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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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关于ITO蚀刻的机理

时间: 2022-03-29
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关于ITO蚀刻的机理

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在本研究中,我们研究了在液晶显示(LCD)技术中常用的蚀刻剂中相同的ITO薄膜的蚀刻速率,保持浴液温度恒定,并比较了含有相同浓度的酸的溶液,对ITO在最有趣的解决方案中的行为进行了更详细的研究,试图阐明这些浴液中的溶解机制。

ITO通过每分钟5.5标准立方厘米的氧流量的直流磁控溅射均匀沉积在玻璃基底上,目标的密度为70%,衬底温度为350°C,沉积电压和功率设置分别为375V和1.7kW,得到的ITO层厚度为120纳米,在550纳米处超过85%的透射率,ITO膜的化学组成通过以下方式获得俄歇电子能谱,都在表面和整体。

蚀刻实验是用部分被光刻胶覆盖的ITO样品进行的,样品垂直放置在蚀刻剂中,蚀刻后,样品在去离子水中冲洗,抗蚀剂在丙酮中剥离,样品在氮气流中干燥,测量蚀刻深度,对于每个蚀刻率测定,这至少5次不同的蚀刻时间,蚀刻深度作为时间的函数绘制,蚀刻率以直线的斜率得到,实验在30或50°C条件下进行,温度保持在0.1°C范围内,电化学测量是在室温下进行的标准电化学电池中包含ITO样品,一个大面积铂对流电极和一个饱和热量参比电极(SCE),使用温金恒电位器LB75L,结合高温度仪器小波发生器PPRI和飞利浦X-Y记录器PM8143,在100mV/s的扫描速率下记录伏安图。

在室温下在电化学电池中进行电位蚀刻实验,在这些实验中,仅测量了一次蚀刻时间后的深度作为应用电位的函数,所有溶液均用去离子水和试剂级化学品制备,为了研究酸的种类是否对ITO的蚀刻动力学有影响,我们在50°C下用不同的蚀刻剂进行了实验。

所有检测的溶液都显示了ITO的一定的攻击,醋酸(乙酸)、磷酸、草酸(草酸)和硫酸的检出率极低(<<为1纳米/分钟),虽然硝酸的比率要高得多,但在设备技术的实际应用中仍然太低。大多数氧化物的溶解明显受到H-+离子浓度的影响。

氧化剂对酸中氧化物蚀刻速率的影响,添加的氧化还原偶联的氧化电位值对溶解动力学有明显的影响,添加的氧化还原偶联的氧化电位值对溶解动力学有明显的影响,对这种效应的解释并不简单,因为参数如pH、金属离子的络合、氧化物中的缺氧和电位同时工作。由于在这种情况下,ITO是缺氧的,因此蚀刻率增加的最合理的原因是金属离子被氧化成更高的价,这就意味着,这种氧化作用随后就会被氧化剂的还原作用所抵消,然后在溶液中加入氧化剂就会导致静止电位的阳极位移。

ITO在6MHCI和6MHCI+0.2MFeCI3中蚀刻过程中的剩余电位进行了测量,得到的值似乎表明,动力学的增强是由更多的阳极电位引起的,而ITO的电化学氧化应该是可能的,除了双层电荷外,没有其他电流。当TM将扫描范围扩展到更多的阴极电位时,得到了如图1所示的曲线。

关于ITO蚀刻的机理

这是由于ITO表面的还原,在随后的阳极扫描中得到了一个氧化峰,被还原的物种在这次扫描中被重新氧化,只有当电极的阴极电极值大于-0.5V(SCE)时,才能观察到氧化电流。这甚至也适用于浓缩的HC1溶液,这些实验表明,ITO是电化学惰性的。

通过静电位蚀刻实验,研究了应用电位是否会影响化学蚀刻速率,这些实验的结果如图2所示。在电位低于-0.50V(SCE)时,蚀刻率增加,结果显示出很大的散点,这是由于还原过程导致表面出现颗粒,用谷物上或旁边的Alpha步长测量,结果产生很大的差异,在碱性溶液中也可以观察到同样的效果,虽然添加氧化剂可以增加蚀刻速率,但伏安图和静电位蚀刻实验都表明,这不是由于观察到的静止电位的阳极位移,这显然不是一种电化学效应,这种效应的真正来源尚不清楚,是进一步研究的重点。

关于ITO蚀刻的机理

另外在浓度对蚀刻速率的影响的实验中, HC1和氢溴酸之间没有发现差异,在低浓度(<2M)时,蚀刻速率可以忽略不计。在约2M时,速率可以测量,并随着浓度的增加而急剧增加,这种行为类似于未解离的酸在水溶液中的活性。在低浓度时,水中的解离是完全的,但在较高浓度时,未解离酸的数量增加。解离受到溶剂介电常数e的强烈影响。虽然用e较低的溶剂稀释HC1浓缩(12M)水溶液仍含有一定量的水,但解离率明显低于水稀释后。

ITO在卤素酸中的行为与InP非常相似,因此似乎合理的假设是认为同样的机制是有效的。In-O键的断裂将比完全离子固体的溶解更困难,在20-50~之间的动力学实验得到了活化能为-70kJ/mol。这个高值可以用所提出的键断裂序列来解释,反应方案也表明,蚀刻不应受到溶液中的质量输运的影响,我们用旋转的ITO样品进行了实验,确实发现对溶解速率没有任何影响。

In2OJSnO2靶直流磁控溅射制备的玻璃ITO薄膜,卤素和其他酸的蚀刻动力学存在较大差异,卤素酸的蚀刻速率在一个技术上有趣的范围内,而其他酸的蚀刻速率极低,溶解反应与未解离的卤素酸分子一起进行,这一过程在本质上是纯化学的,不受阳极势的影响,观察到的结果可以用In-O键和H-X键同时断裂以及In-X键和H-O键同时形成的模型来解释,在HC1溶液中加入Is显著提高了ITO的蚀刻率,结果表明,这是一种非电化学效应。



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