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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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在UPW中无法检测到的TOC会影响DUV的光刻过程

时间: 2022-02-22
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在UPW中无法检测到的TOC会影响DUV的光刻过程

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两种不同类型的总有机碳分析仪在远足两者都是无试剂超纯水分析仪,利用高强度短波紫外光将有机碳氧化成二氧化碳。二氧化碳会溶解在去离子水中,形成碳酸氢根离子,导致溶液电导率增加。然后,分析仪测量在氧化步骤前后产生的二氧化碳的浓度,并使用不同的算法将这个差分值转换为TOC浓度。因为这两种分析仪对二氧化碳的方法不同,它们对TOC的反应不同分析仪Y直接测量紫外反应器前后的电导率变化由于在紫外氧化过程中,除了碳酸氢盐离子外,还可以产生卤素、硝酸盐和硫酸盐,分析仪Y并不总是准确地测量实际TOC浓度。

分析仪X通过让二氧化碳通过选择性渗透膜扩散到未氧化水的样品中,然后测量所得溶液的电导率该膜阻断了由氧化反应产生的其他离子,只允许二氧化碳导致分析仪X的电导率差异,从而可以准确测量TOC浓度。

这两种分析仪并没有记录TOC偏移的相似结果,而是报告了非常不同的结果。话虽如此,每个人在识别导致远足的组成部分方面都发挥了独特的作用分析仪X提供了一个稳定、准确的TOC信号,并且足够敏感,可以在分析仪Y之前就检测到短途旅行的开始然而,分析仪Y对浓度小于约15ppb时的波动有机物缺乏响应的特征被证明是识别导致TOC波动的污染物的重要线索。

在UPW中无法检测到的TOC会影响DUV的光刻过程 

1

从其中一个受影响的UPW系统中收集到的TOC数据,显示了两种不同的TOC分析仪的不同响应,如图1所示实曲线对应分析仪X的响应,虚线对应分析仪Y的响应分析仪Y技术未能检测到来自第二和第四个TOC峰的任何信号,而分析仪X对所有峰都有响应。

在我们的其他暴露在相同的饲料水中的工厂也得到了类似的结果TOC游览期间,分析仪Y提供了不稳定的读数,从0到超过150ppb的水平之间变化对分析仪Y在第一次和第三次TOC旅行中的结果进行仔细检查,两种分析仪都显示TOC水平较高,显示在开始时快速垂直增加,在峰值结束时垂直急剧下降TOC峰开始和结束的截断表明分析仪Y对导致TOC偏移的低浓度有机污染没有反应分析仪Y对第二个峰值完全没有响应,显示在第四个峰值显示的15ppbTOC峰值期间,TOC接近于零。

在UPW中无法检测到的TOC会影响DUV的光刻过程 

2

2详细说明了图1中第一次远移的开始,分析仪X比分析仪Y提前约8小时回复,值得注意的是,随着分析仪X测量的污染物量的增加,分析仪Y的响应曲线接近于零。据推测,当有机被氧化成二氧化碳时,二氧化碳与有机氮化合物复合物改变电阻率,这种变化将导致分析仪的错误读取,显示TOC被减少或不变,只有在TOC污染物浓度达到约15ppb的浓度后,分析仪Y才能识别出污染物的存在,其结果如图1和图2所示。

为了尽量减少TOC游览的影响,在游览开始时尝试调整水处理过程,这些控制TOC偏移的尝试包括对反渗透系统的修改,增加臭氧供给紫外线反应器的浓度,增加脱气塔的真空,改变RO给水的pH,以及向补充回路中添加活性炭,这些尝试都没有导致UPW抛光环中偏移TOC的任何明显减少

为了确认尿素是这次游览的原因,在英特尔的隆勒英亩工厂开发了一种专有的、在线的、尿素特异性的分析方法,并进行了测试在标准溶液初始校准时,分析仪回收尿素的回收为恒定的85%使用冷藏和密封的第四个样品在发生偏移时,分析仪能够识别出尿素,是第四次偏移的主要原因。

采用不同浓度的尿素进行了标准添加试验,两种分析仪的行为与尿素污染相一致。两种分析仪在受控实验室环境中的行为与第一次偏移的实时结果一致,如图2所示。因此,我们认为尿素也导致了图1所示的第一次和随后的TOC偏移,以及第四次偏移

我们得出的结论是,超纯水中非常低浓度的尿素会影响DUV光刻过程,这些过程用于达到今天的微芯片中最薄的电路尺寸SieversPPT(分析仪X)足够敏感和准确,可以确定工厂何时可能面临由尿素、胺和其他有机氮污染物引起的TOC偏差的风险。

现实情况是,目前UPW系统使用的大多数TOC性能规范都是基于分析仪Y或其他类似的基于电导率的TOC分析仪获得的数据开发的由于已知分析仪Y对一些浓度小于15ppb的常见有机氮化合物缺乏响应,这些规范现在对于最先进的半导体设施值得怀疑

分析仪X的使用已经表明,需要重新评估水处理系统的控制限制,并重新考虑UPW处理系统的设计,以开发实现总有机碳去除的方法。也就是说,如果实现了TOC分析仪的改进检测极限,如分析仪X,它检测以前无法检测到的含有有机化合物的氮,它们不应该再期望提供满足分析仪Y衍生的1ppb规格限制的UPW必须实施一些规格限制、控制限制和/或水处理系统过程的改变,以适应分析仪X更灵敏的检测。

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