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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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宽禁带氮化物的选择性蚀刻

时间: 2022-01-26
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宽禁带氮化物的选择性蚀刻

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随着生长技术的改进,异质结构器件变得越来越突出,高选择性蚀刻工艺通常是必需的。在这项研究中,我们将观察压力、源功率和阴极rf功率对蚀刻选择性的影响。本研究中刻蚀的氮化镓薄膜是用金属有机化学气相沉积法生长的,而氮化铝和氮化铟样品是用金属有机分子束外延法生长的。

本研究中刻蚀的氮化镓薄膜是用金属有机化学气相沉积法生长的,而氮化铝和氮化铟样品是用金属有机分子束外延法生长的电感耦合等离子体反应堆是一个负载锁定的等离子体-热单反770,它使用一个2兆赫,3圈线圈电感耦合等离子体源使用导热膏将所有样品安装在阳极化的铝载体上,铝载体夹在阴极上,用氦气冷却通过在样品上叠加射频偏压(13.56兆赫兹)来定义离子能量或德拜样品用Shipley 4330光致抗蚀剂图案化。

 宽禁带氮化物的选择性蚀刻

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500瓦电感耦合等离子体源功率、2毫托室压力和130瓦阴极射频功率下,氮化镓、氮化铝和铟的蚀刻速率在图1中显示为%氩在Cl2/氩等离子体中的函数,随着%氩浓度的增加,氮化镓和氮化铝的蚀刻速率在大于20%氩时先增加后降低,蚀刻速率的最初增加归因于氩离子对蚀刻产物更有效的溅射解吸,然而,在较高的氩含量下,由于等离子体中氯离子浓度较低,蚀刻速率降低,铟蚀刻速率通常随着%氩的增加而增加,InN蚀刻机理的强物理依赖性可能是低挥发性InC的结果,InC是在25 ℃下形成的蚀刻产物,必须从表面溅射解吸以防止钝化在本研究的剩余时间里,气体比例保持不变,为5:1氯:氩,总流量为30 sccm。

 宽禁带氮化物的选择性蚀刻

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在图2中,当压力增加到5毫托时,氮化镓蚀刻速率略微增加,表明反应物受限然而,随着压力的进一步增加,由于较高的离子能量、较低的等离子体密度、再沉积或衬底表面上的聚合物形成,氮化镓蚀刻速率降低。一般来说,随着压力的增加,InN和AlN的蚀刻速率降低10毫托时,氮化镓:氮化铝的蚀刻选择性达到最大值约为8.5:1,而在5毫托时,氮化镓:氮化铝的蚀刻选择性为6.8:1。

作为增加等离子体密度或源功率的函数,蚀刻速率通常由于较高浓度的反应性中性物而增加,这增加了蚀刻机理的化学成分和/或较高的离子通量,这增加了氮化物的键断裂效率和蚀刻产物形成后的溅射解吸,对于高密度等离子体系统,离子能量和等离子体密度的影响更明显,因为它们可以更大

0 ICP源功率下,蚀刻速率非常慢在这些条件下,蚀刻系统基本上作为RIE操作,其中等离子体密度通常比ICP中形成的等离子体密度低2至4个数量级一旦打开等离子体源电源,就会发生显著的蚀刻。由于较高的中性和离子通量,所有3种膜的蚀刻速率最初随着ICP源功率而增加在所研究的功率范围内,InN蚀刻速率在> 250 W时降低,GaN在> 500 W时降低,AlN增加在高源功率下观察到的蚀刻速率的降低是由于样品表面反应性中性物的饱和或氯离子在它们有时间与表面反应之前的溅射解吸氮化铝的蚀刻选择性随着氮化镓蚀刻速率的变化而变化,在750瓦时,蚀刻速率先增加后减少,而氮化镓:氮化铝的蚀刻选择性随着电感耦合等离子体功率的增加而增加。

所有3种膜的蚀刻速率都随着阴极射频功率的增加而增加,这与离子能量密切相关更快的速率归因于氮化物键的高效断裂和蚀刻产物在更高离子能量下的溅射解吸提高InN蚀刻速率尤其重要,因为InC是这些条件下的主要蚀刻产品InCl具有低挥发性,通常需要高蚀刻温度来增加挥发性并产生合理的蚀刻速率在高直流偏压条件下,快速的InN蚀刻速率归因于蚀刻表面钝化之前InC蚀刻产物的有效溅射解吸蚀刻选择性同样作为射频功率的函数进行跟踪随着蚀刻机理的物理成分变得更加突出而降低。

在这项研究中,我们报告氮化镓、氮化铝和铟的高密度等离子体蚀刻速率和选择性,作为阴极功率、等离子体源功率和室压的函数10毫托压力、500瓦电感耦合等离子体源功率和130瓦阴极射频功率下,观察到氮化镓:氮化铝的选择性> 8:1,而氮化镓:氮化铝的选择性在5毫托压力、500瓦电感耦合等离子体源功率和130瓦阴极射频功率下优化为6.5:1。

总之,室压、源功率和阴极rf功率对蚀刻选择性有显著影响由于它们的强键能,蚀刻第二族氮化物需要高离子能量或高于键断裂阈值能量的高离子通量在高离子能量条件下获得了非常显著的InN蚀刻,这意味着低挥发性InC蚀刻产物的有效溅射解吸10毫托下获得,而对于GaN:InN的最高选择性在5毫托下获得一般来说,选择性随着离子通量的增加而提高,但随着离子能量的增加而降低第三族氮化物的蚀刻选择性高度依赖于离子/中性通量和离子能量。

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