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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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稀释硫酸溶液用于电镀铜种子清洗

时间: 2022-03-10
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稀释硫酸溶液用于电镀铜种子清洗

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引言

电镀中的铜种子层为电镀电流提供了传导路径。电镀是一种电沉积工艺,通过电流的作用在表面产生致密、均匀和粘附的涂层,通常由金属或合金制成。为了形成电镀铜膜,铜种子层是必要的,因为很难从硅或扩散阻挡材料如钛、钽、氮化钛或氮化钽上的铜水溶液中使铜颗粒成核。湿化学清洗工艺是广泛使用的清洗技术之一,包括溶剂脱脂、碱浸泡清洗和酸清洗。一般来说,已知H2SO4溶液可用于去除氧化铜。在本研究中,通过预处理稀H2SO4溶液以去除在铜种子层上形成的天然铜氧化物来研究铜种子层的变化表面。

 

实验

将铜种子晶片暴露于空气中以生长铜的天然氧化物。为了去除铜种子层上的天然氧化铜,我们采用了碱洗和硫酸酸洗的方法。

在用TS-40A溶液预处理浸渍H2SO4的情况下,首先,通过将晶片浸泡在溶液中60 s来进行用于去除膜表面有机物的碱性清洗,然后在搅拌下将晶片浸渍在去离子(DI)水中20 s。锌酸清洗过程中,将经TS-40A碱性溶液预处理60 s的薄膜浸泡在稀H2SO4溶液(H2SO4与去离子水的体积比为1:20)中不同清洗(浸泡)时间。此外,所有晶片在搅拌下用去离子水冲洗三次,持续20秒,并在连续N2流中干燥。

根据在稀H2SO4溶液中浸泡的时间,使用表面分析工具如扫描电子显微镜和X射线光电子能谱测量铜种子层的变化表面。使用的X射线源是单色化的铝。铜膜的结合能在932.6电子伏下校准为铜2p3/2。所有XPS数据都是在没有Ar+清洗的情况下获得的。

 

结果和讨论

1显示了预处理后铜种子层表面的有限元扫描电镜图像。通过在TS-40A预处理后浸渍H2SO 4 120s,晶粒结构显示得比仅通过TS-40A预处理(图1(b))或裸铜种子晶片(图1(a))的图像更清楚。这种在H2SO4浸渍后更清晰的颗粒结构图像可能意味着表面清洁和/或表面污染物的消除。

 稀释硫酸溶液用于电镀铜种子清洗

1 预处理前裸铜种子层的FE-SEM图像

为了研究H2SO4浸渍铜种子层的表面化学状态,获得了XPS谱图。样品的归一化测量光谱如图2所示。如图2所示,TS-40A预处理后,碳峰强度急剧下降,铜2p峰强度增加,但与裸种子的调查光谱相比,氧1s峰强度下降很少。可以推测,TS-40A作为碱性浸泡清洁剂,去除了铜种子层表面的轻垢和其他有机污染物。结果表明,铜种子层上的碳主要通过TS-40A预处理去除。此外,经硫酸处理后的TS-40A预处理后,O 1s峰强度明显下降,Cu 2p峰强度急剧上升。铜2p峰的增加和氧1s峰的减少表明铜氧化物的去除。

为了估计铜位置的化学状态,预处理的铜种子层的铜2p3/2窄光谱如图3所示。铜2p3/2在932.6电子伏的主峰对应于金属铜或氧化亚铜,宽肩峰由氧化铜和氢氧化铜形成。在图3(a)中,在TS-40A预处理后,通过H2SO4浸渍,肩峰消失。仅经TS-40A碱性清洗60 s后,铜主峰略有升高,在~934 eV,但Cu-OH的强度几乎没有变化,详见图3(b)。从这一结果可以发现,TS-40A碱性溶液除了能去除碳外,还能去除CuO,因为在~934 eV的深度位置对应于CuO状态。此外,TS-40A预处理后,H2SO4浸渍30 s,主峰突然增大,肩峰消失。结果表明,H2SO4溶液也能去除羟基铜。

 稀释硫酸溶液用于电镀铜种子清洗

3

不同浸渍时间后铜种子层表面铜和氧位置的化学状态如图3和4所示。另一方面,当H2SO4溶液中的时间长于30 s时,Cu 2p和O 1s峰几乎不变。这种类似的表面状态可能是由于XPS测量前暴露于空气中造成的一些空气污染,因为所有XPS数据都是在没有Ar+溅射的情况下获得的。

       为了确定铜籽晶层的去除状态,进行了XPS深度剖析。如图5所示,与仅在TS-40A预处理之后的铜种子层相比,在TS-40A预处理之后通过H2SO4浸渍的顶部铜种子层的厚度减小。此外,空气暴露的氧含量在表面和界面上总是相似的。即使通过化学蚀刻去除铜氧化物层,该铜氧化物层也总是通过暴露在空气中而形成在表面上。考虑到图5中裸铜种子层的20 nm厚度,在TS-40A预处理之后,通过H2SO4处理120 s,蚀刻厚度为~ 2.7 nm。

 

结论

本文研究了TS-40A预处理后稀硫酸溶液浸渍铜种子层的表面形貌、表面化学状态、深度分布和薄层电阻。通过对TS-40A碱性溶液的预处理,首先去除了铜籽晶层表面主要的碳基团。随后,稀H2SO4酸溶液不仅去除了铜氧化物(Cu2O和CuO),而且当溶液与被污染的铜种子表面反应时,还去除了大量的O=C和Cu(OH)2。TS-40A预处理后,H2SO4处理120 s,铜籽晶层厚度从20 nm减小到17.3 nm,但仅TS-40A预处理没有减小厚度。也就是说,H2SO4处理120 s的腐蚀厚度约为2.7 nm,样品的δRs随浸渍时间的增加而增加,与初始铜种子层的Rs值相比。样品δRs的增加依赖于薄膜厚度的减小。从这些结果可以发现,稀释H2SO4溶液可以有效去除空气中生长的天然氧化铜


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