于硅的吸收系数小的长波长光特别重要。 ③另外,如上述②所述,由于光在硅内部倾斜前进,因此当该光的一部分被背面反射并再次到达表面时,入射角达到临界角以上,发生全反射(内部全反射)。 因此,光被封闭在硅中。形成纹理结构的方法有各种各样的方法,在本解说中,将对使用湿法蚀刻的方法,特别是我们最近开发的使用金属催化剂的方法进行解说。

 太阳能电池硅晶片低反射纹理表面的湿蚀刻

2 纹理结构的效果

湿法刻蚀形成纹理结构的技术:如果使用集成电路制造工艺中使用的光刻技术,就可以制作出纹理结构,但是,太阳能电池与集成电路等小面积、高附加值的器件不同,是覆盖房屋屋顶的大面积器件,在制造成本、量产性方面难以使用光刻技术,在这一点上,能够同时处理大量晶圆的湿法蚀刻是有效的。

通过金属催化剂蚀刻形成纹理结构的方法

在半导体制造工序的湿法清洗技术中,金属微量污染会在硅表面形成凹坑,我们认为该现象是否可以应用于太阳能电池用多晶硅纹理结构的形成,开发了新的纹理结构形成技术首先,通过化学镀法在硅表面附着银微粒子具体地将溶液在室温下浸入通过溶解高氯酸银和氢氧化钠获得的水溶液中约20分钟通过这种处理,硅胶在表面随机析出30~100nm左右尺寸的银粒子。接着,使用氢氟酸和过氧化氢水的混合液进行湿法蚀刻在没有附着银的状态下,蚀刻几乎不进行,但是如果有银,在银的催化作用下,蚀刻进行的同时,表面会形成凹凸结构。 在该催化剂的作用下,过氧化氢在银上进行还原反应,相应地从硅中提取电子其结果是在硅内生成空穴(h),引起硅的氧化性溶解这是以银为催化剂的纹理结构形成的基本反应特别是,在该蚀刻过程中,银粒子在向硅内部下沉的同时,呈现出形成筒状细孔的极其特异的行为,但其机理尚未充分阐明。

在形成这样的细孔的同时,在表面附近形成了污渍层(纳米尺寸的多孔硅层)。 另外,该污渍层虽然显示出作为抗反射膜的性质,但由于其本身具有高电阻,因此会对太阳能电池的特性产生不良影响我们用低浓度(1wt.%)的氢氧化钠水溶液在室温下进行处理,除去了污渍层此时,硅内部形成的筒状细孔的壁也多少被蚀刻扩大,通过调整处理时间,达到适合纹理结构的尺寸。最后,用硝酸除去残留在表面的银另外,还可以回收除去的银,在银化学镀工序中再利用。

8显示出了通过上述处理形成的纹理结构的SEM图像。 由于多晶的结晶粒不同,露出面的结晶方位也不同,因此形成的凹凸形状也有差异(a和b),表面整体形成了凹凸结构。

对使用这样得到的银微粒子催化剂进行湿法蚀刻处理的晶圆和没有纹理化处理的晶圆以及进行了碱性纹理化处理(以前的方法)的晶圆的表面反射率进行了比较其结果明确了通过使用银微粒子催化剂的处理得到的反射率最低。

本文解说了作为在晶体硅太阳能电池表面形成低反射表面凹凸结构技术的湿法蚀刻法 与目前正在开发的各种薄膜太阳能电池相比,晶体硅太阳能电池属于较旧的类型,但目前很有可能继续成为太阳能电池的主流,作为其技术课题,预计在于多晶锭制造及晶圆加工技术的低成本化,但湿法蚀刻技术与晶圆加工技术也有关联,通过对这些技术进行综合研究,有可能发展成更有用的技术另外,以金属微粒子为催化剂的加工技术不仅用于纹理结构的形成,还有望应用于MEMS技术等广泛领域。


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