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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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在KOH蚀刻过程中测量活性KOH浓度的方法

时间: 2022-01-25
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在KOH蚀刻过程中测量活性KOH浓度的方法

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涉及一种用于在线测量氢氧化钾蚀刻工艺中的氢氧化钾浓度的方法。在这个过程中,每蚀刻一个硅原子就释放一个氢分子。 溶液中的硅酸氢离子H2SiO42倾向于聚合物- ize,这有时会导致反应产物出现“黏糊糊”的外观,并使确定实际反应更加困难。 为了简单起见,这里使用上面显示的反应来描述该过程,并且通过使用氢氧化钾和硅酸氢二钾的摩尔质量来计算本文后面显示的重量/重量浓度值。 氢氧化钾浴中硅的蚀刻速率取决于浴的温度和氢氧化钾浓度。为了获得蚀刻时间的足够精确的估计,必须测量这两个参数。 虽然测量温度是一项微不足道的任务,但也有一些挑战浓度测量中的长度。随着蚀刻的进行,氢氧化钾被消耗,如上面所示的反应方程式所示。硅复合物不参与该过程,但是随着浓度的变化,蚀刻速率变化。 有一些测量,例如折射率测量 能够以足够的精度测量水中氢氧化钾的初始浓度。

这个误差源对于单个蚀刻批次来说并不显著。如果在不更换KOH溶液的情况下进行几批蚀刻,累积误差将产生不可接受的结果。间接方法包括测量硅浓度并从总浓度中减去该浓度,这需要两次独立的测量。制造再利用或回收系统背后的经济依赖于获取和处理化学品的高成本。这一成本必须与以足够精度测量浓度所需的测量系统的额外成本相平衡。测量系统也应该是免维护的除了可能的定期校准外,很少维护。该系统在物理上也应足够小,以便安装在处理站中,并且应在线测量浓度,即直接从浴槽或在循环泵处测量。在典型的蚀刻过程中氢氧化钾的浓度范围是吐温0.15和0.4 (15 %和40 %) w/w。溶解到浴中的纯硅的量大约为每批0.001 w/w (0.1 %)。这转化为0.005 w/w (0.5 %)的K2H2SiO4要解决的问题可以简单描述,因此在现有技术中不存在测量氢氧化钾蚀刻过程中活性氢氧化钾浓度的实用方法。本的目的是获得一种在氢氧化钾蚀刻过程中在线测量活性氢氧化钾浓度的实用方法。

在氢氧化钾蚀刻的情况下,介质是均匀的,也就是说,它的整个液体的光学性质是相似的。有四种不同的光学特性-介质:折射率、吸收率、光学活性和荧光。折射率描述介质的光密度。重新-分形指数定义为真空中的光速除以介质中的光速。水溶液的典型值在1.33之间和1.52。折射率取决于介质的成分(其成分的浓度),并且具有显著的温度依赖性。折射率可以用折射计测量。A折射仪可以以足够高的精度(约0.1 % w/w)成功地用于测量水溶液中KOH的浓度。过程折射仪也可作为工业产品随时获得润湿部件中没有任何金属的特定半导体型号(例如kpaperture PR-23-M)。折射计可以用来测量大多数二元溶液(两种组分溶液),但是在多组分溶液中,它不能单独给出所有组分的浓度。另一方面,折射仪对痕量杂质不敏感,因此非常适合总浓度测量。在这种特定的测量情况下,折射率测量提供了对KOH和K2H2SiO4总浓度的可靠测量,但它无法区分这两种化学物质,即折射计测量需要由另一个测量来补充,该测量以前面讨论的不同方式与KOH和KaH2SiO4反应。折射率的对应物是吸收率。吸收比描述介质吸收光线的能力吸收率高度依赖于波长,对一些微量杂质很敏感。吸收率可以在一个波长或几个波长下测量长度。在最广泛的形式中,吸收率是在大量波长下测量的,以产生几乎连续的光谱。

