欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829
 
 
 
新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
新闻中心 新闻资讯

无掩膜紫外光刻技术

时间: 2021-12-14
点击次数: 12

无掩膜紫外光刻技术

扫码添加微信,获取更多半导体相关资料

引言

我们报道了一种紫外(UV)光刻和直接书写的方法,其中曝光模式和剂量都是由互补金属氧化物半导体(CMOS)控制的微像素化发光二极管阵列决定的。来自演示器8x8氮化镓微像素LED的370nm紫外光使用两个背对背显微镜物镜投射到光刻胶覆盖的基底上,允许控制去除。在目前的设置中,该系统能够在直径为~8µm的圆形点中为每个成像像素提供高达8.8W/cm2。我们展示了用正光刻胶和负光刻胶书写的示例结构。

光刻技术是微图案化的首选方法, 按照最近报道的方法设计了CMOS控制装置,使交替像素可操作,从而得到了一个发光的8x8阵列[图]1(a)]。这是由于凹凸键合过程,目前限制了像素到像素间距为~200µm。

 无掩膜紫外光刻技术

1

CMOS装置允许单个微像素、方波和脉冲操作[8]的连续波(CW)操作。在CW操作中,我们测量了一个裸像素,在370nm的驱动电流为80.0mA(340µW在20mA)下提供高达604µW的光功率。方波的频率(脉冲模式下的重复频率)可由片上电压控制振荡器(VCO)从6MHz到800MHz之间设置,使用外部时钟设备,可以选择任何频率,在脉冲模式下,可以控制脉冲的持续时间,范围从300ps到40ns。成像后测量的27mA的光谱特征证实其接近Hgi线操作(峰值在370nm,FWHM为15nm)。

CMOS控制装置连接到印刷电路板(PCB)上,通过现场可编程门阵列(FPGA)板进行计算机控制,在定制的软件界面中,如图所示1(b),CMOS芯片的操作模式可以设置为线性反馈移位寄存器、直流/外部或VCO,LED模式可以设置为DC/Square或脉冲,VCO分频器设置一个值(1、4、16或64),在使用VCO频率之前对其进行划分。通过设置行和列,可以选择由一组像素组成的像素或模式,1(b)]或通过在软件界面的网格模式中突出显示所需的像素,通过定时控制,LED准时可以准确地设置到~100ms,在图中可以看到无掩模光刻装置的摄影图像和相应的示意图。关于分束器的方向。无限校正物镜在焦平面上给出物体的准直(或平行)输出光束,因此当相机物镜设置为无穷大聚焦时,相机上显示的图像光学共轭到每个物镜的焦平面。

用于投影显微镜物镜z平移的压电驱动台(PIP-725.4CD)提供了非常精确(100nm分辨率与当前驱动和反馈测量系统)的焦点控制。样品放置在XY级(2xPIM-112.1DG)上,允许大面积(高达25x25mm2)形成图案。计算机控制允许样品以任何预定义的模式以最大速度为1.5mm/s移动,重复性为~1µm。

 无掩膜紫外光刻技术

图 3

这两个目标可以改变,以提供放大或去放大从LED像素的投影点的能力,当投影微led设备的72µm直径像素时,一系列从4X到40X放大倍数的显微镜物镜给出了从7.2µm(4X采集物镜和40X投影物镜)到720µm(40X采集物镜和4X投影物镜)的理论光斑尺寸,通过4X采集物镜可以看到4个像素。3(a)并通过40X采集物镜在样品位置的镜子上反,3(b)]显示系统如何识别被照亮的点。

为了表征系统的性能,通过在样品位置放置一个校准的紫外光功率计(相干场MaxTop)来测量在样品处交付的每个像素的光功率。总投影功率用40X采集物镜测量为140µW,用4X采集物镜测量为4.4µW,均在~的CMOS驱动电流下获得。投影功率独立于投影目标,因为传输损耗很低,并且对于这类目标非常相似。测量结果还表明,在整个系统中只有很小的传输损耗(大约小于4%),除了分束器的~功率损耗为50%。投影的斑点大小是通过成像放置在样品位置的镜子上的反射来确定的。

 无掩膜紫外光刻技术

4

4显示了在9.75MHz的固定重复频率下,平均投影光功率如何随脉冲持续时间从0.5ns到40ns而变化。功率呈线性尺度,但LED的脉冲驱动允许我们探索光阻的间歇固化行为。CMOS驱动程序的这一特性原则上还可以用来纠正像素之间的输出功率的差异,并补偿视场上的收集效率的变化。

为了测试微光刻系统,在正光刻胶和负光刻胶中都产生了许多不同的“演示剂”图案。Norland(NOA81)选择了一种光学粘合剂,因为其粘附于玻璃,粘度相对较低,使薄膜可以在基底上旋转,因此提供了少量µm尺寸的可能性。该光学粘合剂的光谱峰灵敏度为365nm,制造商推荐的完全治疗剂量为2J/cm2,在制备过程中,硼硅酸盐玻璃的衬底在丙酮和甲醇的超声浴中彻底清洗,然后将它们用去离子(DI)水中冲洗,并在110°C的热板上干燥至少20分钟。然后,NOA81在8000rpm下旋转涂覆40秒,通过固化结构上的触控笔(DekTak)轮廓仪测量的薄膜厚度为1.7µm。将带有诺兰薄膜的衬底放置在XY台上,然后通过通过该装置投射的微led装置的紫外光曝光。

LED装置的脉冲操作下,对NOA81进行了进一步的固化实验,通过将脉冲宽度从5ns改变到40ns,从而将暴露剂量从16.4J/cm2改变到120J/cm2,可以写入从11µm到24µm直径的斑点大小,曝光时间为40s。

对于正极光刻胶的特征,标准光刻胶,希普利微阳性S1805。它对g线(436nm)曝光进行了优化,但对350nm的曝光波长效果良好。线的推荐暴露剂量为150mJ/cm2。硅基底在丙酮和甲醇的超声浴中彻底清洗。然后用去离子水冲洗它们,并在110°C的热板上干燥至少20分钟。光刻胶以2000rpm的转速旋转30秒。然后将含有0.7µm厚薄膜的基底置于120°C的热板上1分钟,以软烘烤光刻胶后再暴露。暴露后,使用微显影剂溶液(微阳性与去离子水的1:1体积比)完成开发,将基质浸泡后,在溶液中轻轻移动1分钟,用去离子水冲洗去残留的显影剂。

作为进一步的演示模式,我们用较厚的正型光刻胶书写,来自希普利的微阳性S1818。玻璃基底的清洗方式与以前的样品相似,随后用旋转涂层用~2.0µm厚的光刻胶覆盖,然后将样品在脉冲模式下同时暴露4个像素,持续2秒,暴露剂量为1.1J/cm2,将样本翻译成40µm,并进行其他暴露。这被重复了四次,然后是如上所述的开发步骤。

通过将新型CMOS驱动的微led阵列与投影系统相结合,我们建立了一种多功能的计算机控制的微光刻工具,能够将正负光刻胶的特征写到~8µm。它能够同时暴露多个斑点,并通过CMOS驱动机制,能够精确控制在一段确定的时间内传递的剂量,并能够纠正整个视野的不均匀暴露。这种类型的系统为直接写光模式和模式光刺激的许多领域提供了有吸引力的前景,包括聚合物微结构、无掩模光刻、数字光学化学、微流控系统和光遗传学。


Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开