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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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单次清洗晶圆的清洗方法及解决方案

时间: 2022-03-30
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单次清洗晶圆的清洗方法及解决方案

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本文讲述的是一种在单个晶圆清洗工艺中使用新型清洗溶液的方法,该方法涉及在单一晶片模式下使用清洗溶液,并且清洗溶液包括至少包括氢氧化铵(NH-OH)、过氧化氢(HO)、水(HO)和螯合剂,在一个实施例中,清洁溶液还包含一种表面活性剂,清洗溶液还包括溶解气体,含有氢氧化铵、过氧化氢、螯合剂和/或表面活性剂和/或溶解氢的相同清洗溶液也可用于多个晶片模式,用于某些应用。一种包括氧化剂和CO气体的去离子水冲洗溶液,所有这些元素结合起来工作,以提高加工效率。

硅片的湿式蚀刻和湿式清洗通常是通过将硅片浸入液体中来完成的,这有时也可以通过将液体喷洒到一批晶片上来实现,晶片清洗和蚀刻传统上采用批处理模式进行,即同时处理多个晶片,一个典型的清洗顺序由HF-SC1-SC2组成。HF(氢氟酸)是一种用于蚀刻薄层氧化物,接下来通常是标准的Clean1(SC1溶液),它由NHOH、水和水的混合物组成,有时SC1溶液也被称为APM溶液,它代表过氧化氢氨混合物,SC1溶液主要用于去除颗粒和残留的有机污染。然而,SC1的解决方案却留下了金属污染物。

最终的溶液是标准的Clean2溶液(SC2),它是盐酸,H.O.和水的混合物,有时SC2溶液也被称为HPM溶液,它代表盐酸过氧化氢混合物,SC2溶液主要用于去除金属污染,在HF、SC1和SC2溶液之间,通常有一个DI(去离子)水冲洗液,在SC2溶液加入后,通常会用去离子水冲洗。

1a所示,一个标准清洁循环的总时间约为64-70分钟,高频步骤大约需要1-5分钟,SC1步骤通常需要10分钟,而SC2步骤通常也需要10分钟,中间的和最终的去离子水冲洗步骤大约需要8-10分钟,晶片的最终干燥通常需要10-15分钟,通常是同时处理50-100片晶圆,如果不同的浴液用于不同的化学品,那么在一批50-100片晶片离开浴液后,可以装载新一批50-100片晶片,通常速率限制步骤是干燥机,它需要高达15分钟,这意味着大约每15分钟可以处理一批50-100片,导致系统的总吞吐量为每小时200-400片晶片,分别为50或100片晶片。

因为芯片制造需要更短的周期,所以需要一个快速的单晶片清洗过程,为了使单个晶圆清洗过程经济,每个晶片的处理时间应该在两分钟左右,这意味着整个HF-SC1SC2序列,通常需要大约64-70分钟,必须在两分钟内完成,至少在3分钟内完成。不幸的是,目前不可能在不到两分钟内和至少三分钟内执行SC1-SC2清洗序列,到目前为止,湿处理通常是以批处理模式进行的,因为单个晶片处理的吞吐量不能与批处理竞争。因此,所需要的是一种将SC1和SC2的清洗从正常的处理时间减少到小于或等于1%的分钟的方法,它还需要减少高频步骤和干燥所需的时间。

本发明是一种用于单个晶片清洗工艺的方法、溶液和冲洗剂。2006年11月23日的方法特别用于单个晶圆的清洗,但它也可以用于一次清洗多个晶圆的应用。该新型清洗液的配方可以提高清洗工艺的效率。当器件的有源区域暴露时,清洗溶液和冲洗溶液都特别适用于在线半导体处理序列的前端去除离子金属杂质和粒子。

晶片清洗溶液由氢氧化铵(氢氧化铵)、过氧化氢(水)、水、螯合剂和表面活性剂的混合物产生的溶液组成,众所周知,在艺术中,这些化合物只解离成它们各自的离子,在这些化合物之间没有发生化学反应,氢氧化铵(NHOH)、过氧化氢(水)和水(水)的浓度分别为稀释比为5/1/1/1至1000/1/1之间,氢氧化铵/过氧化氢的比例也可以在0.05/1到5/1之间变化,在某些情况下根本不使用过氧化氢,在这个清洗溶液中的氢氧化铵将从28-29%w/w的NH溶液变成水,清洗溶液中的过氧化氢从31-32%w/w的溶液变成水。

清洁溶液中的氢氧化铵和过氧化氢的目的是从至少在其前端上包括单晶硅基板的晶圆片上去除颗粒和残留的有机污染物,清洗溶液的目的也是氧化晶片的表面,由于氢氧化铵和过氧化氢介于9到12和10和11之间,清洗溶液具有碱性pH水平。有两种方法可以从氧化物表面去除金属离子。第一种方法是增加溶液的酸度H+),这产生一种溶液,只要溶液中存在合适的氧化剂,在半导体加工中常见的大多数金属离子是可溶的,合适的氧化剂包括O、水和O,这些离子的适用性取决于它们防止溶液中任何离子还原的能力,如铜(Cu”),增加酸度并具有合适的氧化剂是最常见的金属杂质去除溶液所使用的方法,即SC2。

从氧化物表面去除金属离子的第二种方法是降低溶液中的游离金属离子浓度M”,通过在溶液中加入螯合剂,可以降低溶液中的游离金属离子浓度,在SC1溶液中使用螯合剂,可以通过使用SC2溶液获得相同水平的金属离子杂质去除,第一个要求是螯合剂和结合的金属离子的配合物保持可溶性;第二个要求是螯合剂与从晶片表面去除的所有金属离子结合。

表面活性剂的目的是防止颗粒从晶片上移出后在晶片上再附着或再定位,预排气颗粒的再附着是很重要的,因为允许颗粒重新附着可以增加整体清洗时间。因此,表面活性剂用于减少清洗时间,并使单个晶片清洗可能在不到2分钟内,而不是64分钟(见图a和图b)。

单次清洗晶圆的清洗方法及解决方案

(a)

单次清洗晶圆的清洗方法及解决方案

(b)

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