应该注意的是,由于光谱仪在不同波长下进行大量独立测量,它至少在理论上可以确定多组分介质中的所有浓度,而无需任何补充测量。实际上,当实际情况发生变化时,光谱测定法并不是最强的溶液中不同成分的浓度很重要。测量信号对浓度的响应是高度非线性(指数)的,测量范围和精度是有限的。在氢氧化钾蚀刻的情况下,具有特定的硅就足够了相当精确的测量。由于浓度相当高,测量需要非常短的路径长度和复杂的采样系统,并且精度仍然不是很好

热力学上,一种材料有三种可测量的性质:热导率、热容量和蒸汽压。所有这些都可以测量,并且都取决于溶解物质的浓度。氢氧化钾蚀刻剂的热容和电导率似乎不太取决于硅含量。测量液体的导热率和容量也是相当困难的在线测量。这些热力学性质没有为浓度测量问题提供任何实用的解决方案。当杂质存在时,液体的蒸气压会降低溶解在液体中。蒸汽压的降低可以直接从液体表面上饱和蒸汽的分压中看出,也可以间接从沸点的升高或熔点的降低中看出。有几种可能的测量装置来测量蒸汽压力。可以在真空室中使用单个压力传感器来直接测量水的分压。沸点可以通过例如用适当选择的功率加热液体来测量,冰点可以通过使用冷冻镜来测量。溶解的K2H2SiO4显著降低了蒸气压,这种降低是可以测量的。然而,由于氢氧化钾也降低了蒸汽压,所以在蒸汽压的净下降中,硅酸钾的影响很小。如前所述,这不是一个理想的属性。实际上,蒸气压测量和折射率测量的行为是如此相似,以至于通过它们的组合不能实现有用的双组分测量。氢氧化钾溶液明显比纯水更粘稠。这这同样适用于氢氧化钾和K2H2SiO4的溶液。这暗示了使用粘度或表面张力测量来区分氢氧化钾和K2H2SiO4的可能性。一种可能性在于动态粘度(粘度随剪切速率而变化)。连续过程的表面张力测量不给出非常准确的结果。即使使用固定样品,表面张力测量也不会给出任何有用的结果;KaH2SiO4对表面张力没有明显强于或弱于KOH的影响。

除了酸碱度测量,还有一些其他的离子选择性电化学测量方法。没有硅选择性测量。一些化学性质,如酸碱度,可以用套装来表示能够指示化学物质。这些化学物质在溶液中可以是游离的,也可以与一些基质结合。光学指示剂易于测量,指示剂分子本身不需要任何校准。折射计为纯净提供了一种可靠的测量方法氢氧化钾溶液。缺点是折射仪只能给出一个测量点,KOH和K2H2SiO4的作用无法分离。如果一种浓度已知,另一种浓度可以高精度计算。光谱法是提供直接氢氧离子浓度的唯一方法测量。除了折光率法,没有一种正在研究的方法可以达到0.1%的氢氧化钾浓度规格。所有方法对氢氧化钾和硫酸的反应似乎都相似。这使得结合使用两种不同的方法变得不切实际。尽管如上所述很难找到合适的测量方法,但是如果其中一个浓度已知,蚀刻速率仍然可以在线确定。如果K2H2SIO4的浓度是已知的,即使以相对较低的精度知道浓度,也可以获得令人满意的结果,因为K2H2SiO4的浓度比氢氧化钾的浓度低得多。根据本发明的基本思想,折射仪将给出总对比度氢氧化钾和二氧化硅的浓度,然后用估算的二氧化硅浓度校正测量结果。蚀刻过程本身是直截了当的。唯一剩下的变量(水量)可以用折射计测量。据估计,一批晶片产生1 g/l的纯硅溶解在浴液中。当将其转化为K2H2SiO4时,该数值大致为6 g/l或5 g/kg (0.005 w/w)。可以估计,在同一浴中连续十个批次,浓度上升至0.05 w/w。由于K2H2SiO4对折射率的影响与KOH相似,K2H2SiO4测定所需的精度约为最大浓度的1:50(误差相当于0.001 w/w KOH)。通过简单的平衡计算,无需任何测量即可达到上述确定K2H2SiO4浓度的精度。从晶片中溶解的硅量取决于两个因素;晶片设计和蚀刻深度。蚀刻深度受到高度控制,并且可以从设计者处获得设计参数(设计为去除的硅的量)。水量可能会改变,但不会改变K2H2SiO4和KOH的比例。


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