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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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半导体晶片电镀阴极组件

时间: 2022-03-11
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半导体晶片电镀阴极组件

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本文讲述了一种用于半导体晶片电镀的阴极组件,采用金属结构环上的聚合物涂层,为待电镀的晶片表面的周边提供低轮廓密封。聚合物涂层也是电的使金属绝缘,使其可以与电镀液接触使用,并且仍然是电接触系统的一部分,不需要保护性塑料外壳。于用于形成密封的涂层可以非常薄,并且可以由相对较强的金属结构支撑,因此导管组件在晶片镀侧表面上方的突出程度可以最小化。同样,这种聚合物涂层金属结构取代了现有技术中使用的塑料支撑和保护外壳,从而可以显著降低组件的整体尺寸。这种紧凑的阴极组件在晶片表面上,使镀电池和振动系统的修改,提供更均匀的铜沉积晶片表面。

1描述了采用聚合物涂覆金属结构的半导体晶片镀层的低轮廓阴极组件的一侧。同心金属结构环的内边缘与晶片的镀侧的周边重叠,其聚合物涂层至少设置在密封的区域内,优选在操作期间接触镀溶液的其他区域。如图1所示密封优选包括同心圆形聚合物涂层金属脊,通过集中施加的力以增加局部密封预设和提供冗余来提高密封对晶片的有效性。对于某些应用,特别是那些涉及低静水压力的应用,这种脊可能不需要在聚合物涂层和晶片之间提供足够的密封。请注意,一个完美的密封是不需要的,因为Damascene过程特别只需要几分钟,并且可以容忍少量的溶液侵入电接触区域。这里使用术语“密封”来表示溶液流动的足够障碍,以使给定的晶片电镀工艺得以实现。


半导体晶片电镀阴极组件 

图 1

在这里需要一种与晶片上的种子层建立电接触的方法。由于金属种子层通常非常薄,因此其电阻明显,通常优点是使电接触在周围延伸,以平衡和最小电压损失,否则将导致不均匀的铜沉积。结构环的接触表面可以通过纹理来软化,但这可能很昂贵,而且比其他替代品更不有效。

2描述了阴极组件的优选实施例,其具有单独的金属接触固定环和单独的背板,以分别提供对接触环和密封件上的压力的独立控制。接触压力环例如通过一系列机器螺丝(未示出)连接到结构环,以便对接触环的外部连续部分施加压力。支撑板优选具有用于定位晶片的凸起边缘,并且例如通过一系列机器螺丝(未示出)连接到结构环。或者,背板可以例如通过一系列机器螺丝直接连接到接触压力环上。

 半导体晶片电镀阴极组件

2

聚合物涂层应用于密封区域和结构环的所有区域。结构环的边缘可以延长到需要的长度,以防止电镀溶液和冲洗水接触背板在操作期间。在这种情况下,聚合物涂层将被涂覆在密封区域和结构环的外表面上(如图2所示).如果背板暴露在镀层溶液中,它也可以被聚合物涂层保护,或者可以由塑料或其他绝缘材料制成。在这种情况下,可以安装一个适当的o形圈或垫圈(未示出),以在背板和结构环之间提供一个密封。适当地,可以通过结构环、背板或用于连接的机器螺钉建立电气接触。

2中所示的组件还提供了方便的晶圆插入和去除,因为接触环通过接触压力环保持到位。如果需要,例如自动化系统,可以通过使用翻盖夹或其他快速隔离连接装置而不是螺钉将背板连接到结构环。使用图中的组件进行自动化。在这种情况下,背板将被晶片载体取代,晶片载体将自动按压密封件,并在电镀过程中将其固定在适当的位置。从阴极组件缩回后旋转晶片载体可以用来去除电镀溶液和冲洗水。夹紧装置或真空系统可用于在晶片载体旋转期间保持晶片的位置。

本设备包括具有广泛的特定结构环-部分和形状、电接触布置和背板设计的晶片镀阴极组件。例如,它可以实现了低轮廓面,但在某些情况下,突出在晶圆表面上方的组件部分的轮廓可能比最大突出更重要。可以采用各种横截面和形状的接触环,或者可以通过其他方法提供电接触,例如,细丝或金属毛。结构环、电接触环、接触压力环和密封最好是圆形和同心的,但其他形状,例如椭圆,可用于镀圆形晶片或其他形状的晶片。

金属往往具有相对较高的电导率,并且是首选,但也可以使用其他导体,如碳化塑料或金属化塑料。实际上,任何为绝缘涂层提供足够附件的结构金属(包括合金)都可以用于结构环(和背板)。具有高强度的金属允许使用较薄的结构来提供较低的轮廓或更好的轮廓,而那些具有良好的耐腐蚀性的金属可以允许使用较薄的绝缘涂层,并提供更坚固的电接触。用于电接触环的金属不是关键的,但优选具有良好的弹性,以提供接触的弹簧加载,以及良好的抗镀槽成分引起的氧化和腐蚀。大多数金属具有足够的导电性。预接触金属是不锈钢和铍铜,但其他许多金属都是可以接受的。各种可接受的塑料和O形圈/垫圈材料随时可用作背板和密封件。

聚四氟乙烯(商品名特氟乙烯(R)是首选的涂层材料,但其他卤代碳聚合物,如聚三氟氯乙烯(Kel-F(R),具有类似的性能。各种碳可以与其他聚合物混合或结合,以方便应用或达到所期望的性能,例如,低孔隙度。由于大多数有机聚合物倾向于疏水和合理的柔软,任何在电镀浴中稳定的聚合物材料,可以作为附着物应用,保形涂层都可以提供可接受的结果。

保形聚合物涂层可以通过多种方法应用,包括液体喷涂和粉末涂层,许多此类涂层都作为商业工艺应用。液体喷涂通常包括液体载体/溶剂和随后的热处理熔合,这是首选,因为它往往提供低孔隙率的涂层。粉末涂层通过静电喷涂到加热基底(例如200°C),然后在较高的温度(例如350°C)下热熔,这避免使用液体载体或溶剂,但产生更多孔涂层。聚合物涂层也可以作为在零件上进行聚合的混合物应用。

本文所说的阴极组件实际上可以应用于任何晶片电镀工艺,包括那些用于大马士革铜集成电路制造和焊料碰撞的工艺。任何晶圆材料,包括硅、锗、硅锗和砷化镓,都可以使用该组件进行电镀。


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