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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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先进光刻技术用于自旋硬掩模材料的研究进展

时间: 2022-02-21
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先进光刻技术用于自旋硬掩模材料的研究进展

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本文讨论了自旋上的有机和无机硬掩模的研究进展,与CVD选项相比,附加选项提供了高吞吐量和几种替代材料选项,自旋碳(SOC)是一种含高碳的聚合物溶液,作为涂层材料,需要溶于有机溶性。介绍了在良好填充、低排气、高热稳定性和平面化性能方面的进展。

先进光刻技术用于自旋硬掩模材料的研究进展

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1显示了SOC聚合物的一般结构,图2是由1-(9-邻烯烯基)-3-苯基-2-丙基-1-醇(A)、对苯酚(PP)和二苯基苯(DVB)组成的SOC聚合物示例通过将高碳聚合物溶解在上述安全溶剂中,得到了一种典型的SOC配方。有些聚合物在一定的烘烤温度以上是自交联。一般使用自交联聚合物可以有效地交联,有助于减少废气。根据聚合物类型的不同,配方中加入了交联剂和热酸发生器(TAG)等其他成分,以便在随后的BARC和抵抗涂层中烘烤后不会发生混合。典型的SOC烘烤温度范围在220到400°C之间。

先进光刻技术用于自旋硬掩模材料的研究进展 

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在烘烤过程中应尽量减少废气,因为在烘烤过程中产生的可凝结气体侧产品会污染热板单元,造成生产环境缺陷在石英晶体平衡上累积收集在250°C烘烤的20个6英寸晶圆60秒的可凝材料的优化SOC配方的废气量新版本的SOC配方有助于减少排气量,比旧版本减少约4倍在三层过程中,通过氟碳等离子体蚀刻,如四氟化碳、CHF3或C4F8,将抗蚀剂图案转移到SiBARC上用氧等离子体将模式从SiBARC转移到SOC层,然后用氟碳等离子体将模式转移到基底中在大多数情况下,使用TEOS二氧化硅层,其中蚀刻的SOC模式用作掩模优化后的SOC对氟碳等离子体的蚀刻率低,对氧等离子体的蚀刻率高,这是三层反应过程中良好的蚀刻选择性所必需的

在一些涉及双图案或涉及地形的应用中,需要良好的填充和平面化,以在随后的光刻过程中实现良好的CDUSOC配方在600nm深度250nm厚度,75nm图案涂层,在240°C/60秒下烘烤。

SOC配方的交联温度为180-190°C低于交联温度的聚合物由于交联前的良好流动,能够很好地填充在聚合物3中加入增塑剂(Tg149°C),通过提高SOC4的充填性能Via图案不同,SOC1以200nm的速度涂在100nm高度的线图案晶片上,并在150°C/60s+400°C/120s下烘烤55nmLS完全填充,配方具有良好的平面化能力。

随着时间的推移,这种冷凝物会落回到晶片上而导致缺陷如果冷凝物过多,就会引发频繁清洗热板室盖,并降低吞吐量使用类似于第2.2节所述的石英晶体微天平测量废气用于这些测量的烘焙温度是推荐的配方烘焙条件如下:OBARCs200°C,Si-BARC230°C,TiMHM240°C,ZrOx250°C和WOx300°C,全部为60秒。

这里描述的金属硬掩模可以覆盖从低至10nm到300nm厚度的良好膜均匀性此外,使用SC1可以很容易地剥离包含在有机HM上的MHM膜,而不影响有机HM这是与Si-BARCHM相比的另一个优点,因为它们很难湿条

由于采用CVD工艺沉积的无机SiON和SiN等硬掩模是保形型,因此在没有任何空洞形成的情况下,特别是对于高纵横比,填充地形是非常具有挑战性的。除了蚀刻、易于湿去除和通量优势外,基于TiOx的MHM配方被发现可以提供高达50%的EUV光敏性提高。AZ®Spin-onTiOx材料也证明了与有机底层相比具有增强的光敏性。以AZ®Spin-onTiOx的金属底层材料作为EUV底层(EBL92A)在225、240°C/60、270°C/60s时,EUV抗蚀灵敏度分别提高了29.4%、39.7%和49.2%在较高的烘烤条件下,可以观察到更多的光敏性提高然而,在光敏性和LWR之间存在着权衡LWR随着光敏性的增强而恶化对含有光阻剂或底层的金属氧化物纳米颗粒具有较高的EUV光敏性金属氧化物帮助从EUV辐射中产生更多的二次电子。

制造基于自旋金属氧化物溶液的保质期稳定性可达6个月是一个挑战,因为金属氧化物具有高度亲水,导致吸水,而且倾向于随着时间的推移形成粒子。我们修改了配方来解决这些问题,如表6所示,以基于ZrOx的MHM为例,基于实时老化研究,所有AZ®自旋MHM材料都具有良好的保质期性能。表6显示了AZ®自旋ZrOx样品在不同温度存储条件下的LPC测量值。在-20°C、-20°C、250°C和40°C6个月内,液体颗粒计数(LPC)无显著变化。通过对AZ®自旋TiOx样品的保质期研究,获得了更低的粒子计数。

我们设计了高碳聚合物,并通过聚合物和配方设计提高了SOC的性能使用可交联的聚合物减少了排出的气体Tg聚合物具有良好的填充性能,并在高Tg聚合物中加入增塑剂,提高了填充性能优化后的基于PGMEA的SOC配方具有高碳含量良好的填/找平性能,光刻性能适用于三层工艺。在无机硬掩模上,研制了耐高卤素等离子体刻蚀的新型TiOx、ZrOx和WOx材料还具有良好的剥离性和大多数标准湿化学物质通过保质期或锅的寿命研究,验证了AZ®自旋MHM样品的材料稳定性。整体AZ®自旋ZrOx材料比TiOx和WOx材料具有更好的耐蚀性。


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