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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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CMP化学品对多孔二氧化硅低k薄膜性能的影响

时间: 2021-12-10
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CMP化学品对多孔二氧化硅低k薄膜性能的影响

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引言

本文研究了CMP化学物质诱导的多孔硅-sio低材料的降解,并描述了其降解机理和回收方法。描述了CMP工艺对漏电流退化的影响和介电常数发现漏电流和介电常数增加根据傅立叶变换FTIR吸收,由于CHx和OH键的增加,CMP后清洗溶液这是因为化学机械抛光后清洗溶液中的表面活性剂渗透到多孔二氧化硅中渗透的表面活性剂在CMP工艺之后,可以通过用2-丙醇或乙醇冲洗来去除多孔二氧化硅。

 

实验

      本研究的工艺流程使用CMP扫描机NPS3301尼康对300mm硅片上的多孔硅片进行了Cmp工艺直接抛光和CMP后清洗将浆液的流量保持在150mL/min时保持不变抛光压力和平均相对速度分别保持在0.34kPa和1.79m/s。这个多孔的二氧化硅被抛光了30秒清洗液1pH9.0和清洗液2pH5.0与刷砂一起进行cmp后清洗,清洗时间分别为38和60s。此外,用n2气-水二相流动清洗清洗抛光后的多孔二氧化硅18s。

      为了研究CMP化学物质的降解和对回收过程的影响,进行了浸渍试验,即将多孔硅膜浸入CMP化学物质中1min,用去离子水或乙醇冲洗8min,n2吹法干燥。FTIR作为一个指硅衬底在透射模式下的入射角和垂直入射角的差光谱进行测量。采用固着液滴法测量了接触角。利用可见光下光谱椭圆偏振法测量了po-SiO的薄膜厚度和折射率。

 

结果与讨论

      在CMP工艺中,在去除阻挡金属后对帽膜进行抛光,以便对帽膜和阻挡金属必须具有相同的抛光速率。图4显示了使用帽CMP浆料的各种帽膜与阻挡金属Ta膜的抛光速率之比,其与阻挡金属的抛光速率相同。

 CMP化学品对多孔二氧化硅低k薄膜性能的影响

4 各种帽膜与阻挡金属Ta膜的抛光速率比

 CMP化学品对多孔二氧化硅低k薄膜性能的影响

5

5显示了不同过程后,po-SiO的FTIR光谱中的吸收峰面积与初始值的比值。OH键和CHx的吸收峰面积分别在3100-3700和2800-3000cm−1处,得到了OH键和CHx的吸收峰面积。OH键和CHx的FTIR吸收强度随CMP过程的增加而增加。为了确定光谱变化原因的主要过程,将多孔二氧化硅浸入CMP浆液和CMP后清洗溶液中,用去离子水冲洗。在处理的每一步都测量了FTIR光谱,当将多孔二氧化硅浸入CMP浆液中时,羟键的吸收强度增加,而CHx的吸收强度没有变化。当多孔二氧化硅浸入cmp后清洗溶液中时,氢的吸收强度和CHx增加。cmp后清洗溶液含有表面活性剂和有机碱或有机酸。然后将清洗溶液与氢氧化铵TMAH和乙酸氢氧化铵乙酸进行比较。

得到的FTIR光谱CHx的吸收强度没有增加只有当cmp后清洗溶液中的表面活性剂渗透到多孔二氧化硅中时,CHx的吸收强度才会增加。虽然浆液中也含有表面活性剂,但多孔二氧化硅的CHx吸收强度没有增加。这说明CMP后的去离子水冲洗可以去除CMP泥浆表面活性剂。

将多孔二氧化硅浸入CMP化学物质中后,氧化氢键的吸收强度增加当多孔二氧化硅浸入乙酸时,氧化氢键的吸收强度与初始状态几乎没有变化,而浸入TMAH时吸收强度增加。由于cmp后清洗溶液1和TMAH溶液是碱性的,疏水基团甲基和Si之间的化学键被碱性溶液破坏,多孔二氧化硅的疏水性降低。去离子水和乙醇冲洗CMP化学物质后,去离子水在多孔二氧化硅上的接触角相同虽然用乙醇冲洗可以去除渗透的多孔二氧化硅表面活性剂,但接触角没有恢复到初始值这表明多孔二氧化硅的疏水性降低

TDS光谱中,CMP过程后400时,如CH3甲烯2O-,70、-甲烯5-,和88如-CH2CH2O-和600°C下渗透表面活性剂的解吸IPA冲洗后,去除在400和600°C下分离的元素。这证实了通过IPA漂洗液可以去除表面活性剂。因此,在CMP过程中,经IPA冲洗和TMCTS处理后,CHx和OH键的吸收强度均恢复到初始值。

 CMP化学品对多孔二氧化硅低k薄膜性能的影响

11

11为多孔二氧化硅经过不同工艺后,在1mv/cm时的泄漏电流密度和介电常数之比。CMP处理后,泄漏电流密度和介电常数均增加。CMP后的IPA冲洗液不能将泄漏电流密度和介电常数恢复到初始值。当CMP后应用TMCTS处理时,这些量被恢复到初始值。电学性能的恢复对应于氧化氢键的吸收强度的恢复。这些结果表明,多孔二氧化硅中的吸收水可降解了多孔二氧化硅的泄漏电流密度和介电常数。

同时比较了多孔二氧化硅浸入浆液中、cmp后清洗、超音速清洗和乙醇漂洗前后的小角度x射线散射光谱小角度x射线散射谱与多孔材料中孔隙的大小和分布有关这些处理后没有观察到变化,表明多孔硅性能的恢复和降解,孔隙结构没有任何明显的变化。

由于cmp后清洗溶液中的表面活性剂渗透到多孔二氧化硅中,导致水的吸附,泄漏电流和介电常数均有所增加。可以去除渗透的表面活性剂   CMP工艺完成后,用IPA和乙醇冲洗。通过TMCTS处理,可以恢复泄漏电流密度和介电常数的降解,从而恢复了孔壁表面的疏水性。


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