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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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采用旋涂引晶法的多晶金刚石压力传感器

时间: 2021-12-08
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采用旋涂引晶法的多晶金刚石压力传感器

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引言

为了获得高的重力系数在没有特殊制造工艺的情况下,引入了刮擦和旋涂播种方法的组合通过使用所提出的方法,可以在二氧化硅衬底上均匀地生长金刚石膜,并且膜对衬底的粘附力在最大值时增加到900牛顿/平方米。为了提高表面导电性,分别引入了表面氧终止和退火弛豫氢缺陷。通过这种氧化处理的传感器显示出温度特性的更好的均匀性。作为高温用压力传感器,人们正在研究开发基于金刚石薄膜的压力传感器金刚石的化学稳定性高,是宽带隙半导体,因此作为传感器是很有魅力的材料。 但是,使用单晶金刚石的压力传感器虽然具有非常高的灵敏度、1000左右的计量系数(以下称GF)

在本研究中,为了进行电气绝缘,采用了在堆积氧化膜的硅隔膜上形成金刚石的方法,因此进行了探讨使用结晶尺寸为100 nm的单晶金刚石粉末,金刚石粉末液的浓度为0.25 g/l。

采用旋涂引晶法的多晶金刚石压力传感器   

1

在损伤处理中,在金刚石溶液中进行U.S.处理20 min后,使其结晶生长成长后的SEM像如图1(a)所示。仅通过损伤处理无法得到均匀的成膜,这是因为100 nm的金刚石粉末无法获得足够的核密度,旋涂播种法是将浓度为0.25 g/l的金刚石粉末溶液滴入基板后,以旋转速度2100 rpm进行旋转涂布,涂敷后使金刚石生长2µm的情况如图1(b)所示,从该图可以看出,利用旋涂播种法,基板中心、周边均基本均匀生长,并且得到了充分的核密度。

在旋涂播种法中,氧化膜上只附着了金刚石粉末,与底层的附着力并不牢固。 因此,通过并用损伤处理和旋涂种子,尝试改善了基板和金刚石薄膜的附着力首先,进行与损伤处理相同的U.S.处理之后,在溶液附着的状态下,在与旋涂同样的条件下,通过旋转均匀涂抹金刚石粉末,进行溶剂的干燥通过该处理生长的基板表面的SEM图像如图1(c)所示。 可知,与仅使用旋涂播种法的情况相同,成膜均匀。

测量了金刚石薄膜和基板的附着力将金刚石成膜的基板固定在基座上,并且在基板表面用环氧粘合剂固定直径3mm的金属棒连接金属棒和弹簧秤,降低台座,施加负荷,测量金刚石剥离时的负荷

2显示的是使粒径及浓度发生变化时对损伤处理时间的附着力的变化,如果只做了旋涂播种,使用旋涂片时为73.6 N/cm2,同时使用旋涂片时为130 N/cm2,由此可知,同时使用损伤处理时,与旋涂片单体相比,附着力得到了提高。 另外,为了进一步提高附着力,还尝试了增大超声波振动输出。其结果是,在粒径为100 nm、浓度为1.0 g/l的金刚石溶液中进行60 min的损伤处理后,附着力增加到了900 N/cm2。

 采用旋涂引晶法的多晶金刚石压力传感器

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为了观察基板/金刚石界面,通过蚀刻除去了金刚石成膜的Si/SiO2基板。 金刚石界面的SEM图像如图3所示。 可以看出,通过U.S.处理的金刚石粉末与基板的碰撞使界面粗糙化。 这被认为表明由损伤处理形成的生长核的锚定效应增加了粘附力。 因此,随着损伤处理中金刚石粉末的浓度、损伤处理时间的增高,附着力也随之增加。

根据这些结果,在压力传感器的制作中,应用了能够获得均一的膜质和高附着力的损伤处理和旋涂种子并用的方法。在通过MPCVD形成金刚石膜的过程中,将B2H6作为p型掺杂剂气体混合。在传感器的制作中,将B2H6浓度设定为1.0×104 ppm,可以得到结晶性良好的薄膜。

制作的应变压力传感器的形状如图6所示,膜片的大小为3.0×6.0 mm,表面折回配置有粗细为100µm的应变电阻体,膜片的膜厚取决于杂质深度,这里设为15µm。 首先,对清洗后的n型Si进行热氧化。 仅除去表面氧化膜,作为用于形成隔膜的Si湿法蚀刻的蚀刻停止,在1200℃、氮气氛中,以三溴化硼为掺杂剂源,使硼热扩散,进行驱动,通过热氧化进行氧化膜厚度为1.5µm的生长,旋涂使金刚石粉末附着在SiO2表面,MPCVD使金刚石生长,用电子束蒸镀Al进行双面图案化,使用RIE进行O2等离子蚀刻,此外,通过使用APW的各向异性蚀刻,在Si基板上形成隔膜完成。之后,溅射Ti/Pt,通过剥离形成欧姆电极。

对于器件用的基板尺寸为15 mm×15 mm,为了扩大等离子体使基板整体均匀生长,将压力成膜条件9 kPa减少到8 kPa,由于该压力降低导致等离子体密度降低,因此与未掺杂的等离子体相比,使生长时间变长。

在进行氢缺陷结构缓和及氧终端时,为了明确哪一个具有支配性,评价了通过热混酸处理只进行氧终端处理的传感器的特性,进行1小时的热混酸处理(H2SO4:HNO3=3:1,200°C),充分终止氧的传感器的特性。 与氧终端及氢缺陷结构缓和后的值相比,显示出更大的值,为了解决这样的问题,即金刚石在成膜后以蚀刻石墨为目的进行氢终止处理,但是仅通过该处理,石墨的蚀刻是不充分的,并且石墨存在于晶界中。 因此,可以认为,由于通过热混酸处理对金刚石晶界的石墨进行了蚀刻,GF值较大。 另外,在0.2 MPa以上的情况下,―R/R的变化有饱和的倾向。 可以认为,这是因为晶界的电阻值高于金刚石内部的电阻值,施加较大的压力后,晶界的几何学电阻效果比金刚石内部的电阻变化更具有支配性。

温度特性

12显示的是进行2个氧终端处理后的温度特性,进行了热混酸处理的物质与在大气中500℃下进行退火的物质相比,在400K下GF的降低也较少,可以认为,这是因为通过热混酸处理进行了石墨蚀刻,在高温区域中不存在通过石墨的电流路径,因此维持了高值。

      通过同时使用划痕处理和旋涂种子法,在SiO2衬底上形成的金刚石薄膜获得了均匀的膜厚和与基底的良好粘附性,制作的压力传感器在as grown的氢终止的传感器中GF低至29,但在大气中500°C下退火的传感器为168,进一步进行热混酸处理的传感器增大至285。 可以认为这是由于热混酸处理的石墨蚀刻造成的。 而且,温度特性也得到了改善。


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